嗯嗯，学习了哦

电平转换，且所加电容为调整上下电时序

yhg-cad 发表于 2018-7-2 15:55
有没有这仿真软件安装包和教程？

; F7 c, V4 }7 P% E4 X, W( Bhttp://tieba.baidu.com/p/4779491129  multisim贴吧有资源

lize314 发表于 2018-6-27 16:19
4 q3 I2 a' h1 @, f9 r同意楼上的，可自己分析
Q2107，Q2108,Q2101为NMOS,当VGS＞VT时导通；
  Q2104，Q2108为PMOS,当VGS＜VT时 ...

有没有这仿真软件安装包和教程？
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qq8649 发表于 2018-6-28 15:42
8 s, H$ c  v$ Hsleep信号为高，对应的电源VCC1.8和VCCDDR就关闭了，VPP_OTP受OTP_OUT_H和RESET两个控制，OTP_OUT_H为高时 ...

. E- y+ E) }, o! i2 H对的，非常感谢！
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sleep信号为高，对应的电源VCC1.8和VCCDDR就关闭了，VPP_OTP受OTP_OUT_H和RESET两个控制，OTP_OUT_H为高时有效，OTP_OUT_H为低时，reset为低才有效。

好像是只有2101是P型MOS管，其他MOS管都是N型MOS，其他如四楼所说，PMOS：Vgs<VT时导通；NMOS：Vgs＞VT时导通

谢谢大家啦

此电路应为过温保护电路以及PMIC SLEEP电路.

同意楼上的，可自己分析
Q2107，Q2108,Q2101为NMOS,当VGS＞VT时导通；
  Q2104，Q2108为PMOS,当VGS＜VT时导通；
  Q2102为NPN,当VBE大于0.7V导通
5 m% G# w* |1 k) o& l2 D5 L! h可以装一个Multisim 12.0 帮助分析理解
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/ `: f, m) T( R- U, [( vPMIC_SLEEP_H 为高时Q2107n导通，Q2104的G极电压为0.03伏，Vgs<0,所以Q2104关断；    PMIC_SLEEP_H 为低时Q2107n关断，Q2104的G极电压为3.3伏，Vgs>0,所以Q2104导通；
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" J' f; i& B" @: m" Q2 T两个线路不一样的地方就PMOS与NMOS的区别，开启的条件Vgs正负不一样。另一个留给你自己分析
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坐等高手解答