這些datasheet上都會有寫明的呀

三星内存颗粒
/ f. [0 K# l4 b  s8 d. O编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X

+ J& t5 s- f- R' z  Y主要含义：

第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表DRAM。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
! z% w1 z9 X) N2 l
5 V* i1 l( l) k2 L! F第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
3 {* |. q) N- h6 z1 w
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
8 {+ T& `: L% n. k! n3 n
6 R$ \; g2 K0 N* ^. F第11位——连线“-”。

- \( Q  J8 q5 g8 _第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
# ]& G2 j9 e' t
& B# @6 }$ G. t5 }& B/ w知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。
2 c/ D3 c/ h& _7 l% e5 c8 {
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
1 ?" i; {9 `; \2 j$ d- I5 O
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6 o0 T8 E# o' `: }; lMicron内存颗粒

5 e! ]5 |) |$ O) e: D8 oMicron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
6 h0 m2 D; \' x! }; p
含义：

MT——Micron的厂商名称。

8 y+ G) ]1 E0 n! J' S( n48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
' O- P& c& W' S0 d( n
LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
7 q- q7 k) t) A
/ [0 _9 a5 B. r' |5 M- o/ Q16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。

# n; X1 I4 m- J6 b5 YA2——内存内核版本号。

TG——封装方式，TG即TSOP封装。

-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。

' Z, q: W: U" I! ~& h其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。
6 j9 h4 W# U: D4 }  h
2 l" C( ~. z) I' D/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
& j2 s  M  m& z' G- G
. C6 e( I5 N7 j5 r" C- p西门子内存颗粒
$ p  A& C% `8 H) f: v
$ E, _( a: X2 m' Z目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
4 f. n  z8 c6 ?4 Q( M2 k
HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。

Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。

-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；

; W# |6 ?3 ~# ^( @3 [$ x4 {-8——表示该内存的工作频率是100MHz。

例如：
) i( d  X# _3 ~; G4 X
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。

1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。

3 V8 _2 D: s5 V+ b/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////

Kingmax内存颗粒
: L/ f1 z; @7 Z0 s
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
0 M  v3 y) T7 P3 R
1 R4 y1 F$ x7 [' P0 X  o容量备注：

$ K0 d8 e' g7 u) e* b$ gKSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；

* \; |/ ]; h4 Q! Z* `KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；

KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；

KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；
# s$ G" S: u; q
+ ]6 ^! H0 I2 l: C6 w5 X( v" l4 sKSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。
" p* s8 M0 G- x. B# O
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：

-7A——PC133 /CL=2；

-7——PC133 /CL=3；

  M- k$ M2 e1 z7 g-8A——PC100/ CL=2；
4 B+ \% q$ \: v3 A* ~' [8 x! O; T
  z* X* z& w" O9 p1 Z9 y-8——PC100 /CL=3。

例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。
2 E: w* \) \7 `! g5 a7 c
" ]$ f% b0 r8 ?内存颗粒编号与内存品牌知识介绍
通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量

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- y- A" S. v+ p3 g6 i/ qHY颗粒编号
% O7 p" S2 j$ M9 ~

/ ~) G8 v# t! g% Q1 m1 C( j( u& qHY XX X XX XX XX X X X X X XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
: t5 Q# ^4 R/ ?) p
1、HY代表是现代的产品

) ^) b1 c% U; o( e& j8 B　　2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
1 z6 w. ]& z4 ~1 w5 c
　　3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V　
3 J. L+ b3 U, @8 H$ a( i
　　4、芯片容量和刷新速率：64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K 刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新

3 D' L3 D: R6 Y: r6 W　　5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

- f3 w+ V: P- X3 R5 H, ~6 T! b5 U　　6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
6 P2 I' K6 p7 p' T
　　7、I/O界面：1 :SSTL_3、　2 :SSTL_2

0 A' Z5 S5 ?8 S) H8 X5 B0 x　　8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
% Z7 K! b" ]: h2 L2 ~
7 \7 [3 l! G, v1 J0 T" W8 G0 ]6 j　　9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片

　　10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ

, Z" E; j1 |) c3 u. J! F　　11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、　K DR266A

, x( G/ h. _! ^0 A1 U/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
! u3 d6 b: L9 M( Z
0 r5 f5 F3 u2 D4 o6 R* R3 g6 B5 C) \TOSHIBA DDR内存:

2 L# w, }+ M; Z; q& `8 x" l9 e. RTC XX X XX XX X XX X XX
9 R4 r& e0 Z; g! k
1 2 3 4 5 6 7 8 9
. ]0 u; P  e4 u5 Y& V' k; g# F
4 G: S9 j. j) p  P2 B1 V; G
　　1、TC代表是东芝的产品
6 D8 B" {' `" }4 B7 V
* ?' Q* o" N; c: M! ~. h8 U　　2、59代表SDRAM代表是SDRAM

8 G! g1 G$ R8 f& h$ z$ o5 K& j　　3、代表内存种类：S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM

　　4、代表容量：64=64Mb，M7=128Mb

　　5、表示数据位宽：04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
: }# `2 o6 K) ^+ @5 p
　　6、表示内核的版本：可以为空白或A、B、C等字母，越往后代表内核越新
8 r! G7 r0 G$ b& P
0 h8 a8 f# M. F! |7 Z　　7、代表封装：FT为TSO II封装
4 K' e- c2 k  I/ P3 \) O$ B4 z7 m5 \
% B- b0 J! b0 F3 ]* z+ R* O, y1 a　　8、代表内存功耗：L=低功耗，空白=普通

　　9、代表速度：75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns［100MHz CL=3
% o& [' [& C. f( A3 W
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7 s1 g1 C# v7 F# S0 {
" k8 }. C+ Q5 H1 u. N宇瞻DDR内存:

W XX XX XX XX

# I0 @9 ]5 f4 s, b* z2 D1 2 3 4 5
% q1 o, \* J9 t1 I
" I, o1 M7 L# F% r
　　1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
$ c8 E! N5 s- c; f' I  y( Q2 L) I* T3 v
/ g8 y5 k- ^! a* X　　2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM　

　　3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；

　　4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
9 V( ?2 W' n% p1 Y, A
7 X% u2 `6 L' ^% L' W# F　　5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz

狂顶楼主，学习了
& |7 F1 \" `: L+ d) W其他厂商的不知楼主有没统计，发来学习下，多谢多谢

楼上很强啊！向楼上学习！！

Micron内存颗粒
. C  J2 f6 ~7 u) X
7 b. R# W( R; v) S' q  ^( O0 ]0 ~8 cMicron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
9 y# m$ g% k6 C$ N+ r
含义：

MT——Micron的厂商名称。

48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
/ t/ N# e) N& n8 v- l
LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
: w/ W6 @( b8 t' O. c+ i8 P( [& G; s
7 s8 w- Q2 b% d16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
) L' U. Q# O2 Y$ I2 P
8 D0 u! N* s6 q- _$ h7 CA2——内存内核版本号。
0 a4 g5 _% J& v& I$ P& X: w! q) N" }
$ W7 ^1 g' t! E3 C2 [0 zTG——封装方式，TG即TSOP封装。

-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
+ B; |2 x& T* G, W
/ U* b) c' K" Q8 y实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
' c5 T* k  R" m
0 [( r- v: L4 a1 o其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。  明白了。原来如此