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Multisim仿真为何跟实际电路不同

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发布时间: 2013-2-16 17:30

正文摘要:

如图所示这个是按实际电路连结的,实际MOS管用的是SI 2307,Multisim库中没有SI2307就用这个ZVP3306F代替,MOS管是P沟道的,理论上只要G PIN是底电平MOS管就是完全导通,现在仿真出来的好像没有导通,万用表测试出来 ...

回复

jacobf 发表于 2013-6-5 20:21
mos,学习
yuweijian615 发表于 2013-5-28 09:27
不知道如何收藏,转走了,留着研究
liangjiatian 发表于 2013-5-14 17:45
路过一下
willyeing 发表于 2013-2-22 11:35
lz需要搞清楚功率mos管的那个寄生二极管,要反过来用,否则不管控制还是不控制,你这个电路都是通的。初学者容易出现这种毛病,对mos太陌生了吧
tdjfnwxf 发表于 2013-2-21 10:22
明白了,感谢,一直对MOS管原理不太了解,在学校基本没有学过,呵呵
kevin890505 发表于 2013-2-21 08:42
tdjfnwxf 发表于 2013-2-20 11:14 7 }; @$ m4 Q; S8 o
只所以发这个贴子,在前期设计这个电路的时候没有加R93这个电阻,所以当接充电器的时间充电电流很大,没有 ...

! _. }( v9 {5 l  z, E& x你对比下第二个情况下,有Vgs和没有Vgs不难明白了。
: H: a3 Z! J; C  _6 ^* S! c第二个情况在没有Vgs或者Vgs达不到开启电压的时候,体二极管就导通了,自然会有0.4左右的压降。
9 C5 Y4 v; q5 j+ I但是如果Vgs是低电平的话,MOS完全导通了,自然就没有体二极管了,此时的压降是由MOS得Rds决定的,压降=Rds*I,由于NMOS的导通电阻一般都是40m欧左右,所以这个压降基本是没有的。
/ Y; T5 h# D4 Q( @9 S! P所以,正接和反接区别在于没有导通的时候。如果Vgs达到门限了,D,S是没有区别的,电流从那边流向那边是取决于电压的高低。
tdjfnwxf 发表于 2013-2-20 11:14
kevin890505 发表于 2013-2-19 23:11
( ]- `2 M5 W8 _. r* f8 Y+ ?建议你看看模电书或者其他资料关于MOS原理的介绍。+ `. J4 |7 U: ]# |/ u* u9 R' N* M; R
简单说:单独的MOSFET由于工艺问题,必然存在寄生二极管 ...

# ]3 @* o: ^; u只所以发这个贴子,在前期设计这个电路的时候没有加R93这个电阻,所以当接充电器的时间充电电流很大,没有经过充电IC ,充电电流直接经过MOS管到电池上。我的那个电路跟你第二个图接法一样,按你这种说我不加班R93的时候充电也会经过充电IC,而不会直接从MOS管到电池上,还有按这种接法MOS管存在寄生二极管会有一个压降,但我在实际电路上也做过具体测试,电池过经MOS管几乎没有压降,这一点又怎么解释呢,
kevin890505 发表于 2013-2-19 23:11
建议你看看模电书或者其他资料关于MOS原理的介绍。
# Z/ G) }9 i! f1 {简单说:单独的MOSFET由于工艺问题,必然存在寄生二极管,如图.其中第一个为正向接入,第二个为反向接入。# X6 u" X8 E7 D! g' \1 h3 m& Y
只有第一种情况下才有低电平导通,高电平截至的效果。第二种反向接法,由于寄生的体二极管,可以看出,有这个二极管,从前到后就是直接导通的,此时MOS不受控制的。这是电池充电电路的基本原理。

1.JPG (41.88 KB, 下载次数: 1)

1.JPG
shingwb 发表于 2013-2-19 22:37
充电器的输入PMOS就是反着用的,你早说是充电用的不就清楚了吗
jerryzhu 发表于 2013-2-18 09:32
LZ 仿真没有错,LZ还得好好学习下基础知识
: r0 Q3 W' O5 u* h# l& Z+ N( A! f: Y
LZ这样的接法,导通和戒指结果都一样的!
shingwb 发表于 2013-2-17 22:52
MOS管内部的二极管直接导通了,点亮了LED。所以万用表上会测到3.5V的电压

点评

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支持!: 5
正解啊!  发表于 2013-5-14 21:25
cytao 发表于 2013-2-17 15:15
楼上的同学你确实接反了,4.2-0.6V=3.6V的样子,刚好的!要反向一下才好!
tdjfnwxf 发表于 2013-2-17 15:03
楼上的同学你有没有做过具体的仿真试过,反正接法我都做过仿真就是跟实际线路不同,大虾能说一下为什么吗?
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