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大家帮忙分析一下这个复位电路

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发表于 2009-8-19 17:56 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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这个复位电路我个人认识是RC复位电路,具体的R是R2,C是C3,可是不太明白接的那两个三极管的作用,请大家帮忙分析一下

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发表于 2009-8-20 08:10 | 只看该作者
复位时间是由R1和C1、C2(这里C2也很有可能是滤波用的)决定的,
% d3 z6 f/ c3 r$ E) c. H两个三极管是做了两次电平翻转,目的是将C1、C2上的逐渐变化的电压变成类似数字信号的高低电平

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 楼主| 发表于 2009-8-20 09:07 | 只看该作者
在上电的瞬间,电流通过R1给C1\C2充电,第一个三极管的基极是被拉低的,不能导通,这两个三极管不能作用;此时3.3V通过电阻R2给C3充电,实现对RST的拉低。觉得不是2楼说的R1和电容C1来复位,这两个再充电的瞬间是不能把RST管教拉低的

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发表于 2009-8-20 09:55 | 只看该作者
在上电的瞬间,电流通过R1给C1\C2充电,第一个三极管的基极是被拉低的,不能导通,这两个三极管不能作用;此时3.3V通过电阻R2给C3充电,实现对RST的拉低。觉得不是2楼说的R1和电容C1来复位,这两个再充电的瞬间是不能 ...# a9 @% U" t" o+ J: U
yezi2893802 发表于 2009-8-20 09:07

# ]% r9 d% I2 m$ ^+ J  V在上电的瞬间,电流通过R1给C1\C2充电,第一个三极管的基极是被拉低的,不能导通。* `6 b, j6 F8 }- I! V5 K
这是对的,这时候第由于第一个三极管不导通,第二个三极管基极电位被R3拉高,因此第二个三极管导通,C3被短路,RST为低电平复位信号。6 x# e! q7 z6 M# {, X0 |
直到R1给C1\C2充电电压超过0.7V第一个三极管导通第二个三极管截止,才会通过R2给C3充电。2 @7 r0 s7 m5 p% t0 b# U
设计中R2的电阻应该是限流保护用的,组织较小,C3是滤波用的容值也很小8 w& f& X( J8 r0 S2 ?2 a5 j& c8 F
我感觉这个电路还有一些缺陷,第一个三极管发射基应该有一个抬高电压的电阻或者二极管之类

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发表于 2009-8-20 10:08 | 只看该作者
再补充一下,按照yezi2893802 的说法设置元器件参数电路也可以实现,只是有三个地方有些解释不通! l/ n( @! h* Y# F4 C
1、C1为什么要采用电解电容?电解电容一般容值较大,适合做稳压和长时间延时
6 n6 k) W6 [: Q  F" x5 g7 p2、如果电路中两个三极管不其作用而是靠R2、C3的话这个电路中许多设计都没有必要存在了+ I9 t, B( p8 T2 c
3、通过R2、C3充电的电压变化是按照指数关系逐渐变化的,虽然也可以做复位信号但是效果不理想

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发表于 2009-8-20 11:05 | 只看该作者
1.R1和C1,C2组成的阻容复位,两个三极管的意图是将RC指数波形整形成方波
6 c4 u! L) l, I1 T# J9 C# l2.C1C2接在三极管的基极的做法有问题.没有考虑到Vbe被钳位在0.7V了,所以这个复位时间是无法控制的.如果想把复位时间做长点,只能再加个大的电解电容.其实解决的办法很简单,在复位电容与基极之间串入一个电阻,这样复位电容上的电压就不受Vbe的限制了,复位时间也可以根据RC成指数变化,复位时间很容易调整,而且可以去掉那个大的电解电容

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发表于 2009-8-24 10:58 | 只看该作者
感谢楼上Juger 的解释,本人比较同意这个分析!

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发表于 2009-8-25 14:06 | 只看该作者
C1一般取4.7U左右,复位时间100~200ms,差不多可以满足芯片复位的要求了。需要更长时间,可以将C1增大到10U左右,复位时间一般>300ms。。

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发表于 2009-8-25 14:20 | 只看该作者
谢谢各位大侠分析,学习了!

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发表于 2009-8-27 10:03 | 只看该作者
谢谢各位的分析  学习了

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发表于 2009-8-27 16:09 | 只看该作者
1楼正解

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发表于 2009-9-2 16:45 | 只看该作者
谢谢各位的分析,学习了

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发表于 2009-9-7 12:31 | 只看该作者
本帖最后由 near0312 于 2009-9-10 17:33 编辑
, x' H& p/ P4 S5 D+ P  O
2 F# M  N) M, Y8 |7 q两个管子其实质是一个buffer,主要有两个作用:1、缓冲。2、电平转换。3 E0 c& C' n5 E2 H: ~& R& [
C3的作用是EMC和ESD考虑。0.1u或1u即可
( Z+ D: [. L9 I  J2 m/ tR1主要是上拉第一个管子基集,为其提供工作电流。& r/ G3 x! ~. M
C1、C2两个作用:充电延时和ESD保护,C1不需要电解电容,具体参数由复位时序决定,一般选用uf级别的陶瓷电容。C2可选择0.1uf的陶瓷电容,靠近第一个管子的Pin脚摆放。
0 e5 m; L& v5 _3 c; N此处,我认为最好能在C1前面串接一个K数量级的电容,用于隔离,因为第一个管子打开后,基集对发射极电压很低(不同材质管子电压不同),如果没有电阻隔离的话,会将复位信号源拉低。可能会造成其他不好的影响。
" c' M1 ]# u/ @9 l加了串接电容后,延时时间可以用RC(R为串接电阻,C为C1)计算。

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发表于 2009-9-10 12:45 | 只看该作者
真是精辟啊,感受了,谢谢

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发表于 2009-9-27 14:07 | 只看该作者
复位时间应该是由R1和C1来决定。
冰雨
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