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请教:时钟的驱动能力是指什么

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发表于 2008-9-1 21:48 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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时钟的驱动能力是指什么,驱动能力大小与走线长度等有没有什么联系?( |/ v7 ], K: M& E2 m- M
     还请各位指教,Thank You.
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发表于 2008-9-1 22:05 | 只看该作者
对于时钟,可能驱动能力更多的是指fanout的能力,个人理解。5 s6 V/ o9 |, e3 Q! y4 d% u
当然跟走线长度有关系,路走远了,人也会累的

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Allen + 10 非常正确!

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发表于 2008-9-2 11:30 | 只看该作者
驱动能力一般是指IC能够输出电流的大小吧。驱动能力越强,是指电流越大,带负载的能力自然也就越强。这样clock的上升时间和下降时间就越快。个人认为和走线长度没有关系。

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发表于 2008-9-3 00:01 | 只看该作者
killerljj关于驱动能力是指电流大小的说法确是正解。不过我以为上升时间和下降时间作为芯片的参数之一,是在某个固定的负载条件下测得的,与芯片的驱动能力应当没有关系。在实际的电路中,时钟驱动的负载越多,则负载引脚的寄生电容效应越大,从而导致上升时间和下降时间延长,这个效应不会因为芯片驱动能力强而减弱。个人理解,欢迎讨论。

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发表于 2008-9-3 19:33 | 只看该作者
这是不是芯片发热大的一个缘故之一; F3 }* n4 {$ c+ l
现在的芯片都是百万门
: E3 N, D0 T' y/ `( Q# A, g每个触发器都挂上全局时钟,时钟够累的
& j- [0 T0 `9 _- }; Q4 Q那这驱动能力的提高在那方面体现

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发表于 2008-9-4 13:26 | 只看该作者
简单说是驱动电流大小.实质上指的是驱动器的传输线的内阻,这将会影响到传输线的入射电压分配.
* ?2 S  r4 u9 H6 r5 l/ a/ \比如,一个驱动的内阻是50欧,电源电压是3.3V,驱动一条50欧的传输线,显然驱动电流是3.3/(50+50)=33mA,入射电压是1.65V;如果要驱动两条传输线负载,驱动电流是3.3(50+25)=44mA,入射电压却只有1.1V了.% y5 a9 ^' d. e) g; v: u

* Z3 a0 G  x9 \) b. S3 T& |如果换成内阻是12.5欧的芯片,驱动四路50欧的传输线是没问题的,
9 B& C3 n5 D0 y9 P" q( b' e
' g8 Y- [+ `: ]7 h) K! M6 N% B但并不是驱动电流越大越好,当低内阻的源,驱动轻载的时候,入射电压会很高造成更大的反射和振荡" g' z# {4 l( x" s3 I
( b  @' `; {1 H/ e, G
[ 本帖最后由 yangcanhui07 于 2008-9-4 13:28 编辑 ]

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 楼主| 发表于 2008-9-9 23:13 | 只看该作者
时钟的datasheet里有1X,2X的调节。
) C  D4 n9 o0 s4 ?5 S1X的走线长度有没有最大限制?

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发表于 2008-9-12 12:12 | 只看该作者
原帖由 gyj1038 于 2008-9-3 00:01 发表 * E- @! x6 X! |1 x
killerljj关于驱动能力是指电流大小的说法确是正解。不过我以为上升时间和下降时间作为芯片的参数之一,是在某个固定的负载条件下测得的,与芯片的驱动能力应当没有关系。在实际的电路中,时钟驱动的负载越多,则负载 ...

& H2 x6 l$ ?% U1 ^* Q严重同意  呵呵

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发表于 2008-9-12 21:29 | 只看该作者
和工作频率应该也有关系  频率越高 对驱动能力的要求越高 不知道正确否

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发表于 2008-9-18 22:09 | 只看该作者
理解成扇出电流能力比较确切

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发表于 2008-9-19 14:55 | 只看该作者
原帖由 gyj1038 于 2008-9-3 00:01 发表
3 b( a5 a, Q" v. S; s, mkillerljj关于驱动能力是指电流大小的说法确是正解。不过我以为上升时间和下降时间作为芯片的参数之一,是在某个固定的负载条件下测得的,与芯片的驱动能力应当没有关系。在实际的电路中,时钟驱动的负载越多,则负载 ...
) ^4 A$ b5 m. E, N
4 S; Q& w5 q# b- G" n
2 Z# O8 }# J1 a6 }4 {* x
那么当负载已经固定的情况下,难道上升时间与驱动能力没有关系吗?
& g9 o3 _2 R- t# G  o! W' Y当你的板子已经做出来,正在调试debug的时候不就是这种情况吗?
& P6 b7 n( U. X% v. R, b& z2 z, X! T
[ 本帖最后由 killerljj 于 2008-9-19 14:57 编辑 ]

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发表于 2008-9-19 23:06 | 只看该作者
原帖由 killerljj 于 2008-9-19 14:55 发表
% q7 t/ Y: S# U! g' p; }+ |3 h, K. V# S$ a( G% ]
5 C) U% I) H* ]& P
- ]1 U2 |5 [, W; u
那么当负载已经固定的情况下,难道上升时间与驱动能力没有关系吗?8 N4 A# {, @4 C6 `) C, r+ N% r
当你的板子已经做出来,正在调试debug的时候不就是这种情况吗?
& P, E( }, o) F' G& Y& p
- `% a$ v* _+ H, y
不知killerljj说的debug时候的情况具体是指什么?可否举例说明一二。
: H$ _; c* S/ |* \  B7 H% M; f3 N) D% x7 h. Q% B
上升时间和驱动能力都可以被认为是芯片的固有属性,当芯片被生产制造出来的时候,这两个属性便不可更改了。从使用的角度来说,它们之间没有关系。
! `$ z( b. g+ u' D' M我们可以说“芯片驱动的负载越多,寄生电容越大,实际的上升时间就越长”,但是这个芯片无论驱动了多少负载,它的“驱动能力”都是一个固定的值。就好比说某个人最大饭量是一顿饭吃十个包子,即便他今天只吃了五个包子,我们仍然说他的最大饭量是十个包子。

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发表于 2008-9-21 23:01 | 只看该作者
主要是指带负载的能力!

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发表于 2008-9-23 15:19 | 只看该作者
原帖由 gyj1038 于 2008-9-19 23:06 发表 7 C: l7 y) M% ^  a5 O( M

+ }$ p% c" E  D. P7 `. D1 C2 B8 ?4 E9 f
不知killerljj说的debug时候的情况具体是指什么?可否举例说明一二。4 M& n3 C$ N  i  n/ K
2 L0 d# i; q( M3 ]+ W
上升时间和驱动能力都可以被认为是芯片的固有属性,当芯片被生产制造出来的时候,这两个属性便不可更改了。从使用的角度来说,它们之间没 ...
" j$ q$ v. H6 M

. v; O0 g5 `. h& Y* W  u' _- v0 `2 J9 ^: B4 k' ?# S
我是做主板的,根据我的经验:; X: s  s* N7 V; _+ w2 {, `$ L3 Y
首先,据我所知通常很多clock芯片的驱动能力是可以通过寄存器调节的,而不是固定不变的。, s  g* _1 G4 R. r0 Z2 f

! n* e3 [7 U; n% }/ A! @其次,板子做出来一般很难做到一版ok,多多少少会有些这样或那样的问题,例如rise time与spec不符,那么你要怎么办?当然是debug了,你总不能置之不理吧?当然,咱也不能否认有这样的强人存在,不过非常少……' v' P7 j0 L: A9 L/ J$ m

5 p- L) G2 M5 R9 o% A+ Q第三,板子做出来要经过很多严格的测试,EMI、 compatibility 等等,如果你在两信号质量时发现一个clock的rise time或者fall time 或者edge rate与Spec不符,那么最便宜、最方便、最简单的方法是什么?——通过调节clock芯片的寄存器来控制输出驱动能力。显然这是最灵活,最便宜的设计!
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