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其实你可以打开一个ibis模型
" R7 p9 {* C3 l8 R% N查看一个IO buffer的[Ramp]波形2 v6 l" Y6 G, T1 P3 |- |# @0 i& S7 A
你会发现有三个波形，对应这里的Typ、min、max
4 _9 x. U2 c; ^8 f它的dV值是不同的，因为三根曲线的幅值就不同2 g8 C$ o& U$ j0 V4 P/ Q
所以它的20%～80%电压就不同, c: y4 N- k* G) c1 \
当然三根曲线的斜率也不同6 O1 h L3 E+ }, i) K" A( H8 D
袁荣盛 发表于 2009-7-7 12:43 ![]()
谢谢这位兄弟，我对这个参数是这样理解，不知对不对
6 y4 N5 A0 C: [ B; o从[Ramp]参数可以得到四个信息：tr（20%-80%）；压摆率；输出电压稳态值；buffer的输出阻抗信息。
% b7 P7 d" I8 K& n3 Fbuffer输出电压的稳态值等于输出阻抗和50ohm的分压，因为typ、min、max情况下的输出阻抗的不同，因此稳态值也不同，从而dV=（20%-80%）*稳态值也不同。
) L2 j2 Z0 @$ _这里的稳态值就是iBIS spec中的 Voltage swing。
5 ]# t# @' C* B7 J, P8 L9 @* a/ b4 P* Y' C. d
下面是IBIS spec中[Ramp]的说明，- _0 ?) `9 g$ g/ d0 {
0 b3 a4 X, @& u+ d% c p8 `, NKeyword: [Ramp]1 e% @! S: } t
=======================================================" h+ s0 N+ u) d6 Y
| Required: Yes, except for inputs, terminators, Series and Series_switch
: C/ ?, f" j2 W/ k| model types- N8 c' J2 L( O( T6 L
| Description: Defines the rise and fall times of a buffer. The ramp rate e( Y+ l% c$ `* ^# A% b. Q, A
| does not include packaging but does include the effects of the
6 |; g' D& U7 |: q, A# f% E- E| C_comp or C_comp_* parameters.
, j7 C: T7 h4 J| Sub-Params: dV/dt_r, dV/dt_f, R_load2 ^1 V8 H3 z: b/ H' Z/ y
| Usage Rules: The rise and fall time is defined as the time it takes the0 M( L r5 g1 P5 g
| output to go from 20% to 80% of its final value. The ramp
- i6 O9 C& F9 _3 z. p0 K; w| rate is defined as:# Y& Q+ X2 n$ }1 L
|$ n! c/ f% k) |7 }, H
| dV 20% to 80% voltage swing
5 P- I, c7 F& ~, d5 K| -- = ----------------------------------------
/ a( Y. U# K3 ?| dt Time it takes to swing the above voltage |
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发表于 2009-7-7 08:48
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