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在DDRII和DDRIII中 VRAM部分placement方式 利弊简谈~

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发表于 2011-4-22 11:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
      因為 VRAM BGA 的placement的不同,造成 layout 和 tune equal length 的难易度也会不同。在此show 出两种 placement的方式,供大家参考。    一、在DDRII设计中
, e# s( Z. z1 ]+ D3 K
9 V- u( G0 `2 j# i" E3 y( e/ x6 g+ X1 ?
' \6 \' e% H8 W: ?. [) L第一种placement 方式:
" m, z4 ]- U, A# f" x' P& a      4 I5 ^& D  A1 T% M. `+ ~3 ~( b
     第二种placement 方式
$ k; S% {2 |% k, ^     
( X. }9 u! e1 k/ O  i. { 总结:以上两种placement方式所佔据的空间大致相同,第一种方式在Y轴需要更多的空间;第二种方式则在X轴方向会佔据更多的空间,但它节省了Y轴上的空间。
- v  T" z9 P: I+ |9 @3 A) ~        在拉线方面,第一种方式data组内的长度相差不多,但group 与group之间相差很大(这点尤其在DDRIII时表现很突出);第二种方式 group 与group之间 的长度相差不大,但 data组内则相差较多。, X9 ?$ y0 d4 c8 |
         而address也是各有千秋。因為DDRII的Address pin在小BGA的一端,因此第一种方式address的路径上不会有data挡路;而第二种方式则会必须从小BGA外面绕,但接小BGA的那一段可以直接用表层接,整段trace会小一颗via,少换一次层,且等长较好tune。4 C- t0 b8 ], w8 `# B3 b* d

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lixc2008 + 5
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ymf2529 + 5 辛苦了!
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 楼主| 发表于 2011-4-22 11:44 | 只看该作者
回复 天使旋律 的帖子
  Y4 f( `3 H- m6 {7 w
4 ]2 x8 q; _! j二、在DDRIII设计中:第一种placement方式:
! @8 m1 |% L6 h7 {9 {( A8 F
0 i# b+ t% }9 P4 d, e
7 _+ p# r8 V$ Z1 M# x
第二种placement 方式:
' l: U$ G/ m" V: U2 A
" D. x5 Y9 a) L+ Z5 s8 v/ z; n
2 \4 e6 S* a! b" t" [5 M8 i
总结:以上两种placement方式所佔据的空间差别较大,但第一种方式在Y轴需要更多的空间;第二种方式则在X轴方向会佔据更多的空间,但它节省了Y轴上的空间。1 ~9 D8 ]# |$ A% N1 h% b
        这两种placement方式的最大差别还是在拉线和调等长的时候表现出来。
: v% R0 G) B. z         data 方面,它的pin define与DDRII是有区别的,整个Group是完全集中的。第一种方式Group I 与Group II的长度误差大概在800mil左右;而第二种方式可以减少这方面的局限。+ d* Q* J0 i6 N0 N, I
         addres 方面,第二种方式的优点更加明显,不但比第一种方式少一颗via,少换一次层,且用表层可以使两个小BGA 直接相连。且等长不用说也可以很容易做到。5 \/ V7 o% y, x% B0 h% j* Y9 N. z
. B+ q. n/ X0 b' n  y
     如下图:
& o5 [# k/ F4 b% h& ^9 n2 M    3 O1 d. m% A* X
按照上图的placement方式,每个小BGA data中的三个group可以走在同一层,另外一个group 可以与address走一层。且等长也较easy!
+ K1 P+ }! u' H! u8 P3 s       也许,这对Cost down 来说是一个不小的福音!!!
) [7 A. @5 |! h2 o, J; D2 N9 j% Z5 V! O        而第一种的placement方式,对拉线和等长都有不小的难度,用四个内层还走得那麼辛苦,, d/ e( n. e( y
如下图4 V. r8 R: \, m4 M0 n9 m
2 p7 u: I. u7 t0 [5 l5 p6 L

+ e( Z* C) V0 A6 X5 z% l% a# A! H, g9 i- |" h+ c+ J3 l

: @1 x* f2 o! J1 }4 ~  S# G
+ a3 F: W( [+ i& C' F弦外之音,抛砖引玉:
' h) w* V3 W2 V/ m' R GDDRIII共用Address和 Command的小BGA Data 可以swap,swap方式如下:
: w4 l6 {2 t; e          同一BGA的data group可以换,但必须保証DQS/DM的pin 互相对应。
5 [7 ]  H' d0 B! D# l% j' \          同一group的data net 可以互换。/ D: s/ h  H) x6 Y

5 Q: N# P1 l; n0 @0 }+ \- i, E* V

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不错  发表于 2012-1-31 11:38

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fromnow + 2 原创内容
winricky + 5 感谢分享,解释的很棒

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发表于 2011-4-22 11:49 | 只看该作者

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发表于 2011-4-22 13:13 | 只看该作者
结论呢?

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 楼主| 发表于 2011-4-22 13:26 | 只看该作者
回复 wzh6328 的帖子4 f0 A. N" B- t1 F+ d& U0 C

! H( z6 |! m1 a5 z. r9 I结论就是,在DDRIII元件的place,推荐第二种placement方式;至于DDRII设计,两种情况都有自己的利弊,看自己的想法了,呵呵~

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发表于 2011-4-22 17:52 | 只看该作者
LZ辛苦,很直观,很强大~

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发表于 2011-4-23 15:24 | 只看该作者
:victory:

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发表于 2011-4-23 20:45 | 只看该作者
LZ辛苦了

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发表于 2011-4-23 21:18 | 只看该作者
lz强大啊

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发表于 2011-4-24 11:38 | 只看该作者
不错

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发表于 2011-4-24 11:45 | 只看该作者
太棒了,最需要的就是这种复杂器件的place经验
250 字节以内
不支持自定义 Discuz! 代码

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发表于 2011-4-24 12:06 | 只看该作者
不错.很有启发意义.

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发表于 2011-4-25 15:49 | 只看该作者
学习中,感谢楼主分享

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发表于 2011-4-25 21:59 | 只看该作者
只要层数够,怎么摆都行

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发表于 2011-4-26 09:20 | 只看该作者
回复 CAD_SI 的帖子& _5 K/ M  I9 h6 P, @7 L  }
" O0 g- C  }6 W) [  _- R
呵呵,如果这么说,那么如果工厂不考虑亏本,买方不考虑消费,还用我们设计做什么?
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