|
|
EDA365欢迎您！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
在实际项目中，我们基本都用增强型mos管，分为N沟道和P沟道两种。) O; y( H3 B: W' T* s
9 q, d" t9 Z8 l: n- e
2 ^9 q! n2 ` i 我们常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。- {- F0 W. D) L
% X, i8 Q2 T7 T8 Z p1 m- a( j
' o: g" } B' A$ V
3 W3 R. r9 e- Z1.导通特性
6 b5 U9 \5 F4 p, _ NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。/ e d, R, d& Y# ?8 g0 H
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
) e) Q [+ j9 K3 G% `) U1 y b
& K) Z9 z1 O( {6 |! w! e& Y0 y2 e; O2 t% b. M2 r
2.MOS开关管损失4 [8 B/ |" ~" m6 k
不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。- n1 [4 ~) H& W+ q" k5 T& Z
MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。
( y' `0 D7 j- n& a1 J3 |4 B 导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。: i6 s y/ T3 W# O
6 [% B$ p: t: Y. U0 U' {
! ^1 V P, |: u8 S: \- x2 f3.MOS管驱动! n; ^1 }0 e1 z' p. T
跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
! X- ~7 t: L8 j 在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。$ t. y% L/ O! ~1 ~2 W. m
第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
0 s: E4 m/ }" v! k# w |
|
/1 
发表于 2016-3-31 17:50
QQ好友和群
QQ空间
腾讯微博
腾讯朋友
微信
收藏
支持！
反对！
楼主
