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[仿真讨论] 电容跨平面的影响

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发表于 2012-7-31 17:55 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 qaf98 于 2012-7-31 17:56 编辑 ; V$ H6 {: h& ~: T/ o# m
! ?# o$ S6 ~- |7 l, Z( w
做了个实验,看电容跨平面后对附件信号的S参数影响。( ?- }! E+ Z$ ^( R/ q

/ x# Z$ u/ s! `5 R0 H1: 50mil内放置一个0.1UF电容。
' f6 H5 P' Y0 N, h( b
) H9 z% |6 Y- j/ k! r) I
, E9 I2 q0 y& k% i& d2:TDR 图示
. ?2 y- U- W$ x4 K; e, `9 t% M # U1 B) s: B* b. X1 }$ B0 D# e
3:做多个信号,分别离电容的距离是,100,200mil ,300mil,500mil 的情况的S参数如下图。
( t2 [1 b# G$ I0 p% t5 D " E$ D( g- b) t( F  ~- E) y  A& z. Q
, l" V7 ~( s; l! j$ B# a" t

, {! k' w# Q6 M' z. K9 [  _3 }9 J  n
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 楼主| 发表于 2012-7-31 18:02 | 只看该作者
个人感觉,当距离超过500MIL之后,s参数下降就超过3DB, 可以认为电容的影响不大了。

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发表于 2012-7-31 22:55 | 只看该作者
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