本帖最后由 criterion 于 2015-12-31 14:20 编辑 1 W: Y f' z1 b% B1 `4 u
7 T& D N7 G, v- F' R) C. B8 ^1. Matching组件的决定 请看以下附件 看简体版的较方便 ) v, k- j O0 W8 ?# R- t
# W; M! B/ O S1 H
3 x6 Y3 R, l0 `! M! o2. DC Block部分 & X: M; J6 w8 r0 \! ~- o( s. h
如果你不想让该DC Block影响阻抗 那你放个150pF就好 假设下图Point1是原始阻抗 Point2是串联150pF的阻抗 可以发现 串个150pF 不会影响阻抗 & a6 D' Q h7 m
5 @; P& W2 V s0 J* U3 `
% ]1 D& o7 o( E% L# H# M1 Z
& y+ X' {# Q5 E$ M- }
; t" b/ g1 r2 A6 @而且串电容 基本上只会砍直流 对你433MHz的讯号 几乎无损耗
( a" x* g0 w) P! B* Z9 R. ~4 ~ ( M3 i$ A5 K: {) F. S) J" d
. j& V; n2 |: g& D; W( ]: v8 n0 w$ C% l4 L, i' }
所以4463-TCE20C460_sch.pdf这份文件 DC Block放的是150 pF
+ |: X O7 L f" B7 v * L# W" t. z8 X2 y
当然你也可以物尽其用 把DC Block当Matching组件来用 既然是Matching 那值的决定 就同步骤1 反正你只要串个电容 就可以当DC Block 433 MHz的讯号 不会被DC Block衰减
& s- a2 |5 q; Z+ S; b. ?5 @' y" e) I
4 z, r6 R7 a: _5 L$ w1 Z
) u' D ^) o& M) e! |% f |至于C7跟L5 因为你Rx讯号是差分 再比对4463-TCE20C460_sch.pdf的话 这两颗应该是Matching组件 只不过差分的匹配比较难 你就尽可能让Rx走线走短一点 阻抗控制好 不要走内层 如果Switch离Si4463就是很远 那你要在C6前面 多加一组L型Matching
4 }0 d' J2 W( l2 v. K# W6 H- U6 W+ B$ T
然后这个L型Matching跟C6 都要非常靠近Si4463 这样到时候 你Switch到C6的长走线 造成的阻抗偏掉 还可以靠这个L型Matching调回来 同时因为Switch到C6这段 是Single-end的50奥姆 那你就回到步骤1去调Matching就是了 这样的话 只要确保Switch到C6是50奥姆 因为C6离Si4463很近 所以C6到Si4463 阻抗不会偏太多 那L5跟C7 就随便盲调即可 真要放个初始值 那就分别放1pF跟1nH好了 不会影响阻抗 也不会衰减到433 MHz的讯号
" z/ E. r! P/ X9 Z- n2 R
& n; c* r7 v! T2 s I
: r9 P1 N. T/ a$ Y5 X至于L1 那是当RF Choke使用 目的是避免RF讯号 回灌到你的VDD 那你就放个270nH , l2 U+ b$ {6 I" V* o
+ \) P$ P" Y5 Y8 J1 e* }/ W C. N4 n! ?" o% J2 k
由上图可知 串一个270 nH的电感 对于433MHz 有23.5 dB的衰减 这样对于回灌到VDD的RF讯号 已经有一定衰减量了 同时 270nH电感的自我谐振频率 是586 MHz 换言之 你的433 MHz仍未超过270nH电感的自我谐振频率 所以不会有啥副作用
# _( ^( g7 Q7 A$ [5 g7 Y" N , Y( ~0 T$ a% t# T3 P" r2 |
- ]: k$ E: ~. O- D3 L' i: D- {如果你的电感值过大 其自我谐振频率就低 那么一旦你的433MHz 超过其电感的自我谐振频率 此时对于433MHz而言 这颗电感会呈现电容性 你是在利用他的电容性来砍RF讯号 也就是说 你是把电感当电容使用 或许仍有RFChoke的作用 但这可能会有其他副作用 3 l8 ~: F2 l( Q. u; @! o
|