gavinhuang 发表于 2012-11-9 23:19
" f9 T9 s7 E/ H( F看不太懂楼主的问题，不过把我对DDR3的一点了解说一下吧，仅供参考：
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难道仁兄也是hyperlynx出生？？哈哈，{:soso_e181:}

可能我的原话有点问题，ODT的值一般来说在四层及以上板的设计中都是60或是75欧（CPU及DDR端）因为PCB的DDR处的走线差不多特性阻抗就是这个值，当然像六楼所说，如果说你调ＯＤＴ的值的话。幅度会有变化。可是这种变化由于阻抗不匹配，容易造成信号的过冲及失真。最好是通过示波器观查波形来得到正确的结查，不过一般来layout没有大改，板层结构没有大变的情况下是不需要调节的。所以我们一般都不调节ODT的值。在DDR3里。常规的做法是调ODV,也就是CPU端的输出阻抗，这个阻抗越小，输出驱动就越大（在写周期）信号幅度就越大，可是功耗也就大了。
所以一般来说。我们都不去调ODT及ODV的值，只是在信号完整性很差的情况下板子不稳定的情况才会去调试用。然后更新PCB。 一家之言，供参考。

看不太懂楼主的问题，不过把我对DDR3的一点了解说一下吧，仅供参考：
/ Z8 t( L. y& `3 G" f' X1 [不过我觉得先要分清write level和read level指的是谁向谁写，从哪里读吧？一般的，write level指的是CPU向内存颗粒写，read指的是CPU从内存颗粒上读东西。
$ A' y! q$ y2 S1. write时，CPU端的ODT为disabled，也就是 ODT OFF，内存颗粒上 ODT 为enable，具体的阻值依情况而定，CPU的design guideline会有相应的介绍吧
9 I. O1 |5 m6 G$ V1 x2. read时，CPU端的ODT为enable，阻值也是依情况而定，而内存颗粒上ODT disabled
) v0 a( W0 X, o( `! y所以你write时，在内存颗粒ODT为enable的情况下，调节其ODT值，电压幅值的变化应该比较明显
. \5 u9 [+ R0 k" i; ~8 p- {+ b7 x
$ U7 Z( V3 w0 b# @9 S0 Z再次声明，仅供参考，希望没有误导你

调出来了，设定ODT 值后，还有enable 寄存器。

* f) i9 g0 Z5 h; o: r- ljknothing 的建议，我太赞同。
+ d7 k' c6 h' HODT的影响还是很大的，电压幅值差值达到几百MV哦，这对SSN也会影响较大。

我的理解是，对于DDR3。如果你需要调整write level,则需要调节的是CPU这端的输出阻抗（DRV），对应DDR端的ODT的值只是起阻抗匹配的作用（影响较小）
! }$ Y7 M8 Q) s: {4 D1 t如果需要调整的是read level，那么如果调节的是DDR端的ZO(这个输出阻抗一般都只有34和40两个值，通常设34达到最大输出），CPU端的则是调节是ODT的值（也是起阻抗匹配的作用）

好像没有了，还有就是初始化时序不对，还有测量一下ODT控制信号是否会出现高电平，或者直接把这一位拉高，看是否有变化。

DDR3颗粒上的ZQ有没有电阻240R到地呀，如果这个没有咋调节都不会有的。