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[Ansys仿真] SIWAVE 仿真遇到的疑惑

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发表于 2010-2-25 16:45 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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我在对一块8层PCB 上的一组微带线进行S参数的仿真,发现与实际网分的测试结果相差较大,线宽,叠层和材质都是按照PCB板厂提供的设置的,而且有两根射频线的插损和回损完全与测试结果相反,不知道什么原因。另外板上过孔在仿真过程中怎样设置。请哪位高人指点一下。
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发表于 2010-2-25 21:08 | 只看该作者
首先你说的仿真与测试结果有很大差异- d) M9 D5 d. v4 n& O: W+ e
Siwave进行微带线的S参数提取,得到SnP文件
# r* p' U, O1 I( T: z但是你的测试环境是怎么样的呢?
+ N* S- j4 n, J0 U用VNA么,微带线端口有SMA接口么?1 e. H  p; W/ J2 L! E2 ~5 C

. S4 V$ a, R2 j不介意的话# A  ?. F" B* f6 G3 u$ A+ o( v
把插入损耗和回报损耗的测试波形发上来看看就明白了1 v) q9 i" _5 f5 b( [
完全相反倒不会
不問可不可行,而問如果一定要做,該怎麼做

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发表于 2010-2-26 10:14 | 只看该作者
应该是科学可以解决的问题!

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发表于 2010-2-26 23:12 | 只看该作者
我會比較相信网分的测试结果。
, X- o6 |$ M# R8 j3 C% Q, K5 t* ^且有两根射频线的插损和回损完全与测试结果相反 ==> 會不會是 Port 看錯或設錯?
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