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楼主: gdli
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发表于 2014-9-4 13:57 | 只看该作者
你要做开关的话,一般就两个状态,截止和饱和,截止好说。
; R& Q, ]5 B1 E& o饱和的话,一般使得IB>IC/HFE(MIN),这样可以进入深度饱和。

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 楼主| 发表于 2014-9-5 08:46 | 只看该作者
fallen 发表于 2014-9-4 13:57- n- m1 V2 h' q5 r+ ?$ k
你要做开关的话,一般就两个状态,截止和饱和,截止好说。  L" b# H# w4 N$ ^+ z- ~
饱和的话,一般使得IB>IC/HFE(MIN),这样可以进 ...
, \! k$ `( q( h9 E
这个知道啊问题是怎么去设置上下偏置的大小。别人设置的都在10K以上,我这里计算出来只有几十欧姆,不知道怎么回事

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发表于 2014-9-5 10:24 | 只看该作者
gdli 发表于 2014-9-5 08:469 D8 C  |- K0 J" T( L; r( v
这个知道啊问题是怎么去设置上下偏置的大小。别人设置的都在10K以上,我这里计算出来只有几十欧姆,不知 ...
+ j: B. e9 E7 e+ L
你的IC很大?如果IC很大,建议用MOSFET

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 楼主| 发表于 2014-9-6 08:36 | 只看该作者
fallen 发表于 2014-9-5 10:24
8 o4 F3 T, s& M% t; [0 i, ]  r" H; w你的IC很大?如果IC很大,建议用MOSFET
  w- n- a" ?+ Z
不明白
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