一般来说，SDRAM的刷新为一笔refresh cmd刷新一个row，而在某些大容量DDR内部，一笔Auto refresh刷新2个row。为了便于计算，micron的datasheet里一般都有refresh counter，即多少个cycle整个颗粒刷新一次。计算时用64ms/refresh counter即为Trefi

搞不清楚，DDR这块的参数太多，很多都不太理解！！！

( \$ K& Q6 g- u6 I
5 f3 c* e9 }3 w0 z" d, tDDR内存规格规定，电容的电荷存储上限时间为64ms，而刷新操作每次是针对一行进行的，即每一行的刷新时间为64ms，而内存芯片中一定数量的行以L-Bank表示（见内存工作原理与物理特性），每个L-Bank有8192行（见内存硬件手册),因此对L-Bank的刷新操作应该在64ms /8192 = 7813us时间内进行一次 .
: W9 J; c# b* O9 ]. B上面是在网上找到的，我的理解是颗粒的刷新是以块为单位的，8K是这个块的大小。整个块必须在64ms的时间内刷新一次，以保证数据的不丢失。
# b2 [" T& }, I但是我在DDR2_JEDEC标准里没有找到这个值，不知道这么理解对不对。

lxizj 发表于 2012-5-24 10:10
DDR2_JEDEC标准里没找到这个参数，能把具体的图贴出来吗？

OK
! D  ^4 `) C5 X+ _5 ~+ `, I' q麻烦帮忙给看看

DDR2_JEDEC标准里没找到这个参数，能把具体的图贴出来吗？