zgq800712 发表于 2012-11-25 11:44
! u8 l0 }0 \9 |. p! ^先固定 D1二极管输入是5V吧
% U! f. U+ p' a+ B3 |4 }! p  d  URboot,电容充电电阻，怎么充电的，比如Q2拉低不是充上电了？这个时候C2两端电压 ...

楼上，整体对念是对的，有几部份线路分析不同于我的理解，如下
1  依楼上供电设为5V ，那Q2 导通后， C2处于充电状态充满故两端电压为5V ，如果此时输出是9V， 以地为参考C2两端的电压是5V，不是楼上所说的14V，以输出端为参考那C2两端的电压是4V， 因输出电压9V是电感L1的感应电动势，左一 右+ 所以这个电压是不能直接和C2的电压相加，而是相减. 这都是在Q2导通时成立.
( i! w9 b! E- T! d8 u. C2  Q1的源极（S) 不会是9V，上面已经说过，电感L1的电压是左- 右+ ，这个电压不能拿到Q1源极来做参考，   如果Q2停止，芯片会上要打开Q1，此时Q1 G极电压会上升，这个上升的电压再加上C2两端的5V ,来达到Q1的导通条件.
; e" a: C+ ~- j$ X7 u9 B' R以上是我个人的理解，如果不对勿喷，大家共同讨伦，共同参与.....

我觉得14楼分析得好.

kevin890505 发表于 2013-5-30 20:14
是的，没说清，我想表达的是DCDC电源等于Vin，充电是在下管导通时，此时高端MOS的S极电势约为0，那么自举 ...

% M& ?) w5 W. I( e恩，了解。

kobeismygod 发表于 2013-5-30 19:30
有一点不太明白，你说自居电容充电后的压降是SD两端的电压，不对吧？驱动高端NMOS比较困难主要是NMOS的S及 ...

! k! E* C( C+ j$ F. S- V$ {是的，没说清，我想表达的是DCDC电源等于Vin，充电是在下管导通时，此时高端MOS的S极电势约为0，那么自举电容电压就是约为Vin。
在高端MOS导通前，低端MOS是导通的，但是当高端MOS导通后，8脚电势会从0V左右抬高到Vin，自举电容压差不变，那么BOOT脚电压
就会抬高Vin，那么内部就是你说的：叠加芯片本身的驱动电压Vdrv之后，也就是VIN+Vdrv，才能满足高端NMOS导通要求.

抬高8脚电势是扯淡，BOOT是抬高高端MOS的栅极驱动电压的，也就是2脚

kevin890505 发表于 2012-8-2 16:10
看了大家说法，貌似都知道，但说的不清晰，我就我的理解来解释下，不对的还望大家多多指点：
% a2 N4 D1 S( E% n0 W$ \1，首先大家必 ...

有一点不太明白，你说自居电容充电后的压降是SD两端的电压，不对吧？驱动高端NMOS比较困难主要是NMOS的S及不是接地的，S级电位不是0，所以很难满足VGS>0的导通要求，而这个自居电容充电后的电压应该是S级的电压，最后芯片用这个电压去叠加芯片本身的驱动电压Vdrv之后，也就是VS+Vdrv，才能满足高端NMOS导通要求，是不是这样的？？另外，上面有兄弟说自举电容的目的是为了抬高8脚的电位，这更加是不能理解的，8脚也就是S极的电位抬高了，想使Vgs>0不是更难了吗？不是更加的难以驱动了吗？？？？

同意27楼的，多看看datasheet！

强烈建议楼主应该多看看芯片手册。

0 d1 C8 Q: Z8 K6 Y; f- @
4 z* g1 o3 E, m' S# s先固定 D1二极管输入是5V吧
Rboot,电容充电电阻，怎么充电的，比如Q2拉低不是充上电了？这个时候C2两端电压多少？ 就是5V。 PWM斩波多是动态的，有高就有低，现在充电充上了，输出端比如输出的是9V，9V和C2电压一叠加就是9V+5V=14V，这个是对地的，如果以输出端坐参考，C2两端就是5V。 再来看Q1 ,Q1源级是9V，     然后Q1栅极呢，Vgs肯定要大于开启电压，电压大点导通电阻也会小点，比如2V以上开启。栅极电压哪里来呢，就是上面这个C2电容，C2电容一端接在输出的9V上，他自己2端的电压是5V，那C2另外一端的对地电压就是14V，这个电压作用于Q1也就是高管的栅极， 栅极电压14V,源极电压9V，Vgs=14-9=5V管子可以开起来了。

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如果是电机驱动的IGBT的话这个电容就要10uF以上了，以为IGBT里面有三极管，电流大。
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' i' t' H: v8 m5 V
我给一个电容用5V充电，然后我吧这个电容和一个5V的电池连接起来，就有10V了。

仔细看了各位的解释，这块的原理总算是整明白了，谢谢！！

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0 A$ a1 M9 P1 K) d$ }从这张图，我觉得BOOT跟PHASE有点像个比较，类似三极管调静态工作点的功能

2#和14#都说的好。14#理论好强，看的书多。{:soso_e160:}

学习了，呵呵

xd365 发表于 2012-9-6 18:48
6 Z5 [" P2 J8 a& X你可以查看这个芯片的资料，自举电容的电压只给了上管，没给下管。
. `1 G3 ~6 {0 R/ R9 u" s自举电容的真正作用是：当上管导通后 ...

# G# u: h( |4 @" M请看第八条 谢谢

kevin890505 发表于 2012-9-6 15:34
如果不是提供Vgs电压和栅极电流的话  那我还真不知道是什么原因了   求教

9 l% M6 f/ U2 M) J& u- f你可以查看这个芯片的资料，自举电容的电压只给了上管，没给下管。
自举电容的真正作用是：当上管导通后，要保持Vgs是个高电平，让上管处于导通状态。

kevin的解释是对的  自举电容就是帮助芯片打开UGATE的没其他作用   做个实验就知道了把它去掉看是什么效果 不 对 求 喷