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1月31日上午消息，固态技术协会（JEDEC）发布了Universal Flash Storage (UFS&UFSHCI，通用闪存存储) v3.0标准（JESD220D、JESD223D），和UFS存储卡v1.1标准（JESD220-2A）。; `7 R D- R5 p$ L
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简单来说，UFS 3.0引入了HS-G4规范，单通道带宽提升到11.6Gbps，是HS-G3（UFS 2.1）性能的2倍。+ X8 {. y" t% y# P' P; a
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4 \# L1 a+ E0 l( s由于UFS的最大优势就是双通道双向读写，所以接口带宽最高23.2Gbps，也就是2.9GB/s。: Y7 r, \) M3 ~. f6 {$ T
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互联层设计方面，严格遵守MIPI（移动产业处理器接口）的规范协议，其中物理层依据MIPI M-PHY v4.1，传输层依据MIPI UniProSM v1.8。/ H2 F# z0 n" v# ~" d4 z, ^0 k
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" k, b0 o. A5 u' I* b其它方面，UFS 3.0支持的分区增多（UFS 2.1是8个），纠错性能提升，电压2.5V，支持最新的NAND Flash闪存介质。面向工业领域如汽车自动驾驶，工作温度零下40摄氏度到高温105摄氏度。% d. k9 S& o1 k
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2 a k* k3 B" }' \: q; c至于UFSHCI v3.0规范则面向主控厂商参考，用于简化通行设计。/ w0 m, @1 A# Z) p8 E, w8 {. t0 O
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至于UFS存储卡v1.1，则实现了对HS-Gear1/2/3的全部兼容，这样存储速度就达到最高1.5GB/s。
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另外，三星已经宣布，将在2018年第一季首发推出UFS 3.0接口的产品。由于骁龙845、Exynos 9810等尚无证据支持UFS 3.0接口，所以是否对应Galaxy S9终端或者仅仅是主控、闪存这类零部件，暂不得而知。 | 
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发表于 2019-9-27 15:10
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