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[仿真讨论] DDR2 VTT和VDD之间加一个100nf的电容有什么作用?

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发表于 2011-12-9 17:37 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式
10E币
如题,有人知道在DDR2的VTT和VDD之间加一个100nf的电容有什么作用么?
( Q3 b! F' Q/ d+ ?1 E2 m( d" T) S# z有可以提供相关的资料么?

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这是典型的Dimm的设计方法,通常在Dimm上DDR2的地址控制信号都是以VDD平面作为参考,所以这里将地址控制信号的VTT用电容接到VDD。但如果我们设计的DDR2的地址控制信号是以GND为参考,那这里的电容就应该接到GND而不是VDD。楼主去找dimm条的设计,几乎都是这样的。
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发表于 2012-1-20 16:37 | 只看该作者
我觉得这个电容是用来提供连接Vtt到Vdd的路径的。
5 x3 Q+ w* J; {记得intel一份文档中有提到如果ddr之类的高频信号线换层的话,就在换层的地方每5个信号线放置一个小电容。

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发表于 2012-1-11 10:06 | 只看该作者
本帖最后由 dzwinner 于 2012-1-11 10:07 编辑
& ~2 b' R. q3 R( E
shark4685 发表于 2011-12-14 11:11 4 ?& K( m. T7 y! k  q5 w+ ?: I* z# d
我的案例是DDR3颗粒!地址参考的是GND和VDD
8 G/ u% G2 |4 H" l# b7 h, `; A: Q" }

& _0 \, I  U  N! a& B3 s! j版主你好!我最近也设计了一个DDR3,是2片的。我看到你截图中的设计好像是菊花链式的拓扑结构,但具体怎么出线还不是很清楚,可否把这一部分的走线PCB 发给我参考啊!谢谢了!如果实在不方便,每一层的截图发给我也可以。万分感谢!
# ?  g4 f; P5 k6 b% m: Y" Z我的邮箱:77897767@qq.com. \5 \4 Z: I& S2 ]0 r
其他有这方面资料的,也请发给我,小地感激不尽!

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发表于 2011-12-14 11:11 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2011-12-14 11:22 编辑 3 n0 O8 K- Z: O
+ n# |/ }9 L* B7 s8 g
我的案例是DDR3颗粒!地址参考的是GND和VDD; S7 ^; I( P9 c) q" M! J% D: M8 s: Y' f
3 a! U6 {. Y+ r8 Y

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 楼主| 发表于 2011-12-14 10:47 | 只看该作者
doya 发表于 2011-12-13 13:13 ' J( t4 A( U* y0 q8 V, H- a- [+ w% l
这是典型的Dimm的设计方法,通常在Dimm上DDR2的地址控制信号都是以VDD平面作为参考,所以这里将地址控制信号 ...
8 S7 c* ^# b: e4 V/ l) t
谢谢doya,觉得说的很有道理。我们这个设计确实是带DIMM的ddr2
7 k2 ?; i' R7 x# ?一般对于带DIMM的DDR2的地址命令信号由于处理器芯片内部和DIMM处都是参考了VDD。设计时候要求这些走线尽量参考VDD。
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发表于 2011-12-14 08:34 | 只看该作者
查了很多资料,目前原因还是没找到.

点评

谢谢鲨鱼。。呵呵  发表于 2011-12-14 10:39

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发表于 2011-12-13 17:53 | 只看该作者
减小两电源间的阻抗!!!估计

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 楼主| 发表于 2011-12-10 17:06 | 只看该作者
本帖最后由 beyondoptic 于 2011-12-9 21:12 编辑
  |0 l% s2 W+ O1 h, Z# {" r
9 ^2 i  o- d2 [2 W* G4 W! k可能说的是有点不清楚,但原理图是客户的,不便截图。
: P3 ~) n+ d0 k* a/ w. h! Q. e. i补充一点100nf的电容有好多个接到VTT和VDD之间。  }( m' G, o8 ]) i1 [
希望有见过这样设计的guide的大虾能分享一下,谢谢。
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发表于 2011-12-10 16:54 | 只看该作者
问题不详细。
4 ]) p- n$ ~0 u我猜,可能是有线跨了两电源的分割。

点评

100nf的电容如果是方便回流是不是太大了点,对应的频率太低了点。这么低的频率是不是可以不用考虑跨分割了。另外补充一点100nf的电容有好多个接到VTT和VDD之间。这样构成回流路径是不是有点讲不通。。。  发表于 2011-12-10 17:08

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beyondoptic + 2 有这个想法不错,呵呵。

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发表于 2011-12-9 17:37 | 只看该作者
这是典型的Dimm的设计方法,通常在Dimm上DDR2的地址控制信号都是以VDD平面作为参考,所以这里将地址控制信号的VTT用电容接到VDD。但如果我们设计的DDR2的地址控制信号是以GND为参考,那这里的电容就应该接到GND而不是VDD。楼主去找dimm条的设计,几乎都是这样的。
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