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[硬件] 电源8——电源完整性设计3

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发表于 2019-9-27 15:08 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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5.实际电容的特性
2 @! a5 S% O: V正确使用电容进行电源退耦,必须了解实际电容的频率特性。理想电容器在实际中是不存在的,这就是为什么经常听到“电容不仅仅是电容”的原因。8 }  @$ O8 g; n- n# k! ], x
实际的电容器总会存在一些寄生参数,这些寄生参数在低频时表现不明显,但是高频情况下,其重要性可能会超过容值本身。图4是实际电容器的SPICE模型,图中,ESR代表等效串联电阻,ESL代表等效串联电感或寄生电感,C为理想电容。
" s6 y* L  o/ |3 B9 W* b3 E" `: c, l/ l9 j1 a) p! n% R2 V  P+ R
5 {) R/ h! N7 B
电容模型
5 }4 V* |: d9 M4 T& E* r
等效串联电感(寄生电感)无法消除,只要存在引线,就会有寄生电感。这从磁场能量变化的角度可以很容易理解,电流发生变化时,磁场能量发生变化,但是不可能发生能量跃变,表现出电感特性。寄生电感会延缓电容电流的变化,电感越大,电容充放电阻抗就越大,反应时间就越长。等效串联电阻也不可消除的,很简单,因为制作电容的材料不是超导体。
5 v( r, ]% ?$ Z讨论实际电容特性之前,首先介绍谐振的概念。对于图4的电容模型,其复阻抗为:
5 Q! d4 t5 Z( H3 _  h6 d' Z: T2 `0 Q% h* j  J4 D' [  L/ Q9 k
  自谐振频率点是区分电容是容性还是感性的分界点,高于谐振频率时,“电容不再是电容”,因此退耦作用将下降。因此,实际电容器都有一定的工作频率范围,只有在其工作频率范围内,电容才具有很好的退耦作用,使用电容进行电源退耦时要特别关注这一点。寄生电感(等效串联电感)是电容器在高于自谐振频率点之后退耦功能被消弱的根本原因。图5显示了一个实际的0805封装0.1uF陶瓷电容,其阻抗随频率变化的曲线。- ]% D' _. @4 y' w' F9 E9 e

4 ]9 f( T3 Y- G) m! n; m1 S' n% O8 y5 Y5 j( ]7 S: F5 @
电容阻抗特性
% d9 {3 \/ C+ n3 ?, v$ t# T电容的自谐振频率值和它的电容值及等效串联电感值有关,使用时可查看器件手册,了解该项参数,确定电容的有效频率范围。下面列出了AVX生产的陶瓷电容不同封装的各项参数值。7 r* L* v8 j8 D6 S- H
封装     ESL(nH)    ESR(欧姆)
; @) v! U/ |. [/ \7 x* D& j7 y0402     0.4           0.06 . y: H0 Q* U) O$ }' ~
0603     0.5           0.098
: C* s/ [4 I7 c1 n# z: q5 N0805     0.6           0.079
' C+ ~) }$ V: N# i# H1206     1             0.12
) b% E3 V, i2 |2 P1210     0.9           0.124 E  @  k& M/ H/ C# M
1812     1.4           0.2037 q# Q1 j7 U. T4 Q3 Y0 P# a9 g
2220     1.6           0.285
% k& k+ ^# Z* t7 J5 [( X电容的等效串联电感和生产工艺和封装尺寸有关,同一个厂家的同种封装尺寸的电容,其等效串联电感基本相同。通常小封装的电容等效串联电感更低,宽体封装的电容比窄体封装的电容有更低的等效串联电感。* N* q* ?6 y) w
既然电容可以看成RLC串联电路,因此也会存在品质因数,即Q值,这也是在使用电容时的一个重要参数。
! _$ S* x2 t) \# E! g$ S% {电路在谐振时容抗等于感抗,所以电容和电感上两端的电压有效值必然相等,电容上的电压有效值UC=I*1/ωC=U/ωCR=QU,品质因数Q=1/ωCR,这里I是电路的总电流。电感上的电压有效值UL=ωLI=ωL*U/R=QU,品质因数Q=ωL/R。因为:UC=UL 所以Q=1/ωCR=ωL/R。电容上的电压与外加信号电压U之比UC/U=(I*1/ωC)/RI=1/ωCR=Q。电感上的电压与外加信号电压U之比UL/U=ωLI/RI=ωL/R=Q。从上面分析可见,电路的品质因数越高,电感或电容上的电压比外加电压越高。7 Y- M6 f6 C2 O5 H

( q$ w& c2 W8 z2 Z* M8 p

0 [" y2 J" ~0 o4 N6 Z6 y
Q值的影响

. f) c: U7 P. l; z0 F6 JQ值影响电路的频率选择性。当电路处于谐振频率时,有最大的电流,偏离谐振频率时总电流减小。我们用I/I0表示通过电容的电流与谐振电流的比值,即相对变化率。 表示频率偏离谐振频率程度。图6显示了I/I0与 关系曲线。这里有三条曲线,对应三个不同的Q值,其中有Q1>Q2>Q3。从图中可看出当外加信号频率ω偏离电路的谐振频率ω0时,I/I0均小于1。Q值越高在一定的频偏下电流下降得越快,其谐振曲线越尖锐。也就是说电路的选择性是由电路的品质因素Q所决定的,Q值越高选择性越好。
5 Z$ L# S3 @2 q2 R在电路板上会放置一些大的电容,通常是坦电容或电解电容。这类电容有很低的ESL,但是ESR很高,因此Q值很低,具有很宽的有效频率范围,非常适合板级电源滤波。
7 E1 K! v: O9 u* L$ m* \2 P 4 Z0 U7 |# ^0 w# z) l/ T* M6 U
, L: Q0 |0 i. ~8 Z) D
6.电容的安装谐振频率# e0 D% H: s7 ]  t. |
上一节介绍的是电容自身的参数,当电容安装到电路板上后,还会引入额外的寄生参数,从而引起谐振频率的偏移。充分理解电容的自谐振频率和安装谐振频率非常重要,在计算系统参数时,实际使用的是安装谐振频率,而不是自谐振频率,因为我们关注的是电容安装到电路板上之后的表现。$ I6 G0 Q7 ~$ v: W
电容在电路板上的安装通常包括一小段从焊盘拉出的引出线,两个或更多的过孔。我们知道,不论引线还是过孔都存在寄生电感。寄生电感是我们主要关注的重要参数,因为它对电容的特性影响最大。电容安装后,可以对其周围一小片区域有效去耦,这涉及到去耦半径问题,本文后面还要详细讲述。现在我们考察这样一种情况,电容要对距离它2厘米处的一点去耦,这时寄生电感包括哪几部分。首先,电容自身存在寄生电感。从电容到达需要去耦区域的路径上包括焊盘、一小段引出线、过孔、2厘米长的电源及地平面,这几个部分都存在寄生电感。相比较而言,过孔的寄生电感较大。可以用公式近似计算一个过孔的寄生电感有多大。公式为5 t; ?0 D1 S: ?7 P$ i
# \3 e0 r" k9 H# U+ f

. r' K; Q8 y" S, \  r' |( g其中:L是过孔的寄生电感,单位是nH。h为过孔的长度,和板厚有关,单位是英寸。d为过孔的直径,单位是英寸。下面就计算一个常见的过孔的寄生电感,看看有多大,以便有一个感性认识。设过孔的长度为63mil(对应电路板的厚度1.6毫米,这一厚度的电路板很常见),过孔直径8mil,根据上面公式得:
4 U5 N" q6 o' k0 G
4 C) V" d: ]; `5 q2 S/ W$ ~9 R2 F7 ?* G! K$ C# e
这一寄生电感比很多小封装电容自身的寄生电感要大,必须考虑它的影响。过孔的直径越大,寄生电感越小。过孔长度越长,电感越大。下面我们就以一个0805封装0.01uF电容为例,计算安装前后谐振频率的变化。参数如下:容值:C=0.01uF。电容自身等效串联电感:ESL=0.6 nH。安装后增加的寄生电感:Lmount=1.5nH。3 s) L, Q( S. V7 V2 U
电容的自谐振频率:
' B. ~& x2 }3 ]2 z# N* J) l1 I) o$ y- C: d- |+ \% y/ Z) Z

7 Y4 _) R( q/ S
; q+ u: g. U  z- m& C6 ~9 s- o可见,安装后电容的谐振频率发生了很大的偏移,使得小电容的高频去耦特性被消弱。在进行电路参数设计时,应以这个安装后的谐振频率计算,因为这才是电容在电路板上的实际表现。) g1 L: G0 @7 k
安装电感对电容的去耦特性产生很大影响,应尽量减小。实际上,如何最大程度的减小安装后的寄生电感,是一个非常重要的问题,本文后面还要专门讨论。
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