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去耦电容的放置

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发表于 2015-12-10 22:47 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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       大婶说说去耦电容大电容为什么小电容放在芯片pin的前面,而大电容放在后面。。听人解释说是因为小电容的滤波范伟小,大电容大,请大婶给个关于的电容的资料。。。。。。谢谢分享,,,,
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发表于 2015-12-11 08:03 | 只看该作者
信号综合性分析,好好去理解。不能一概而论

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发表于 2015-12-11 10:34 | 只看该作者
你理解走线也有电感,你就明白了。2 k9 s% a* r7 e2 t3 j- {4 S+ x+ N. o
小电容按照容量,ESR,ESL等参数的综合作用,谐振频率比大电容高(很多,很多,很多),所以走线的电感就要考虑了。线越长,越细,电感越大,对于高频的阻碍就越大。

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发表于 2015-12-11 10:34 | 只看该作者
大电容做储能用,可以适当放远一点,
8 \0 Q% n* W; H# W0 t5 S6 a0 U6 ~滤波电容放远了就没效果了
听党指挥,能打胜仗,作风优良

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发表于 2015-12-11 13:23 | 只看该作者
本帖最后由 kobeismygod 于 2015-12-11 13:24 编辑
& a% L" ]8 X5 c2 p% K' |  y0 E$ n  v3 x/ f; I* a
小电容,容量小,储能少,但是计生参数小,高频特性好,相应速度快
' f! T0 u* Y- f0 w* U大电容,容量大,储能多,但是计生参数大,低频特性好,相应速度慢。+ O. b  {, n9 y1 P2 ^# Z1 F

. H+ y4 _4 H; u6 O- L1 y

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发表于 2015-12-11 14:21 | 只看该作者
1;滤除的对象在哪端? 2 ; 要考虑 电容的滤波半径;

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发表于 2015-12-12 09:23 | 只看该作者
看到这个,我突然想到一个极限的方法去想这个问题,小电容一般是滤波高频噪声,如果你放在驱动端,经过很长一段走线之后,在走线过程中有可能又串进来噪声,到了芯片,自然就一起进去了,所以效果就很差,如果在接收端加小电容,效果应该就比较好了。大电容可以有两个作用,一是滤低频,二是储能,滤低频的话其实我感觉在 源端,中间,接收端都影响不会太大,储能的话当然越近越好,个人见解,不对请指正。

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发表于 2015-12-12 10:54 | 只看该作者
芯片工作时,瞬间电流需求都是高频的,高频电流环路面积/阻抗(主要是感抗)要尽量做小,其次才考虑低频,这是一个方面。另一个方面,小电容在高频时的impedance,ESR,ESL一般都比大电容小得多,如果这时把电容看作电源的话,小电容的电源内阻就比大电容的电源内阻小得多。综合这两方面考虑,就应该把小电容放到大电容的前面,使它更靠近芯片供电管脚。

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发表于 2015-12-14 18:29 | 只看该作者
去百度几个名词:去耦半径、电容ESR\ESL、自谐振频率等等
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