有一点不太明白,你说自居电容充电后的压降是SD两端的电压,不对吧?驱动高端NMOS比较困难主要是NMOS的S及不是接地的,S级电位不是0,所以很难满足VGS>0的导通要求,而这个自居电容充电后的电压应该是S级的电压,最后芯片用这个电压去叠加芯片本身的驱动电压Vdrv之后,也就是VS+Vdrv,才能满足高端NMOS导通要求,是不是这样的??另外,上面有兄弟说自举电容的目的是为了抬高8脚的电位,这更加是不能理解的,8脚也就是S极的电位抬高了,想使Vgs>0不是更难了吗?不是更加的难以驱动了吗???? |
同意27楼的,多看看datasheet! |
强烈建议楼主应该多看看芯片手册。 |
本帖最后由 zgq800712 于 2012-11-25 11:49 编辑 先固定 D1二极管输入是5V吧 Rboot,电容充电电阻,怎么充电的,比如Q2拉低不是充上电了?这个时候C2两端电压多少? 就是5V。 PWM斩波多是动态的,有高就有低,现在充电充上了,输出端比如输出的是9V,9V和C2电压一叠加就是9V+5V=14V,这个是对地的,如果以输出端坐参考,C2两端就是5V。 再来看Q1 ,Q1源级是9V, 然后Q1栅极呢,Vgs肯定要大于开启电压,电压大点导通电阻也会小点,比如2V以上开启。栅极电压哪里来呢,就是上面这个C2电容,C2电容一端接在输出的9V上,他自己2端的电压是5V,那C2另外一端的对地电压就是14V,这个电压作用于Q1也就是高管的栅极, 栅极电压14V,源极电压9V,Vgs=14-9=5V管子可以开起来了。 5 C9 N5 b7 G4 ~" `3 ~ 如果是电机驱动的IGBT的话这个电容就要10uF以上了,以为IGBT里面有三极管,电流大。 ' q0 M% h6 d& h4 B' i. K 3 \( [" b- q" d' I6 W: d0 H 我给一个电容用5V充电,然后我吧这个电容和一个5V的电池连接起来,就有10V了。 |
仔细看了各位的解释,这块的原理总算是整明白了,谢谢!! |
本帖最后由 timerc 于 2012-11-23 15:55 编辑 从这张图,我觉得BOOT跟PHASE有点像个比较,类似三极管调静态工作点的功能 |
{DD5F4D65-7FBA-448B-B5D2-05F47AA2D76F}.jpg (12.66 KB, 下载次数: 0)
2#和14#都说的好。14#理论好强,看的书多。{:soso_e160:} |
学习了,呵呵 |
kevin的解释是对的 自举电容就是帮助芯片打开UGATE的没其他作用 做个实验就知道了把它去掉看是什么效果 不 对 求 喷 |
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