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自举电路工作原理

查看数: 3915 | 评论数: 31 | 收藏 4
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发布时间: 2012-7-6 14:58

正文摘要:

哪位高手帮忙解释一下这个电路的工作原理。' r' [+ ^# f6 K. C9 j9 l8 T" R " h4 s* K% M- |% t! ]- ^ 从图片上面得知Vout来是由FB电路所控制的,那么Rboot,C2,Q1,Q2这部分电路的工作原理是怎么样的。 1 \&nbs ...

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liny123 发表于 2013-5-31 14:53
zgq800712 发表于 2012-11-25 11:44 , c- b5 k" i: L1 M5 |0 ~
先固定 D1二极管输入是5V吧# i3 m& G- m, G/ O
Rboot,电容充电电阻,怎么充电的,比如Q2拉低不是充上电了?这个时候C2两端电压 ...
2 w# t9 [3 ]" `
楼上,整体对念是对的,有几部份线路分析不同于我的理解,如下
0 c7 M$ W0 c/ p1  依楼上供电设为5V ,那Q2 导通后, C2处于充电状态充满故两端电压为5V ,如果此时输出是9V, 以地为参考C2两端的电压是5V,不是楼上所说的14V,以输出端为参考那C2两端的电压是4V, 因输出电压9V是电感L1的感应电动势,左一 右+ 所以这个电压是不能直接和C2的电压相加,而是相减. 这都是在Q2导通时成立.
* k2 ]- Y& O- G2 S5 [- k5 o2  Q1的源极(S) 不会是9V,上面已经说过,电感L1的电压是左- 右+ ,这个电压不能拿到Q1源极来做参考,   如果Q2停止,芯片会上要打开Q1,此时Q1 G极电压会上升,这个上升的电压再加上C2两端的5V ,来达到Q1的导通条件.
! L( T3 D2 a5 U/ q1 k; o1 k/ l以上是我个人的理解,如果不对勿喷,大家共同讨伦,共同参与.....( J, ~8 k) \- @$ U# _* e

9 r$ z2 i- n, ^5 `. u4 j* W0 D: J我觉得14楼分析得好.
kobeismygod 发表于 2013-5-31 09:47
kevin890505 发表于 2013-5-30 20:14 " I- w4 ^% b7 [. `. f$ r3 {3 G
是的,没说清,我想表达的是DCDC电源等于Vin,充电是在下管导通时,此时高端MOS的S极电势约为0,那么自举 ...

* ?- }% o1 W# W/ L+ i/ n9 p) a5 Q恩,了解。
kevin890505 发表于 2013-5-30 20:14
kobeismygod 发表于 2013-5-30 19:30 # r6 [; I* y) Z, q0 r4 M
有一点不太明白,你说自居电容充电后的压降是SD两端的电压,不对吧?驱动高端NMOS比较困难主要是NMOS的S及 ...
; j! H2 X& O9 v% ]6 O: }
是的,没说清,我想表达的是DCDC电源等于Vin,充电是在下管导通时,此时高端MOS的S极电势约为0,那么自举电容电压就是约为Vin。2 a$ J8 o5 a+ ~, v9 z- ^
在高端MOS导通前,低端MOS是导通的,但是当高端MOS导通后,8脚电势会从0V左右抬高到Vin,自举电容压差不变,那么BOOT脚电压7 B4 u6 g& c9 n) I6 U, t
就会抬高Vin,那么内部就是你说的:叠加芯片本身的驱动电压Vdrv之后,也就是VIN+Vdrv,才能满足高端NMOS导通要求.
# `7 }0 D+ e9 \' X) w  K! L. l" g; M0 P& }/ a
抬高8脚电势是扯淡,BOOT是抬高高端MOS的栅极驱动电压的,也就是2脚
kobeismygod 发表于 2013-5-30 19:30
kevin890505 发表于 2012-8-2 16:10
. v+ x0 i: o' o5 b看了大家说法,貌似都知道,但说的不清晰,我就我的理解来解释下,不对的还望大家多多指点:
; r: e: H. Z9 {1 j" j4 h1,首先大家必 ...

( ]$ q  `9 E/ s6 J有一点不太明白,你说自居电容充电后的压降是SD两端的电压,不对吧?驱动高端NMOS比较困难主要是NMOS的S及不是接地的,S级电位不是0,所以很难满足VGS>0的导通要求,而这个自居电容充电后的电压应该是S级的电压,最后芯片用这个电压去叠加芯片本身的驱动电压Vdrv之后,也就是VS+Vdrv,才能满足高端NMOS导通要求,是不是这样的??另外,上面有兄弟说自举电容的目的是为了抬高8脚的电位,这更加是不能理解的,8脚也就是S极的电位抬高了,想使Vgs>0不是更难了吗?不是更加的难以驱动了吗????
wuxuelin2006 发表于 2012-12-9 17:49
同意27楼的,多看看datasheet!
yuhuikeji 发表于 2012-12-8 13:22
强烈建议楼主应该多看看芯片手册。
zgq800712 发表于 2012-11-25 11:44
本帖最后由 zgq800712 于 2012-11-25 11:49 编辑
+ }' ~) e: A; g* |
! i, i6 f3 ~* q% u, C( X: A( o先固定 D1二极管输入是5V吧
; v- v' M; j, ~: J4 H# m; f; X4 E/ KRboot,电容充电电阻,怎么充电的,比如Q2拉低不是充上电了?这个时候C2两端电压多少? 就是5V。 PWM斩波多是动态的,有高就有低,现在充电充上了,输出端比如输出的是9V,9V和C2电压一叠加就是9V+5V=14V,这个是对地的,如果以输出端坐参考,C2两端就是5V。 再来看Q1 ,Q1源级是9V,     然后Q1栅极呢,Vgs肯定要大于开启电压,电压大点导通电阻也会小点,比如2V以上开启。栅极电压哪里来呢,就是上面这个C2电容,C2电容一端接在输出的9V上,他自己2端的电压是5V,那C2另外一端的对地电压就是14V,这个电压作用于Q1也就是高管的栅极, 栅极电压14V,源极电压9V,Vgs=14-9=5V管子可以开起来了。
( A1 x/ T1 L0 Z+ \8 Z; n) x) ~
: U4 [( o, s& D5 C9 N5 b7 G4 ~" `3 ~
如果是电机驱动的IGBT的话这个电容就要10uF以上了,以为IGBT里面有三极管,电流大。

$ _8 F- v+ f: f. ^
7 @- n& P8 P+ R) Y' q0 M% h6 d& h4 B' i. K
3 \( [" b- q" d' I6 W: d0 H
我给一个电容用5V充电,然后我吧这个电容和一个5V的电池连接起来,就有10V了。
qiangqssong 发表于 2012-11-23 16:19
仔细看了各位的解释,这块的原理总算是整明白了,谢谢!!
timerc 发表于 2012-11-23 15:48
本帖最后由 timerc 于 2012-11-23 15:55 编辑
6 Y' E4 ~2 E  N
0 _7 ^9 [# ]  X, ]从这张图,我觉得BOOT跟PHASE有点像个比较,类似三极管调静态工作点的功能

{DD5F4D65-7FBA-448B-B5D2-05F47AA2D76F}.jpg (12.66 KB, 下载次数: 0)

{DD5F4D65-7FBA-448B-B5D2-05F47AA2D76F}.jpg
小平 发表于 2012-11-23 11:25
2#和14#都说的好。14#理论好强,看的书多。{:soso_e160:}
txdxs 发表于 2012-9-7 15:54
学习了,呵呵
kevin890505 发表于 2012-9-7 10:16
xd365 发表于 2012-9-6 18:48
5 J8 u- V5 m7 B. R你可以查看这个芯片的资料,自举电容的电压只给了上管,没给下管。
5 v2 W% ?$ R2 Z5 r: r7 g, x" U自举电容的真正作用是:当上管导通后 ...
  f) T1 E# j. b( R
请看第八条 谢谢
xd365 发表于 2012-9-6 18:48
kevin890505 发表于 2012-9-6 15:34 , W7 y- q& E! U; v  B. ~! v3 i% V
如果不是提供Vgs电压和栅极电流的话  那我还真不知道是什么原因了   求教
* v' @5 _1 L# x( T# ~
你可以查看这个芯片的资料,自举电容的电压只给了上管,没给下管。  Z4 C' Z; ?4 k+ I  o
自举电容的真正作用是:当上管导通后,要保持Vgs是个高电平,让上管处于导通状态。
太仓一黍 发表于 2012-9-6 18:18
kevin的解释是对的  自举电容就是帮助芯片打开UGATE的没其他作用   做个实验就知道了把它去掉看是什么效果 不 对 求 喷
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