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NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
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! O) x5 z& P6 I. d8 \* H8 u 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
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NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。* j7 Q0 P" g* [5 Y
. _5 _ S& H% ~" XNOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
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\% T: o' |/ x2 z& f NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
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性能比较/ ~6 {. t0 G0 A' \, P- R
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flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。1 L; Q$ f- Z0 h9 m
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由于擦除NOR器件时是以6?～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。+ t, a: S" V4 o: o4 a7 X0 ]
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执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。" k; s8 ` ~3 j& o
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● NOR的读速度比NAND稍快一些。
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0 d. i( f, T1 B% r ● NAND的写入速度比NOR快很多。% X% D. \, ?! [; m. x: s% V
# l- E6 K, p' ~. E7 q1 H3 Q ● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
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" j+ S$ q$ j. R2 F) C$ O5 N" g: \ ● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。2 e3 x% B! N9 k; u' |- o: P
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● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
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接口差别
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: N- \9 r( J9 `7 h! ^5 u; Z0 G NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
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NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。4 L" h& e- U# l/ Z; q: F! }. i% H
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NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
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容量和成本
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" K* g9 r* ~0 o+ I; F* p: { NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。
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NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。
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可靠性和耐用性: e% |; r( v: R( v
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采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。0 Z0 ^2 C- R! A9 r0 U' ^
8 [9 {. j6 L" k2 l1 |4 T 寿命(耐用性)
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M+ B: o6 y3 j4 V; b" `! ` 在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。0 b* r+ O4 a6 v3 Q' a8 n2 k% o
5 ]% y* k2 Y, c5 T$ \$ u 位交换
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所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。
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一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。5 n0 U B I# n m
8 u7 G8 _% G! u0 P( d& l" _, ? 当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。, b0 ], b/ C& f, \, v0 P$ I
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这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。
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% T1 n2 s6 x0 C( s) n# X/ B1 C 坏块处理/ A+ F w/ P6 ]/ L0 s0 Z
4 X _( A6 u. |+ Z8 i4 e NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。* S4 v3 F2 g3 @1 G
8 k# K1 _% d* @2 A G. ^ NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。
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易于使用# U& R& e& a; }% R" @( Q' {
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可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。
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) H3 U& }1 R: ], f* W5 P 由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。
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在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏
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, n/ g$ q7 B- f6 V块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。2 D% \2 }7 M" U$ `# |( I/ u4 F5 V! y
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% T$ Y7 M( U( i* W软件支持
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4 G( `( X; Q+ W- @+ O 当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。
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! ~9 M" J. S( ]2 s3 D 在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。0 \; i O& A$ d3 g% v! t
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使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。& ~0 Y# c4 F1 A2 s& E" f( p
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驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。; ?. f2 z5 i8 g( k- k
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发表于 2011-12-26 09:31
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发表于 2014-9-15 15:21
