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在DDRII和DDRIII中 VRAM部分placement方式 利弊简谈~

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发表于 2011-4-22 11:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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      因為 VRAM BGA 的placement的不同,造成 layout 和 tune equal length 的难易度也会不同。在此show 出两种 placement的方式,供大家参考。    一、在DDRII设计中
. f  `- }3 ^8 K0 k; _7 ~
/ s% l  N7 N/ m8 j! [5 b; X/ d2 m, b3 a
第一种placement 方式:
+ L$ h% u* j! p0 S( T  a! z      , u6 A& L, Q5 G# l* L& ?+ N. B
     第二种placement 方式3 `% y% |0 L2 a
     
- Z$ R) i+ A( U; O2 w  ]# s 总结:以上两种placement方式所佔据的空间大致相同,第一种方式在Y轴需要更多的空间;第二种方式则在X轴方向会佔据更多的空间,但它节省了Y轴上的空间。9 ]6 p0 u( q  O& w
        在拉线方面,第一种方式data组内的长度相差不多,但group 与group之间相差很大(这点尤其在DDRIII时表现很突出);第二种方式 group 与group之间 的长度相差不大,但 data组内则相差较多。9 |" m; x8 d; c
         而address也是各有千秋。因為DDRII的Address pin在小BGA的一端,因此第一种方式address的路径上不会有data挡路;而第二种方式则会必须从小BGA外面绕,但接小BGA的那一段可以直接用表层接,整段trace会小一颗via,少换一次层,且等长较好tune。
& Y& }+ J5 T5 g: }

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发表于 2014-7-29 17:07 | 只看该作者
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发表于 2012-1-31 14:45 | 只看该作者
试了下DDR3两排焊盘中间的空间不够走地址线控制线啊,是不是我6mil走线太粗了。
  B( o; l) ]2 }: q) S# g; ]  Y+ u请问楼主应该是多少mil线宽啊?

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发表于 2012-1-31 14:33 | 只看该作者
DDR3还没有开始设计,受教了。
4 E8 k) d3 ?, o! z/ n2 Y# w" W对于DDR2来说另种差不多,展示下我的4片DDR2对贴设计。
6 d5 F6 |+ O) F; S$ l+ l; ]- r % S. F! J9 F( n; P
8 I5 m. A* }: u

% K/ F7 E! l8 F' p+ v& h
3 _- b$ u7 y- G( T

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I.MX515,同道!!幸会幸会!赞一个  发表于 2012-9-19 09:12

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发表于 2012-1-31 08:42 | 只看该作者
不同的方法及多方法的讲解有利于灵活的运用。谢谢楼主

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发表于 2012-1-31 00:01 | 只看该作者
非常感谢楼主分享这些布局经验

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发表于 2012-1-30 16:16 | 只看该作者
感谢楼主分享经验。

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发表于 2011-11-7 09:33 | 只看该作者
真不错,lz辛苦了

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发表于 2011-11-5 08:34 | 只看该作者
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发表于 2011-11-5 08:17 | 只看该作者
楼主辛苦了、谢谢分享哈、

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发表于 2011-11-4 22:30 | 只看该作者
不同BGA的数据组能不能换,同在32位内?

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发表于 2011-11-2 14:22 | 只看该作者
学习!

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发表于 2011-11-2 11:31 | 只看该作者
绝对的好文章,学习很多,谢谢

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发表于 2011-5-24 16:17 | 只看该作者
以前有做过4颗i正反面叠放的,是2层走线,那样反而觉得很节省层面,只是两组BGA的空间要拉的远点

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发表于 2011-5-24 15:25 | 只看该作者
绝对的好帖,必火,学习,继续关注

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天使旋律 + 5 谢谢支持

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