只能说抗干扰性增加了,但是成本也大大增加。具体看设计者偏重哪个方面了。 |
估计设计的人怕光耦导通后电平不是0V,是PN结的压降电压0.6V左右,然后噪声余量只有0.8-0.6=0.2V了; 加了14D芯片后,触发极性翻转,并且存在施密特触发,最后噪声余量也变为1.5V-0.6V=0.9V了。 |
学习了 |
以光耦本身最高才10M速率看,到不至于担心信号的嬗变。倒是单片机的io是高有效的,而光耦这里的信号输出低,所以,需要一个反相器。 |
kevin890505 发表于 2017-12-28 10:08 心疼钱的老板知道不打死你。 |
:lol:lol |
学习了 |
kevin890505 发表于 2017-12-28 10:08 学习了1 c# m6 y0 }3 a2 Q: O/ V |
隔离了,后级这边不存在保护,应该是稳定边缘,状态的,因为光耦后面是靠电阻拉的,还整个100nF边缘肯定更缓,整个波形更好,当然还有反向,单片机那边可能有正负要求也不排除。得看具体情况而定。还有就是这个信号不讲究,闲着蛋疼放个更心安。 |
chenlaipi 发表于 2017-12-27 15:32: v' T% ~/ }$ n' ~1 f 没有吧,CPU只是采它的信号 |
增加CPU驱动电流 |
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