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DDR2/DDR3设计中,阻抗控制的必要性问题

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发布时间: 2017-3-2 18:48

正文摘要:

今天看到如下一段话: , a$ s' k; O, |7 F8 ZDDR走线线宽与阻抗控制密切相关,经常可以看到很多同行做阻抗控制。对于纯数字电路,完全有条件针对高速线做单端阻抗控制;但对于混合电路,包含高速数字电路与射频电路 ...

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wanglp_yj 发表于 2017-6-5 16:31
工作一切正常是在所有场景下都正常吗?有大批量长时间运行无故障的实际验证吗?可靠性是设计出来的,不是靠蒙。
qjbagu 发表于 2017-6-5 16:18
阻抗自己计算下,大概差不多就行了,没有绝对的,我是这么认为的。说到阻抗问题,有些硬件还真跟LAYOUT工程师扯蛋。
EDA-Q 发表于 2017-4-11 10:48
学习中
5 {! m. y7 s: d( K$ ?2 w, \; H
fallen 发表于 2017-3-4 00:34
shiyi_jiang 发表于 2017-3-3 19:25
( [8 e7 ?' c/ z* D2 u是了,可以分开做。
# R: L. B; H* G6 B' w0 |另外,我还是想提一下,我的确是看到了那种DDR3不做阻抗控制的布线。
) Y/ }* ]" k9 ]+ m目标板层叠结 ...
6 j: l- H3 A1 k6 U5 w  A
你自己计算下,就会发现很好做。( @1 }: u$ F  I5 b
huo_xing 发表于 2017-3-3 23:48
shiyi_jiang 发表于 2017-3-3 19:25
- ^! [; n' U7 F5 P/ O是了,可以分开做。: k. D+ Q. x, h. {
另外,我还是想提一下,我的确是看到了那种DDR3不做阻抗控制的布线。8 s* d. `9 N  N" P6 c
目标板层叠结 ...

4 v+ r! c7 d8 H/ {7 {/ T5 s5 @这个叠层好控制阻抗的,如果需要,板厂可以帮你调整介质厚度和线宽
, T: Y" R- r: E! F0 p/ P. [7 i( {( D- O

: s6 Y! Z6 o( g% o  Y2 i. M- }
fengyu6117 发表于 2017-3-3 19:43
shiyi_jiang 发表于 2017-3-3 19:25
3 t" \! L  T1 m8 y' C" S' @是了,可以分开做。" Z6 V  m8 ~. V+ t
另外,我还是想提一下,我的确是看到了那种DDR3不做阻抗控制的布线。- g( T+ _4 ^( P2 T
目标板层叠结 ...
# S4 h& ]$ s. {/ t7 ~
[size=14.0000009536743px]可以调整叠层啊,ART01和ART03走线不需要一样粗,调整线宽,如果要做阻抗基本上是假8层去做了,不过还是比8层便宜。, I" F! Z8 X( X3 h- G
fallen 发表于 2017-3-2 23:46
1 用共面波导方式做阻抗
8 Q4 x. c3 y+ Q. U$ E, G" l2 如果是多层板,射频阻抗部门内层挖掉,再用共面波导方式做阻抗
& v/ T2 N& [% J1 k* q4 R# u3 射频加粗做阻抗与DDR做阻抗完全可以独立

点评

是了,可以分开做。 另外,我还是想提一下,我的确是看到了那种DDR3不做阻抗控制的布线。 目标板层叠结构如图所示,DDR3布线在4个布线层都有布线,宽度都是4mil,power电源层在DDR3布线区分割出一块GND平面。但毕  详情 回复 发表于 2017-3-3 19:25
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