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433MHz射频电路原理图的设计

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发表于 2015-12-31 08:23 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
最近正在用si4463和sx1278做无线模块,但是数据手册以及网上的资料只给了原理图,射频电路中的部分阻容以及电感的值没有给出,希望大神能指点一下该如何来确定这些相关的值。
: X& V  C' Z0 e8 X' K9 t4463-TCE20C460_sch.pdf文件中是Si4463 B0 Class-E Switched +20 dBm matching for 460 MHz的原理图及相关的阻容值,不知道这个和433M的电路有什么差异,该如何更改。
, ]+ {' Y7 {! d% J6 {/ M) |
$ f% U. E# U% }# KSX1278_SCH.pdf是我在网上找到的一个关于sx1278的原理图,不知道这个原理图是否OK以及其中所用到的阻容值以及电感值该如何确定。2 J5 P9 W. U" e3 t4 z6 ^# Y. B2 b
: ~2 y6 T1 Z3 @2 D# T' ?" A2 L% G; X
小弟在这方面属于小白用户,希望大神能指导一下,该如何学习并设计这种电路。
* @- a( W, i, U2 O5 F- s# Y2 R

1.jpg (57.51 KB, 下载次数: 1)

si4463datasheet给出的原理图

si4463datasheet给出的原理图

4463-TCE20C460_sch.pdf

64.96 KB, 下载次数: 37, 下载积分: 威望 -5

si4463 for 460MHz

SX1278_SCH.pdf

258.93 KB, 下载次数: 39, 下载积分: 威望 -5

sx1278原理图

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发表于 2015-12-31 14:18 | 只看该作者
本帖最后由 criterion 于 2015-12-31 14:20 编辑 1 W: Y  f' z1 b% B1 `4 u

7 T& D  N7 G, v- F' R) C. B8 ^
1.    Matching组件的决定  请看以下附件  看简体版的较方便
) v, k- j  O0 W8 ?# R- t

# W; M! B/ O  S1 H
Passive_Impedance_Matching_____.pdf (710.92 KB, 下载次数: 81)

3 x6 Y3 R, l0 `! M! o
2.    DC Block部分  
& X: M; J6 w8 r0 \! ~- o( s. h
如果你不想让该DC Block影响阻抗   那你放个150pF就好
   假设下图Point1是原始阻抗  Point2是串联150pF的阻抗
   可以发现  串个150pF 不会影响阻抗
& a6 D' Q  h7 m
5 @; P& W2 V  s0 J* U3 `
% ]1 D& o7 o( E% L# H# M1 Z
& y+ X' {# Q5 E$ M- }

; t" b/ g1 r2 A6 @
而且串电容   基本上只会砍直流
对你433MHz的讯号  几乎无损耗

( a" x* g0 w) P! B* Z9 R. ~4 ~
( M3 i$ A5 K: {) F. S) J" d

. j& V; n2 |: g& D; W( ]: v8 n0 w$ C% l4 L, i' }
所以4463-TCE20C460_sch.pdf这份文件
DC Block放的是150 pF   

+ |: X  O7 L  f" B7 v
* L# W" t. z8 X2 y
当然你也可以物尽其用   DC BlockMatching组件来用
既然是Matching   那值的决定  就同步骤1
反正你只要串个电容  就可以当DC Block
433 MHz的讯号  不会被DC Block衰减

& s- a2 |5 q; Z+ S; b. ?5 @' y" e) I

4 z, r6 R7 a: _5 L$ w1 Z
) u' D  ^) o& M) e! |% f  |
至于C7L5  因为你Rx讯号是差分
再比对4463-TCE20C460_sch.pdf的话
这两颗应该是Matching组件
只不过差分的匹配比较难  
你就尽可能让Rx走线走短一点  阻抗控制好  不要走内层
如果SwitchSi4463就是很远   那你要在C6前面
多加一组LMatching  

4 }0 d' J2 W( l2 v. K# W6 H- U6 W+ B$ T
然后这个LMatchingC6
都要非常靠近Si4463  这样到时候
SwitchC6的长走线   造成的阻抗偏掉
还可以靠这个LMatching调回来
同时因为SwitchC6这段  Single-end50奥姆
那你就回到步骤1去调Matching就是了
这样的话  只要确保SwitchC650奥姆
因为C6Si4463很近   所以C6Si4463  阻抗不会偏太多
L5C7  就随便盲调即可
真要放个初始值   那就分别放1pF1nH好了
不会影响阻抗   也不会衰减到433 MHz的讯号

" z/ E. r! P/ X9 Z- n2 R
& n; c* r7 v! T2 s  I
: r9 P1 N. T/ a$ Y5 X
至于L1  那是当RF Choke使用
目的是避免RF讯号  回灌到你的VDD
那你就放个270nH
, l2 U+ b$ {6 I" V* o

+ \) P$ P" Y5 Y8 J1 e* }/ W  C. N4 n! ?" o% J2 k
由上图可知  串一个270 nH的电感
对于433MHz  23.5 dB的衰减
这样对于回灌到VDDRF讯号   已经有一定衰减量了
同时  270nH电感的自我谐振频率   586 MHz
换言之  你的433 MHz仍未超过270nH电感的自我谐振频率
所以不会有啥副作用

# _( ^( g7 Q7 A$ [5 g7 Y" N
, Y( ~0 T$ a% t# T3 P" r2 |

- ]: k$ E: ~. O- D3 L' i: D- {
如果你的电感值过大  其自我谐振频率就低
那么一旦你的433MHz  超过其电感的自我谐振频率
此时对于433MHz而言  
这颗电感会呈现电容性  你是在利用他的电容性来砍RF讯号
也就是说  你是把电感当电容使用
或许仍有RFChoke的作用   但这可能会有其他副作用
3 l8 ~: F2 l( Q. u; @! o

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zan  发表于 2016-7-22 09:41
你的文档看起来不错啊!!!!!!111  详情 回复 发表于 2016-1-27 09:00
嗯 赞  详情 回复 发表于 2016-1-1 08:12

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 楼主| 发表于 2015-12-31 09:54 | 只看该作者
liny123 发表于 2015-12-31 08:578 r: w1 x. S6 b9 k1 i* G
传输线上的电感及电容是需用网仪实测看离50ohm的偏差多少再来微调确定的.

  l$ C- H; g' n6 [那也要有一个基本值啊,我第一次焊上去的值该如何确定,还有能举例一下该如何微调吗

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用网络分析仪量下S11,看simth chart 就知道了  详情 回复 发表于 2016-1-26 11:15

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发表于 2015-12-31 08:57 | 只看该作者
传输线上的电感及电容是需用网仪实测看离50ohm的偏差多少再来微调确定的.

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那也要有一个基本值啊,我第一次焊上去的值该如何确定,还有能举例一下该如何微调吗  详情 回复 发表于 2015-12-31 09:54

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发表于 2016-1-1 08:12 | 只看该作者
criterion 发表于 2015-12-31 14:18
9 v; C; @- j: N6 e0 P1 Z1.    Matching组件的决定  请看以下附件  看简体版的较方便

' z5 o. z6 o- ]/ t% g+ g, p! a嗯   赞+ E+ s/ i( P' u4 w1 S4 m% h# u

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 楼主| 发表于 2016-1-20 14:22 | 只看该作者
虽然看不太懂里边的原理,但也有很大的帮助了,谢谢

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发表于 2016-1-20 18:05 | 只看该作者
完全看不懂。。。。

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发表于 2016-1-26 11:15 | 只看该作者
长空飞翔 发表于 2015-12-31 09:54
( `$ w5 m2 R2 S2 z那也要有一个基本值啊,我第一次焊上去的值该如何确定,还有能举例一下该如何微调吗
& g/ n3 i; W: y! x6 a( F
用网络分析仪量下S11,看simth chart 就知道了6 Z4 Q( b, h$ w8 u2 Y

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发表于 2016-1-27 08:46 来自手机 | 只看该作者
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发表于 2016-1-27 09:00 | 只看该作者
criterion 发表于 2015-12-31 14:187 y( z" D5 _8 X; A; ^
1.    Matching组件的决定  请看以下附件  看简体版的较方便

9 [$ p% i7 Q# F% @$ ]你的文档看起来不错啊!!!!!!111
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很不错的资料
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