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ARM:SC2410与SDRAM:k4s561632c之间的数据信号仿真问题

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发布时间: 2010-2-3 21:11

正文摘要:

本帖最后由 Iphone 于 2010-2-3 21:13 编辑 : F! y6 @/ Y# U4 e ; m: w" b. `0 V6 F! R/ h: i6 [ 有哪位朋友用三星的ARM板设计过?——CPU:SC2410,SDRAM:k4s561632c,你们设计的CPU和SDRAM之间的时钟、数据线等 ...

回复

jang2lin 发表于 2012-8-2 09:58
Iphone 可否把你的模型共享下/ |/ t% `1 y$ H* [* j2 K
chuxuezheyao 发表于 2012-7-21 08:05
楼主,问题怎么解决的?
1 x( c, o1 Q7 p  u我也有这样的问题,过冲没有你那么大(CPU:LPC3250,K4S561632C),但也超越门限值了,
7 O* l2 J4 f' l通过仿真发现,要匹配至少47欧才能达到要求,而且要靠近SDRAM放置!
8 N# e+ v+ I1 Y/ F
cindy0924 发表于 2011-4-22 16:50
回复 wzh6328 的帖子
: d  h, m& t: y  L. k
& ~! E5 H5 Z& W3 W6 h4 a标准参考不是应该上升时间1NS,走线长度在1INCH以内.不能单纯讲长度的吧
cindy0924 发表于 2011-4-22 16:44
我们的设计里,SDRAM没加过端接.我们一直做的三星的AP.
liuzhenyaEDA 发表于 2011-3-29 23:15
我也想这个问题呢
iversn 发表于 2010-2-27 23:24
学习一下,我也想设计ARM板,请问一下仿真是如何做的,用什么软件,要哪些模型,谢谢!
honejing 发表于 2010-2-7 22:54
不想加端接,就要調你的特性阻抗,Z0儘可能小些,过冲就不會那麼大。
wzh6328 发表于 2010-2-4 22:12
线长在2inch以下都可以不加,好像说不算做传输线
Iphone 发表于 2010-2-4 15:22
这种事情千万别参考别人的端接
, P2 o* W! p. T, V6 E* x# s- f4 L要以自己的实际情况为准5 l. j! k* q$ f# p2 i2 y, o- E
有几种情况可能导致不一致,消除过冲的端接不要借 ...; [0 k/ h/ Z/ O8 }" t8 q
袁荣盛 发表于 2010-2-4 12:43
0 n. H! z* z: h) E

1 E- F$ l: ]# c. j8 ~- N# ^' S
; S+ `- S7 n; c1 w    呵呵,谢谢您的建议!我理解您说的!" d# G7 z0 f+ M) w4 _) D3 K2 U7 I
在读状态的时候,SDRAM的输出阻抗只有7.8ohms左右,按理说需要端接电阻(当然大小要视您说的实际情况来定)来和传输线匹配,以消除反射;
% v6 J/ @. I# y$ A我只是很奇怪为什么前人设计的都没有加端接电阻呢?
袁荣盛 发表于 2010-2-4 12:43
这种事情千万别参考别人的端接
' }" S& k+ C. w) H' I0 N要以自己的实际情况为准
) I$ \9 h$ }, H# q% t2 G有几种情况可能导致不一致,消除过冲的端接不要借鉴
8 t7 E% b3 Q& T, q' O% r! M. H
) E4 u; _7 H. B+ T# E" O6 q  f首先叠层不一样,线宽不一样,导致阻抗不一样
  a7 I/ w- E- f0 p: f5 y& B1 j其次线长不一致( w' w7 w( |& y/ }8 }3 j* y7 [
再者,可能驱动源的驱动能力选择不一样( D% i* m1 J1 g
种种情况表明端接要联系实际去解决
8 p8 }3 L) N2 M/ f6 d( z2 a8 N不要参考
Iphone 发表于 2010-2-4 09:51
呵呵,就是" N6 j" `3 g0 D! G& b0 e) P. p
我是想加端接电阻,不过我看前人做的都没有加电阻,不知道有没有朋友设计过这款ARM呢?
袁荣盛 发表于 2010-2-3 22:39
这过冲忒大了点
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