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(来源:EETOP BBS 作者:sun_ic)
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众所周知,电感是储存电流的器件。通过电感的电流变化,会产生反电动势(与电流变化的方向相反)试图阻止电流的变化:V = -L dI/dt。就这一点会造成诸多灾难!电感对于RF的设计是必不可少,但对于大多数电路设计者来讲,我们宁愿世界上不存在电感这个元件。为什么这么说呢,我们来看看电感的本性以及在不同电路中的表现。# U8 ^5 J' |; f1 q
电感因为有电抗,顾名思义是具有反抗性的元件 。虽然它是储存电流的元件,但它的倔强性在于并不情愿这么做。这跟小孩子的逆反心理如出一辙: 如果你想给我注入电流我就会产生一个反电动势阻止你继续注入。如果你停止我的电流流动,或者试图减小我的电流流动,我也产生一个反抗电势给你点颜色看看。' y5 B5 x; i, v
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. Q" _- J6 D! s! l( v) M( b Fig 1. 电感充电模型0 C, _! O: K5 _+ ?
5 i2 ]' g/ x7 L8 N# m如Fig.1所示,我们用一个螺旋的水管和一个水箱来解释电感的工作原理。牛顿力学虽然不及量子力学那么先进,但在宏观近似模型的描述上是非常直观和有效的。当水箱产生一个压力V将水注入螺旋水管时,水流I和其流速dI/dt增加的方向是朝右所示。任何作用力都会产生反作用力,在水管的注入处一个反作用力Vr也作用到水箱,根据开始的公式其方向是朝左与dI/dt相反。这个Vr就是电感产生的反电动势,其极性如图所示。# }% j4 q( W8 S4 g' p" K
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# V L c4 y0 | Fig 2. 电感电流突变模型* K" |3 F' e1 l% C0 I% |- {
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5 D5 @2 {! h, B! lFig.2 所示的是当水管的右端突然被截住,比如你用手堵住图示的A处,相当于外部施加压力试图阻止水流的增加。很自然你会感觉的到有个很大的水压Vr,这是螺旋水管试图对抗外部这种阻力。因为水流朝右的方向减小,也就是说I和dI/dt的方向是朝左的,根据一开始的公式,反抗的压力就是朝右的。Vr极性如图所示。
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简而言之,螺旋水管的特性就是:有压力试图快速注入水流时,它就产生一个反压力对抗这种注入。当有外力试图阻止其水流流出时,它也产生一个反压力对抗这种阻止。这个特性完美的反应在了电感在电路中的作用。
4 Z1 e u0 `( [/ z" a0 P先说一个三极管控制继电器的电路,虽然大家都知道怎么设计和其原理,但不见得理解的这么透彻。这个电路会很好的解释电感器件的原理,以及带来的麻烦。深入理解这个电路,对电感带来的其它危害也比较容易分析。' i/ T# S a3 Y/ a9 [7 v' w
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Fig.3 继电器保护电路1 x9 E* j7 b5 H2 |9 }! C
, w* v( D' B% v9 f/ z当电路中的FET从导通到关断时,三极管试图阻止线圈中的电流流动,使得继电器驱动线圈中的电流突然变为“0”(当然不是绝对的变为0,由控制信号的边沿和电路中各元件的漏电流决定)。由于由于这个突变,根据一开始的公式,以下情况发生了:* P% p( H$ X6 C* u
! X4 b, a: t) |8 U* Q, |: p# C) h1. 从电源流过coil到FET的电流减小,因为FET关断企图阻止coil中电流流出,于是在FET的Drain端产生一个反电动势要阻止这个减小的趋势。所以在Drain会观察到一个很大的上冲电压。储能元件不是一般的元件,它们颇有骨气!我存储的电流已经满负荷,需要电流流出。你要阻止想憋死我,憋急了我就要产生大的电动势反抗!2 j0 ?6 I B% T/ B& S7 Y
2. 这个电流突变产生的反电动势会把Drain 的电压抬的很高。高到有可能击穿FET的程度。线圈的电感L越大,关断的越快(dI/dt)这个击穿电压越高(V=-LdI/dt)。
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0 O6 k! C; P( |" u. j+ x怎么解决这个问题?一个明显的方案就是当FET关断了coil的电流通路后,再给它提供另一个电流通路。这就是加了一个二极管通路的原因。二极管应该选用什么参数主要考虑以下一点: 二极管的正向电流应该能承受电感的泄放电流。这个电流最大值由电源电压和线圈的内阻决定。如果电感线圈的反电动势小于FET的击穿电压,不加二极管也可以。但一个很高电压过充容易对电源或者其它元件电路造成串扰。, p7 {8 q" ]/ A( `* a; A9 e
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其实在继电器打开时也产生反电动势,这个反电动势会拉低FET-Drain端的电压,有时会拉到一个负值。但一般FET内部有个反向二极管可以起到保护作用。
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电感造成破坏的例子在俗称ground bouncing的情形也存在。IC的管脚都有寄生电感和电容。对于大宽度(dI很大)的快速(dt很小) 总线,当总线上有很多1变为0时,负载侧寄生电容上的电流放电,流过地线管脚上寄生电感产生反电动势,从而抬高了管脚的电压使得0有可能变成1.具体的原理和解决方法参见漫谈26。早年本人在参与一个大容量交换机开发时就碰到这个问题。其表现形式是随机的报文处理没问题。全1后边跟着全0的报文就容易出错。这是ground bouncing的典型例子。! V& z% d& x8 ^: o `
: k3 ?, E' y7 ]+ L6 j3 r$ n+ m3 s高速电路的PCB设计减小寄生电感更显得重要。在漫谈12中聊过高频喜欢低电感。减小PCB走线电感的最重要的一点是尽量少的使用连接器和过孔。别小看过孔的设计,它是一个很容易免费得到的提高电路性能的方法。其原因是过孔除了由于每层的PAD引起的寄生电容外,还有过孔产生的寄生电感,除了去掉中间层不需要的Pad以减小寄生电容外(一般EDA工具都有这个指令),减小过孔stub的影响是一个重要的PCB设计技术。这里谈论一下可以考虑的两种设计技术。$ g$ T% ?: i$ m
8 \1 v) h9 C4 r6 v% z0 V1 l& O下图中高速信号线走在第二层,如果把耦合电容加到Top层的话,就会在L2-L6有一个比较大的stub,这时只把电容放到底层,就可以显著减小stub的影响。右边图示的这种过孔又叫Through Via,如果过孔不能避免时尽量用这种9 A9 H) |6 q2 {
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0 a! @/ ^; }5 v/ Z/ ~Fig 4:合理的placement减小Via Stub的影响
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高速信号设计另一个常用的方法是counter boring或者叫back drill。即把Via Stub再打一次盲孔将其消除,如下图所示
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" C) j- ]* h7 e& u4 }( ]0 nFig 5:Back drill减小Via Stub的影响
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4 l( l( O! m* v/ d6 B/ X; b总之在PCB布线时,对于高速信号要特别注意:最好是布在同一层,比如BGA封装的都在顶层或底层走线,这样避免了Via。实在不行就尽量用Through Via,或者back drill后把Via Stub 的效果影响减到最小。 以上两种技术本人在设计中都用过。本世纪初设计一个高速网络设备时,背板有1000多对3Gbps的差分线最长的要走40英寸(近1米)以上,穷尽了当时的一切技术包括这里谈到的Via处理,最后才达到。8 d8 M* Q. {3 t7 `% n
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世上的事情都是这样,没有绝对的坏也没有绝对好。早期电感的发明是为了利用其特性实现震荡,选频,滤波等等。但无所不在的电感也在不需要它的地方,带来了很多危害。兴利除害,是我们电路设计者的职责。
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不管怎的,本人不喜欢电感。能不用尽量不用。但心中始终有它,尤其在高速电路设计中要时刻想着它。 |
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