[射频] GaN射频应用选型问题

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1我需要3-6GHz频段内的1W输出功率，氮化镓器件是最好的选择吗？6 R- ~/ [( j" S0 ?3 i2 J, h7 f! p$ d
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9 t1 T7 _) i' c" F# @/ J氮化镓器件设计用来满足20GHz以内频段的高功率放大器应用。对于6V、9V或着12V电压下工作的输出功率1.5W范围以内的应用来说，我们提供的100mm砷化镓超晶格高电子迁移率晶体管是最好和最经济的选择。
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2我正为无线基站应用挑选具备更好线性性能的器件。按照我的理解，氮化镓器件总体要比砷化镓器件具备更好的线性性能，是这样吗？& I. ]8 g( Q. O' E* u* M
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总体来说，是这样的。
. f& T( u: M5 D4 a举个例子：拿0.25um氮化镓器件与相同边缘尺寸的场效应管（例如0.25um的超晶格高电子迁移率晶体管）相比，氮化镓器件相比砷化镓器件具备更高的截断点—请告诉我们您为您的应用如何定义“线性”。例如具体的负载情况和静态电流情况。这样我们就能为您提供最佳的选择。
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3我需要高于30%的附加功率效率。我们一般使用LDMOS射频晶体管实现。据我所知，氮化镓器件的附加功率效率表现超乎寻常。请问哪个才是最好的选择呢？- t7 c7 Y! e* ^6 X1 i
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: |: i' e) L) i9 t, q7 }在规格相近的情况下，氮化镓的附加功率效率表现要比砷化镓好一些。可达50%甚至更多。如果宽带特性也如同高附加功率效率那样对您的基站或着其他应用很有帮助，建议您考虑PowerBand系列产品，其可在2GHz或更宽频带内提供45%到50%的附加功率效率性能。基于氮化镓工艺的PowerBand器件在2009年下半年投入市场。您对您具体的性能需求了解越多，我们就能越早为您提供正确的工序流程。
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4Qorvo参与竞争低频高功率氮化镓器件市场吗？
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% i% L' w+ [  {; R7 G) v0 V/ J; _6 g3 WQorvo重视高频高功率氮化镓市场，氮化镓器件典型的性能优势在于高功率和高频率，这使诸多应用受益。我们也提供卓越的低频低功率产品，例如业界最丰富的砷化镓工艺流程和标准器件。
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