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其实你可以打开一个ibis模型
) C N) i S% g. p7 M查看一个IO buffer的[Ramp]波形$ n( b' \& L2 \1 l% T- T2 |) `+ B
你会发现有三个波形,对应这里的Typ、min、max
U ]7 w; Z6 \$ s+ Y& G它的dV值是不同的,因为三根曲线的幅值就不同
! T9 M" f2 C2 x所以它的20%~80%电压就不同
- g7 Q7 ]/ w! H当然三根曲线的斜率也不同9 u; j( ^7 F. `! i9 _
袁荣盛 发表于 2009-7-7 12:43 ) E# l2 a7 [, \+ t, T7 \8 k
谢谢这位兄弟,我对这个参数是这样理解,不知对不对- }; g0 [* R, S0 C1 {. h
从[Ramp]参数可以得到四个信息:tr(20%-80%);压摆率;输出电压稳态值;buffer的输出阻抗信息。
* S& x) ~ V# Q' F; o1 Qbuffer输出电压的稳态值等于输出阻抗和50ohm的分压,因为typ、min、max情况下的输出阻抗的不同,因此稳态值也不同,从而dV=(20%-80%)*稳态值也不同。. z/ Q6 z3 L9 Q% P7 n- d
这里的稳态值就是iBIS spec中的 Voltage swing。
4 D4 @7 O+ D3 i$ B& u7 B
/ T o7 [1 N% a3 I% \ s4 @下面是IBIS spec中[Ramp]的说明,
% y7 y8 I4 E8 h4 P7 c+ c. ~( {9 b7 y; n8 j" ^
Keyword: [Ramp]$ r t9 e6 D6 s. m) _5 b
=======================================================' k" p7 l2 ?# X. `: H& j1 V" W# ]
| Required: Yes, except for inputs, terminators, Series and Series_switch
" F$ Y, ?, q% w$ F& w% v G) K| model types
) m6 e6 p+ `8 k* [) T( b8 X| Description: Defines the rise and fall times of a buffer. The ramp rate
3 }6 n- S# |5 q+ k R. t. ~| does not include packaging but does include the effects of the6 s% _" E3 C1 l0 E
| C_comp or C_comp_* parameters.; }/ I. a/ i% Z- e, j
| Sub-Params: dV/dt_r, dV/dt_f, R_load/ l+ e4 h# x( Q' D, e6 ?
| Usage Rules: The rise and fall time is defined as the time it takes the5 V, Z2 `. c( ]2 H8 b5 h5 ^# |
| output to go from 20% to 80% of its final value. The ramp
9 Z! b z: w; v* s) U5 A4 V| rate is defined as:9 t1 T1 j2 V3 A6 I
| v+ M* W4 f6 u- W4 C
| dV 20% to 80% voltage swing
& D$ @3 q( v7 h+ g| -- = ----------------------------------------
! T, ^6 q v, h' |3 f# m| dt Time it takes to swing the above voltage |
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