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Open Drain 硬件结构肤浅的研究【欢迎指出错误】

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发表于 2017-2-25 15:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 傻大个牌纯碱 于 2017-2-25 15:36 编辑 " h' f' `- o1 k( l

' s4 j0 b  a" W* `2 g5 j“鹏哥,I2C接口为什么总是要外接个上拉电阻?”  l  ]) c; B/ z
“它是Open Drain结构。”2 j- }! O# a# [7 a
“哦!牛逼!”+ Q9 J/ T* B, Y

! M7 o0 J2 D: K( s; t1 S. n* f/ A1 D, e% [
我操,谁能告诉我 Open Drain到底是什么鬼?0 c8 Y% ^- S6 |8 V$ Y
Open Drain,翻译过来就是开漏,意思是把MOS管的漏极不连接,悬空。手绘一个:
8 V- H! }! ^1 |# h7 `
; H# ?8 \9 Q8 U& E- V( |开漏,是把上图电路中的Q2的漏极悬空。Q1是用来控制Q2的开关的。4 ]4 }, @" W, g6 [8 e. e/ Z
当CONTROL=Low 时,Q1断开,Q2导通,OUTPUT= 0;
+ G. s4 ]; D! {. H4 [4 A7 E% o: f6 i当CONTROL=High时,Q1导通,Q2断开,OUTPUT处于悬空状态。
9 y- r+ y8 ~2 T所以Open Drain的第一个特点:此结构本身只可以输出低电平(Low)) K9 z! d4 \) [: ?; r2 E

8 b7 L0 S! D' V& K3 O; W如果在OUTPUT端通过一颗电阻R2连接到POWER_1.8V,这种结构就有了输出高电平的能力:: ^( H: H' K4 `6 _
0 k* Z- h/ a2 ~9 E0 L% |
当CONTROL=Low 时,Q1断开,Q2导通,OUTPUT= 0;
9 S6 k8 C8 o! \" a% p1 H当CONTROL=High时,Q1导通,Q2断开,OUTPUT=1。
  r4 i; o' g% SR2的就是常说的上拉电阻,它的取值不是随便的,需要根据OUTPUT上的等效容值来选。在I2C的SPEC中第40页,专门画出了R2和等效容值的关系:
) ^9 f7 w/ f8 y7 n( h1 U' Z7 t
( ^9 a. S7 W7 g  s$ A图中可以看出R2(纵坐标Rp)和等效容值成反比例关系,简单地根据OUTPUT的波形来说:
0 K# Q! S& K# N& ~R2越大,OUTPUT上的上升沿越平缓;R2越小,OUTPUT上的上升沿越陡峭。上升沿的平缓程度就是我们常说的上拉能力。越陡峭,上拉能力就越好  O/ u% h& B6 a: H
需要注意的是,R2越小,功耗就越大。所以,R2要根据实际情况调整:先放一个大的上拉电阻,然后测量OUTPUT的波形,如果上升沿很陡峭,可以
+ o/ F) z! S# S% l' M0 B7 c1 S( ~考虑再放大点;如果上升沿太平缓,那应该放小点了。: ~6 l+ F2 `' S* F5 d/ e
MTK老的平台,I2C的上拉电阻放的是2.2K。新的平台都用4.7K上拉,这也说明了MTK的CPU制作工艺在提高。
3 k# ?' x* v# G8 j; u# P同样,这是 Open Drain 第二个特点:如果要输出高电平,需要外接上拉电阻! [1 t% ]- A1 q$ ^$ R- ]+ i9 K

( F" t+ l3 o3 q将两个 Open Drain 连在一起,只要有一方输出Low,这条OUTPUT就只能是Low了。I2C协议中,如果设备要占用总线,需要输出Low电平,就是这个原理。
( r' j( L' e# K1 m/ L这是 Open Drain 第三个特点:逻辑与,多个Open Drain的漏极接在一起,就相当于“逻辑与”的功能' s* a" R: y0 b7 e' V& j; z' ]

/ M6 W9 [2 W/ b2 j! X) t& sOpen Drain 除了用在I2C上,它还有一个重要的应用:电平转换(Level Shift)/ g$ k# J( P# H- F
在N355上用 Open Drain 结构搭建了一个I2C上3.3V与1.8V的电平转换,如下图:
  |* q9 Z) M, a# J  x* t9 I , d& }4 C. F6 S3 X, N
这个电路很有意思,1个IO电是1.8V的CPU与IO电是3.3V的IC本身是不能接在一起的,但通过这个电路,它们不仅接在一起,还可以进行I2C通信!
' t5 K+ p2 A$ H: U) I1 P9 F5 |) \当理解了这个电路如何进行I2C通信之后,也就理解了电平转换。这个电路在进行I2C通信的时候,有下面四种情况:* g# Q, M: [# i7 o% D
CPU发High电平(1.8V),Q6702/Q6703的Vgs=0(Vg=Vs=1.8V),两个MOS关断,IC端还是High电平;
$ y1 B# s- U: r4 XCPU发Low 电平(0V),Q6702/Q6703的Vgs=1.8V,两个MOS打开,IC端的高电平被拉低;
+ p& N: L& z3 B# b# |! }6 CIC端发High电平(3.3V),Q6702/Q6703的Vgs=0(Vg=Vs=1.8V),两个MOS关断,CPU还是High电平;
# ?3 L. G/ L1 `  P7 ?: eIC端发Low 电平(0V),Vs=1.8V,Vd=0V,MOS管内的二极管导通(MOS管结构所致,S极和D极之间有个PN节,相当于二极管),CPU的高电平被拉低。
3 J% L. W5 y  ^: i' f' @9 W8 z4 f0 q
3 U4 B2 S5 D+ {6 ^6 K5 d  K7 P, W$ T, f! [

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 楼主| 发表于 2017-2-25 15:35 | 只看该作者
欢迎指出错误
alooha 该用户已被删除
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发表于 2017-2-26 08:04 | 只看该作者
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽

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发表于 2017-2-26 14:09 | 只看该作者
不错

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 楼主| 发表于 2017-2-26 20:22 来自手机 | 只看该作者
alooha 发表于 2017-2-26 08:04" c5 h# q, P$ p/ T$ Y9 i9 J
哇!好详细的开漏研究,楼主辛苦了!
$ |5 T1 c/ S" U' H; u7 J
有错误的话请指正哦

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发表于 2017-2-26 21:25 | 只看该作者
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发表于 2017-2-26 21:25 | 只看该作者
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发表于 2017-2-26 21:26 | 只看该作者
好东西

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发表于 2017-2-27 08:56 | 只看该作者
总结的还可以,总线的上升沿时间是R*C常数决定,驱动能力看集成管的参数,外部电阻只是提升驱动能力,理解有误请拍砖!

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Heng,上升沿的时间也是一种驱动能力的体现  详情 回复 发表于 2017-2-27 10:34

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 楼主| 发表于 2017-2-27 10:34 | 只看该作者
HengliangYau 发表于 2017-2-27 08:56
- c4 p5 `9 L% X  x& G2 @1 G/ l1 R总结的还可以,总线的上升沿时间是R*C常数决定,驱动能力看集成管的参数,外部电阻只是提升驱动能力,理解 ...

* _3 Y! N  v' iHeng,上升沿的时间也是一种驱动能力的体现
7 h8 i1 B# B9 V8 G% U: v. h

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发表于 2017-3-4 16:49 | 只看该作者
那个电平转换电路的左边(CPU这边)通常也要加上拉电阻,拉到1.8V,而且P-MOS的S-D之间并一个二极管(稳定可靠)

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那个电平转换电路的左边(CPU这边)通常也要加上拉电阻,拉到1.8V[/backcolor] ——这都被你发现了,是我漏了,其实这个电路还有前端部分,在CPU那端已经上拉了。[/backcolor] 而且P-MOS的S-D之间并一个二极管[/ba  详情 回复 发表于 2017-3-9 16:27

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 楼主| 发表于 2017-3-9 16:27 | 只看该作者
wy_703 发表于 2017-3-4 16:49
9 r1 Z8 G' \0 G5 _: h2 t那个电平转换电路的左边(CPU这边)通常也要加上拉电阻,拉到1.8V,而且P-MOS的S-D之间并一个二极管(稳定 ...
$ E! ~6 J9 F9 W  A- d4 m8 ]
那个电平转换电路的左边(CPU这边)通常也要加上拉电阻,拉到1.8V
& h  @7 o$ H: c1 Z0 g5 B——这都被你发现了,是我漏了,其实这个电路还有前端部分,在CPU那端已经上拉了。& X! F% P- ?/ T& d) ]3 z$ h: ~' C
而且P-MOS的S-D之间并一个二极管
# T5 u/ X+ a1 ?: e——用的是N-MOS
$ x/ S+ c) J7 q" Y

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发表于 2017-4-14 11:29 | 只看该作者
jaky 发表于 2017-2-26 21:25& \5 ~/ o. D" l2 }: d2 ~* D4 _
找PCB工程师合作,可以在此处留言
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发表于 2017-7-15 14:52 | 只看该作者
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