电源开关MOS 下可否走高速信号..

wang20080808 · 发表于 2010-5-19 16:18

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向大家请教个问题,电源开关MOS (300K),个一层地,是否可以走高速信号 ,(时钟100M). ? 附件是贴图>

wang20080808 · 发表于 2010-5-19 16:21

绿色穿起来的是100M 时钟信号 ,红色的是48M,此两个信号位于第6层,7层是地.开关MOS 在第8层.

yawyw · 发表于 2010-5-19 19:45

因为已经地了，所以应该问题不大，但是还是强烈建议不要这么走

wang20080808 · 发表于 2010-5-20 16:04

可以有讨论哈,是怎样来造成的影响吗????

51video · 发表于 2010-8-7 00:15

本帖最后由 51video 于 2010-8-7 00:16 编辑

个人观点：
1、如果能不从MOS管下面走，尽量别从下面走；
2、要讲清楚是哪种MOS管？PMOS还是NMOS？要知道，这两种MOS管的VGS和源端接线是不一样的，一个是负压，一个是正压；
3、从图上看，这种SO8封装的MOS管应该是power MOS，电流大，RDS小（毫欧级），因此，产生的磁场不可忽略

wang20080808 · 发表于 2010-10-28 15:18

2、要讲清楚是哪种MOS管？PMOS还是NMOS？要知道，这两种MOS管的VGS和源端接线是不一样的，一个是负压，一个是正压；(是ＮＭＯＳ　正压和负压对在下面信号的影响有不一样吗，请指教）
是电源ＭＯＳ　只有１０毫欧，谢谢！

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