为什么LDO的输出接钽电容效果最好？

lcy · 发表于 2013-9-27 16:45

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稳定性考虑，什么是“Cap Free”技术？

lcy · 发表于 2013-9-27 17:02

自我回复：因为对传统的晶体管型的LDO由于其输出阻抗高，需要利用某些电容特定的ESR和电容值为LDO进行补偿，而钽电容数ohm的ESR正好满足这样的需求，这就成为其实一个好电容的原因之一。

上图是传统LDO的反馈回路的环路增益曲线，由于输出电阻较大，与负载电容作用后会产生一个低频极点P1，这个低频极点带来的附加相移使得反馈回路不稳定。

而用外部钽电容补偿后，由于钽电容拥有较高的ESR（如1ohm），使得环路曲线中出现一个16KHz的零点，这个零点带来的反相相移在环路增益将为1之前抵消掉低频极点带来的附加相移，使得反馈回路稳定。
同样的，由于MOS管的LDO具有非常好的稳定性，再辅以一些内部优化，在TI的一些LDO对输出电容不再有特定的ESR要求，我们称之为“Cap Free”技术，这意味着任何类型的电容都可以被利用，这大大降低了成本和设计难度。

sxd1984 · 发表于 2013-9-29 13:57

学习！！！！！！！！！！！！！

rogetxu · 发表于 2013-9-29 14:38

只要是低ESR的电容效果多不错，如NPO,X5R...
同一级的供应商而言，Micrel 的LDO性能更好。 TI 不比Micrel便宜。

bingshuihuo · 发表于 2014-6-13 08:40

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