Vincent.M 发表于 2013-12-10 18:12
有结果了吗？
先看芯片本身支持的工作环境吧。
而且你这个-40°是已经保持一段时间了吧。

USB PHY厂家仿真说是在-40度没有问题，说要准备做FIB测试了，他们正在输出方案。
; w  x  K; {% \1 [, m是在-40度保持了一段时间出现的问题，但是在-10度至-40度之间都出现过这个问题，不一定非是-40度的情况。而且如果我们的设备通电状态下放到低温中，断电再立即上电是没有问题的。
" l" Y: u6 N* u& j' b( W板子原理非常简单，只有一个U口电流，1117电源，和主芯片一个。无钽电容电解电容，全部是瓷片电容。
低温下各种仿真条件：
1.VDD=1.62V ;  VCCA1= VCCA2=2.97V
# H9 Q$ G! a8 W( a! S2 s4 x/ Fmos           section=ss
0 P8 t) f* C1 I; @$ Q- Rtransistor  section=bjt_ss
resistor     section=res_ss
2.VDD=1.62V ;   VCCA1=VCCA2=3.63V
$ x: }/ ]. n% `- T# H/ tmos           section=ss
transistor  section=bjt_ss
resistor     section=res_ss
: g) t. z% N- ^7 m* @. g3 P3.VDD=1.98;     VCCA1=VCCA2=2.97V
mos            section=ss
( P; a/ \# R+ c. Z( h3 x2 [. _transistor   section=bjt_ss
resistor      section=res_ss
4.VDD=1.98;   VCCA1=VCCA2=3.63V
mos             section=ss
transistor    section=bjt_ss
resistor        section=res_ss
5.VDD=1.62V;   VCCA1=VCCA2=2.97V
. E: t/ f' X2 {; p) A1 Nmos           section=ff
2 r" E5 g+ S+ U2 U( }transistor  section=bjt_ff
3 Z6 h2 s. S+ \4 tresistor      section=res_ff
6.VDD=1.62V;   VCCA1=VCCA2=3.63V
  mos            section=ff
- W$ I% F9 {" c1 f1 f  transistor   section=bjt_ff
  resistor      section=res_ff
7.VDD=1.98;     VCCA1=VCCA2=2.97V
   mos             section=ff
+ Z+ r- g% v) U, g6 A2 ]   transistor    section=bjt_ff
   resistor       section=res_ff
8.VDD=1.98;     VCCA1=VCCA1=2.97V
, F3 J/ {  c& @' I; l    mos              section=ff
* g, ^# p% T+ E2 z  o    transitor        section=bjt_ff
    resistor         section=res_ff
) ~+ g  S* h& ]6 e6 M* m

问题解决了，是芯片内部的原因，做了FIB后低温高温测试都正常了，原因是内部有对温度敏感的器件。
6 A' Z. k: W& _. U以下是客户的回答，也谢谢大家的关注。
我们这边研究分析后认为，2、3、4点基本上都是纯数字逻辑，而数字逻辑在低温下出错或出现timing问题的可能性很小。因此我们将重点怀疑对象放在了PHY的linestate输出即HS linestate的检测上。虽然在现有工艺模型的各个corner下我们仿真验证都没有发现问题，但考虑到我们linestate 检测所用的比较器中有使用与温度相关的PTAT电流，因此我们推测和低温下该电流有关。
' e3 e4 r" K+ w实际上我们对设计进行了恶化仿真与分析，当我们将设计中的电流人为降低到30%后，在低温下仿真会看到linestate的检测出错的情况。原因主要是由于电流过小后比较器中部分器件工作到了压阈值区，比较器增益下降，比较出错。
/ n" a5 [/ {$ _- s在FIB方案中我们将该电流增加了一倍，从FIB测试结果看，我们的推测是正确的。但由于现有模型仿真上无法验证到该问题（我们之前应贵司的要求做了各种低温仿真），因此我们推测可能和model的准确性有关，也有可能和生产中poly 电阻的偏差有关。
* `* c: n( i$ @/ }

多谢大家回复，问题正在查找中，找到USB PHY厂家 抓了握手信号后，他们分析的原因是
1.             此时PHY的linestate输出不正常；
2.             SIE检测linestate出错；
3.             SIE检测到Chirp-JK至驱动TermSelect出错；
4.            PHY内部的45R终端电阻或控制出错
" @! `8 O* p; U4 h8 w- P0 a
对芯片内部的东东一点都不懂，他们说今天给回复，我会及时更新问题结果告诉大家
) V+ ~1 W6 F4 W/ M$ E2 l

frankdhc 发表于 2013-12-10 16:12
大侠能说的具体一点吗？  查电容是基于什么考虑的？
5 q, S; h) h5 Z$ O1 q6 Y知道在低温时电流会消耗增大，特意在电源那加了一个 ...

+ \- A* k" x/ z4 N$ U' A最近没上论坛。。。问题解决了吗？对于一般器件来说，电容受温度的影响是最大的。普通Y5V的MLCC或者普通铝电解电容在不同的温度下容值和ESR变化非常大。

期待结果解答

来学习的

有结果了吗？
+ W( l( I! A. ]0 k3 m先看芯片本身支持的工作环境吧。
) u1 n, p3 ?  k  O1 l9 t, d而且你这个-40°是已经保持一段时间了吧。
芯片如果支持-40°，那么再去查外围的吧，而且MLCC在-40°一般不会有问题，除非你有普通铝电解在用。
# h4 w! n8 |, {2 K希望你给出更多的信息才好判断.

wesnly 发表于 2013-12-10 13:22
查电容

大侠能说的具体一点吗？  查电容是基于什么考虑的？
知道在低温时电流会消耗增大，特意在电源那加了一个100UF的电解，没什么效果。
我们这个芯片有多种封装，我实验了64pin和80pin的芯片且电路不同，都出现了低温U口不识别的问题。

查电容

先確認芯片工作溫度範圍有沒有支持 -40度C。芯片工作溫度沒有支持 -40度C，不管怎麼調整USB都不會工作，即使有一、二芯片個會工作，那是算你幸運，不保證你的上千上萬的產品都會順利工作。

常温正常？如果只是低温不正常那就查芯片电容吧。

电容

常温下让vref尽量高不就行了吗？

kobeismygod 发表于 2013-11-22 17:44
USB的不太清楚，但是一般IC内部是有一个bandgap产生VREF输出的，但是这个bandgap的特点就是温度特性比较稳 ...

3 E8 j' G/ c; S: f1 Y. l6 p我们这个芯片只有3.3V供电，其它的是芯片内部做的转换。你的意思是 芯片内部bandgap的电源有问题？
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