本帖最后由 criterion 于 2015-12-31 14:20 编辑
" t" R0 @* Z9 M" \* t% q0 ?7 [. R! S7 Y8 Q3 A1 i8 t
1. Matching组件的决定 请看以下附件 看简体版的较方便
+ ^& o) }0 {" u+ b* a+ v$ A' E# R
. q) Z4 F' S! g$ {8 d) P. [, w/ A2 d; p+ ^
2. DC Block部分 / {7 q* b2 U2 t2 H* x
如果你不想让该DC Block影响阻抗 那你放个150pF就好 假设下图Point1是原始阻抗 Point2是串联150pF的阻抗 可以发现 串个150pF 不会影响阻抗 8 M. U7 x" ^/ ]( N
( E2 Z( V, |! x6 [" }! U5 L
4 I+ O/ D. u' ^* z* e( V4 g$ g P8 z
" W/ J/ m/ l8 f) X6 G! P1 g4 j而且串电容 基本上只会砍直流 对你433MHz的讯号 几乎无损耗 , l& R; h2 v a" ]# N
" D' z$ F7 {. U( y1 u# ~4 i" ^9 O. V8 r& J0 f( q& Z/ V
; C. h' {2 @' D6 A+ I1 A- @& h
所以4463-TCE20C460_sch.pdf这份文件 DC Block放的是150 pF - p" V* H/ [+ [* V
9 l3 w; W) I3 b7 @
当然你也可以物尽其用 把DC Block当Matching组件来用 既然是Matching 那值的决定 就同步骤1 反正你只要串个电容 就可以当DC Block 433 MHz的讯号 不会被DC Block衰减 9 d' ?! ]3 @9 e r* k3 [
7 j1 X. I0 v$ C
: R8 {4 S2 s" k1 |6 h V# E+ V至于C7跟L5 因为你Rx讯号是差分 再比对4463-TCE20C460_sch.pdf的话 这两颗应该是Matching组件 只不过差分的匹配比较难 你就尽可能让Rx走线走短一点 阻抗控制好 不要走内层 如果Switch离Si4463就是很远 那你要在C6前面 多加一组L型Matching # M0 F) v# C' ^: {1 I# Z/ j
然后这个L型Matching跟C6 都要非常靠近Si4463 这样到时候 你Switch到C6的长走线 造成的阻抗偏掉 还可以靠这个L型Matching调回来 同时因为Switch到C6这段 是Single-end的50奥姆 那你就回到步骤1去调Matching就是了 这样的话 只要确保Switch到C6是50奥姆 因为C6离Si4463很近 所以C6到Si4463 阻抗不会偏太多 那L5跟C7 就随便盲调即可 真要放个初始值 那就分别放1pF跟1nH好了 不会影响阻抗 也不会衰减到433 MHz的讯号
' x% N' s- O/ W8 j& @3 x" ^+ g. F8 L9 {7 m4 Q1 ^& T& W( q$ x. H
. T& n) g1 r! b# a( D/ `3 b! {0 c* a
至于L1 那是当RF Choke使用 目的是避免RF讯号 回灌到你的VDD 那你就放个270nH 2 d% |$ }6 H5 F
4 q! @6 Q1 t; M$ S+ y7 S
; m+ y: `2 O( {; t由上图可知 串一个270 nH的电感 对于433MHz 有23.5 dB的衰减 这样对于回灌到VDD的RF讯号 已经有一定衰减量了 同时 270nH电感的自我谐振频率 是586 MHz 换言之 你的433 MHz仍未超过270nH电感的自我谐振频率 所以不会有啥副作用
8 ~" I; ^/ n- O4 p7 P
1 T& z; S/ R9 b4 {# _/ i5 p
- D' [- o. m: u! E7 j$ f- @如果你的电感值过大 其自我谐振频率就低 那么一旦你的433MHz 超过其电感的自我谐振频率 此时对于433MHz而言 这颗电感会呈现电容性 你是在利用他的电容性来砍RF讯号 也就是说 你是把电感当电容使用 或许仍有RFChoke的作用 但这可能会有其他副作用 7 J% }. ]' L" y! v
| 
/1 
发表于 2015-12-31 08:23
QQ好友和群
QQ空间
腾讯微博
腾讯朋友
微信
收藏
支持！
反对！
发表于 2015-12-31 14:18
楼主
