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【讨论】滤波电容和耦合电容

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发表于 2009-8-30 21:53 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1,滤波电容:看了些教程和设计指导书都是说在LAYOUT的时候要让小容值的电容要比大容值的先靠近POWER的输出口(主要指的是5V及以下的DCDC输出),这样滤波效果好,但是为什么呢?不是应该先是用大容值的大电容滤波先的吗??$ ^$ \3 J2 F: i' P& D. v2 g
2,书上也说提供给IC电源口的电源要先经过耦合电容,之后再接入IC的电源口,那是滤波,稳压作用,那么问题是,要大容值的电容靠近IC电源口,抑或是小容值更靠近呢?为什么呢?

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 楼主| 发表于 2009-9-1 11:22 | 只看该作者
个人解答:
  z4 f5 Z- A& h! y1,根据Z=1/(ωc),C容值越小,阻抗越低,高频噪声越容易走该返回路径,回到“地”。所以要小电容更靠近POWER的输出端
3 B7 g1 Z. w  e0 Q2,大电容要更靠近IC电容口,可以使其在模式切换的时候有足够的能量维持系统的工作
$ Q5 A9 Z7 p1 p) o' Q6 _2 t; O& |& L: g) b# s! s. s
请大家拍板
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发表于 2009-9-1 12:51 | 只看该作者
第一条的回答是不正确的
, p( L9 b. Q' x$ L你可以找两个不同容值的电容看看他们的阻抗频率曲线
不問可不可行,而問如果一定要做,該怎麼做

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 楼主| 发表于 2009-9-1 19:57 | 只看该作者
如果不是阻抗问题,那么为什么需要各种大小不同容值的电容?有些电路还是推荐10nf,100nf,1000nf,10uf这样一直排下来呢~
$ l- G- `% S+ U" t3 s- Y; A# n何必要小容值的更加靠近DCDC输出呢?
$ x: q0 q- {* H; ~负载有关系吗?
: ?' r1 l2 |% o2 i请高手解答
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发表于 2009-9-1 20:08 | 只看该作者
呵呵
( ~. ?7 W1 w& @' l2 M. d1 C# \# E楼主的分析很有意思,自己写的Z=1/(ωc),C越小Z阻抗自然越大了,怎么会说阻抗越低呢?: q! U1 [* f( q8 @& |* C4 d/ I% x
在频率很高和边沿斜率很高的情况下,电容不应当在看作纯粹的电容了,而是要考虑ESL和ESR的效果
! S, Z6 e* R8 }( W现在的工艺中电容容值比较小的时候比较容易做到较小的ESL和ESR,因此在DCDC电源出口先放置小电容可以将DCDC中的高频干扰短路到地

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 楼主| 发表于 2009-9-1 21:06 | 只看该作者
感谢楼上高手指点,工作忙晕了,搞错了。呵呵( T1 t1 Z/ G. m9 h* B, ?
原来由于ESL和ESR的影响需要先放置小电容,而大电容的ESL和ESR因为工艺的问题会相对小电容的大,所以需要大小电容互补~~~
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 楼主| 发表于 2009-9-1 22:54 | 只看该作者
明天要查下阻抗频率曲线* n, C/ r# v* [, I! v
因为很多时候电路都是用了人家的Reference sheet,囫囵吞枣的接受,自己没有分析注意细节的东西,出问题才研究,那就晚了
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发表于 2009-9-2 10:41 | 只看该作者
呵呵
) c: Y! h7 Z/ [7 Q- ^& g楼主的分析很有意思,自己写的Z=1/(ωc),C越小Z阻抗自然越大了,怎么会说阻抗越低呢?
% l! A* h" y  b# w! T9 P9 }* D在频率很高和边沿斜率很高的情况下,电容不应当在看作纯粹的电容了,而是要考虑ESL和ESR的效果
6 i, v; ^# I0 s  |! j现在的工艺中电容容值比 .... c1 ]8 ]) [' O9 W" {6 b; P: d
Juger 发表于 2009-9-1 20:08

! I2 L5 T* q5 t; E5 }2 d6 b# V; H4 X( h
最后的说法是不符合客观事实的
# I' t  J& E6 c$ n: Q小电容值的电容的ESR一般要比电解电容等大电容的ESR要大" O2 [4 Z, j) T. v; y
不过ESL的确是贴片的电容比引线电容要小很多
- y( }$ Q- @* @& m电容的阻抗z=zESR+i(wL-1/wc)         其中w是角频率,等于2×pi×f
) @+ ?3 o! G5 g! }% }0 Y. \+ @当后面的wL=1/wc的时候,电容的阻抗最小,其值等于ESR
  J/ m/ [6 z* @7 d! n- D而这个频率点就是电容的谐振频率f=[1/4*pi*pi*(LC)]1/2
5 r( f# y8 `/ w, M5 |  }- R可见电容的容值越小,寄生电感越小,其谐振频率就越高,越能滤除高频杂波信号
不問可不可行,而問如果一定要做,該怎麼做

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 楼主| 发表于 2009-9-3 11:14 | 只看该作者
最后的说法是不符合客观事实的# }6 S, k7 V1 ?& l# Y" g. p7 v! z, Q
小电容值的电容的ESR一般要比电解电容等大电容的ESR要大
# X! g6 ~2 D: F! M: \. U$ D不过ESL的确是贴片的电容比引线电容要小很多
: c3 M$ f9 V( u: s# m6 u+ p8 F电容的阻抗z=zESR+i(wL-1/wc)         其中w是角频率,等于2×pi×f
! J: {2 B% U8 ?$ }) U当 ...7 D1 D1 U, a5 B) ^, M& g
袁荣盛 发表于 2009-9-2 10:41
* p! w% c/ {. L: |: ?
7 B! e! L  P& j( w) N/ `
既然大容值电解电容的ESR既然比其他小容值的小,那么聚合物电容的ESR的大小是介于两者之间吗?
; j0 @: _/ K8 _请问有相关资料吗?) v, V0 y8 T7 Y$ L; E% r0 Z8 W
那样以后我们分析这些问题的时候真的要从基本的入手了
' p, o& H- [) Y  |5 M5 H1 U& Q找了半天,公司那些电容的承认书都是没有频率阻抗特性图的~~郁闷啊
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发表于 2009-9-4 11:29 | 只看该作者
其实在低频的时候放钱放后都没有多大的关系。
- S! y) ^& |1 t$ O' m& V4 v& _  V9 q1 P; ?8 {
主要是在高速信号的时候要考虑到这个问题,上面很多都已经提到了告诉信号的问题。
0 O4 E1 c3 l5 w8 v% Y. l) R$ b( Q0 z" O
大家可以去看一下信号完整性,上面对电容的作用做了很深刻的分析。

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发表于 2009-9-7 09:16 | 只看该作者
8楼说的对 其余的不全对

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发表于 2009-11-5 16:03 | 只看该作者
去耦电容有一个概念去耦半径,电容只有放在这区域内才有作用,一般小电容谐振频率高,去耦半径比较小,所以要靠近芯片放置,而大电容谐振频率低,波长长,去耦半径较大。论坛上有关于这方面的帖子,可以找找
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