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在周五股市大红的背景下,攻城狮们迎来了又一次难得的上课机会。双喜临门。% d; u( o, ?" }: I
今天终于RP爆发了。到了培训室的时候,居然还有大把空位!我和我的XXX都惊呆了!然后阿杜就带着签到表来到了面前。赶紧就签个名,霸了一个位。出师顺利!/ l9 k# F1 R$ ~: q
这次的内容基本上是DDR专题。* f+ c$ a+ u: a+ Y
首先介绍了本次课件的HDTV的CPU、板子整体布局情况以及叠层设计等。5 e, u. |6 P8 u* Y
课件为10层板。由于板子需要EMC认证,所以板子的外层不走DDR等高速线。这样内层的布线层就捉襟见肘了。摆在面前有两条路:1.加层。2.牺牲平面层,换成走线层。性能与成本权衡折中。& r6 `4 T- c2 i3 }& B# @; r
凡是地球人的老板都不会同意加层。做生意,成本很重要。除非那种土豪的军企就不差钱。+ [- a! P; r: q i
插播一个软件知识。曼哈顿距离是指两个直角边的长度。一直有听说这个名词。但是实际意思只有19号才明白了。2 {( A0 C( b( y* A" J3 @
接着就是DDR专题了。对于DDR3来说,T型拓扑好?还是fly-by拓扑好?没有大数据支撑是不行的。
4 ~+ K% h' G4 k8 h" i$ U, E 随后阿杜找了一个DDR3用了T型拓扑的板子。用Cadence自带的仿真工具查看眼图。眼图张开小。接着换了一个DDR3用了fly-by拓扑的板子。还是用Cadence自带的仿真工具查看眼图。这次眼图张开就比较大了。比较一下,明摆着就是fly-by拓扑的信号质量好。) P1 `. Y% v/ s! `" H+ D* c
还有一些DDR的知识点统一列举如下:
, _$ a0 i8 w! a2 n: w0 H! |& b 1.DDR3芯片内部集成数据线匹配终结技术ODT,无需外部匹配端接。请注意,地址线、命令线依然需要外部匹配端接。! U" U/ u! I$ b2 H
2.DDR1,DDR2,DDR3的特点比较。可以利用其电源电压的不同来判断属于哪一种DDR。如:DDR3是1.5V。当然低电压的DDR就另算了。5 g. g* F9 G. S
3.如果主控IC支持读写平衡技术(write leveling),DQS与时钟线一般就无等长误差要求。不过还是以layout guide或者datasheet的说明为准。8 C5 d! G$ [, K+ {7 Z4 Y
4.DDR的VREF线不能太细,至少15mil,以降低压降损失。走线尽量短,防止受干扰。VREF线属于电压敏感型,操作时注意电压衰减。. M6 V- j0 B. L/ M/ C9 \0 J% y
中途正入迷的时候,阿杜突然打开一个SKILL。大大的“抽奖程序SKILL”几个字亮瞎了我们。这绝对是本次培训最大的亮点!难道这次我有机会抽个iPad?或者iphone也行。难道这次要打破我任何时候都抽不到奖的历史神话?' O% j1 i; T3 w
后来阿杜说了,这是skill的Rock版主特别地为EDA365贡献的一个喜闻乐见的人见人爱的skill。不鼓掌简直说不过去啊!几十双手以高频率宽振幅发出了悦耳的掌声。每次抽一个,每人一个特制小礼物。第一轮抽奖完毕。, _$ W o; B m; P( i9 y
然后就是说电源了。电源的重要性就不多说了。重点说了采样电路。有例子说明,一个图就是一个真理!在简单开关电源电路中,输入地与输出地最后共地,直接连起来,使输入回路和输出回路的面积最小。* Z4 w& Y0 C* C+ E4 G* r
第二轮抽奖开始。这次的奖品绝对影响空前,是jimmy版主赞助了编写的三本书。价值连城。其中两本都被第一排的妹子拿走了。祝妹子学有所成!第二轮抽奖完毕。第三轮抽奖就坐等下次了。
7 H1 x+ |2 d O 后来就是说接口电路了。机壳地与板内地不应直接相连,最后加磁珠或者高压电容再连接。高压电容必须耐压2000V以上。其他的知识点比较琐碎,这里就不啰嗦了。) d4 v9 W% n& t% j
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