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*3 N& s5 ^4 d8 g! O0 Q1 ]' `
*******************************************+ D( z5 d# i% f4 b+ _! ?
*: b& }7 a# R! S' p, I9 z
*PMEG3050EP
/ z$ c0 q& V+ r3 y*
6 c, ^3 m* L6 H# @* [5 r*NXP Semiconductors
1 Y& R5 {9 y; R7 _8 T C' m! R*
' f( p Q( {% ^, J9 a*MEGA Schottky barrier rectifiers
+ A5 {2 }( z- t& z% M5 ]*5 \! `; o- B }7 |
*& k4 m) T4 t' C# b7 M- o5 m8 Q
*7 @+ r8 t g& Y* ^" Z3 ^4 v4 M
*
: z; [# ^- H2 b& P- g$ E% p*IFSM = 70A @ tp = 8ms
! G! m1 `0 y2 m' q, {( |4 R+ S*VF = 360mV @ IF = 5A7 k6 g" F! M6 b" R3 X
*
5 S/ s$ t( c+ r*
: H9 ?0 `1 W1 {- o+ T3 U' V- C*
4 X8 f1 t( _) k, b( w*
9 a% a$ [" }4 l4 d% t# ^$ E5 H*
7 _% ? N) V% | Z*9 K E4 u/ F! I: D% ]3 R8 z# \. K
*+ V1 i9 `7 o% z- ~
*
) }* d3 z! G* l# N+ E7 k# W*
0 r- [( v: ]" Y6 D3 k*: H$ S7 Z. a' u6 V0 g
*Package pinning does not match Spice model pinning.
2 J* b2 f& k# _; G) ]- Y, \- B. s*Package: SOD128
/ i# P# t/ M2 @. `*% K) v. Q% C# A: L
*Package Pin 1: Cathode ) B( E9 D! q& @6 G
*Package Pin 2: Anode
$ H4 P# I4 O# m7 \. g: _ P3 ^. ]*
/ A9 t4 X5 `/ w*/ ?1 T' @. t& n) k" R$ F7 E" `" O
*
8 ]' o) F1 i9 d; B& X# Y2 ^7 N* b+ c*
0 p$ t5 g; K) {*Simulator: SPICE2
2 n' [1 v0 q! j# f& D$ W/ { t*
$ h) X8 ]* `# M: g1 H# N*******************************************
9 [# W- Y4 G5 g3 @, ^0 {*#
- W1 K j$ \! W.SUBCKT PMEG3050EP 1 2
* Y7 y; b. |6 |+ S1 a* A# e# n, x3 I8 D! j
* The resistor R1 does not reflect! P4 A( \) H% ~& x; P7 Q" y
* a physical device. Instead it$ W% Z6 W' D e. \) j
* improves modeling in the reverse1 M j* W! v' ]) @% u5 A
* mode of operation.
8 J8 B( S/ g, V9 ~7 a( j4 [*" l$ {! C; c R
R1 1 2 4.936E+7 2 F2 ] v! c% b2 v# [2 M
D1 1 2 PMEG3050EP
8 |3 S0 J0 m( R3 l! A& I& M8 |*
" e' A; C* u6 \/ G y, I- |' F.MODEL PMEG3050EP D
6 \$ U; J$ `# G3 ?3 H; P; l; W7 K
5 u; J! n; g4 y+ IS = 0.0001624 6 C& a+ z! @ D/ ^" @* W0 p3 ?% P
+ N = 1.012
# t9 ]) _- X" A$ q, t& K$ D' i7 G5 T8 l9 e! e* m
+ BV = 33 4 n4 z: B* Y4 C( n' M: `8 G! j# A
+ IBV = 0.024 K1 r0 n' \& r- P, ?! `
+ RS = 0.00798 0 F L% [+ Z& L, Y1 X
+ CJO = 1.496E-009 3 S) b/ V% ]4 a' Z' h2 I
: G% o- h- W+ O+ VJ = 0.3243
( `. N1 s$ {0 j4 ?4 w6 q+ M = 0.503
! ?6 }; H( T& [, S |, g5 p) _9 z8 o+ Y; H6 V( Y
+ FC = 0.5 ! b7 [) S$ [, Q3 v
8 z0 u! O# q1 q& B+ TT = 0 / H* u+ H8 m, X3 Z
- T# i/ f6 h; l1 M+ E% f
+ EG = 0.69
* A7 J2 Q5 E! V, @# I; T3 F) p; E2 [6 l$ f
+ XTI = 2
: ^, q: q& G6 E3 w1 ?.ENDS U& k9 m' j" [; ^
*1 }: ?+ F% m& J! Y
这是NXP官网上PMEG3050EP.prm的spice模型* x3 ]8 z( Y5 L/ e* q
5 z7 k1 I w$ `. C$ S( x& N( L# o, W, r9 d# _5 a. J# r) k
这是仿真电路
{- @1 B* `1 U) o. c4 M4 d! @- }9 I$ Y
这个是仿真结果
, p! Z* v6 ^& X, x4 J" l; L4 |* q2 A: H) ?2 f: B0 b' ]
这是datasheet上的图示
/ X3 _+ B3 R6 y2 z' W T$ ]
4 I+ ]- L2 Z$ }1 y. C d
PMEG3050EP.pdf
(148.8 KB, 下载次数: 3)
这是datasheet5 r$ F( j7 m1 a; x# ~' i
PMEG3050EP.zip
(40.97 KB, 下载次数: 11)
这是官网上spice-model5 p& x& t c# {$ [
; n1 o7 p3 g) L9 w J0 v% M
NXP官网上的模型，仿真与datasheet上不一致，请大家指点一下) e, }0 G. N0 s+ c4 b* m$ K
/ H: z+ {+ f @, ]
2 y# E) J0 d$ e" ^. X: h% w |
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发表于 2015-1-22 21:44
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