你说的抗干扰差,是指ESD测试不好过吧.
. p  u  ]' w& b2 S; j个人建议:
1. 保护器件将静电引入保护地(也就是USB外壳连接的地),保护地与交流电大地尽可能短的连接,将静电快速导出, 信号地与保护地用磁珠连接,不要用电阻或是电容,增大保护地与信号地的阻抗
2. USB布线要求并非那么严格,至于保护器件那部分没有差分走线,保护地和信号地距离较近,我感觉都不是主要问题,你这应该是打静电时,保护器件将静电直接导入到信号地了,从而引起系统异常.的确有些设计是将静电引入信号地,不过个人感觉此方法慎用.要测试这个问题,也挺简单, 你的保护器件接的是信号地,不是保护地,那你就直接在USB接口附近的信号地上打静电,如果不过,说明此方案是不可行的,只有将静电引入保护地
3. 与产品结构也有关系,有的结构有耦合等,你可以先测电路板,但电路板与交流电大地处理好.

niliudehe 发表于 2016-4-11 08:33
谢谢，您的建议，看完后感觉一下明白了好多，非常感谢

对了,前面你说公司用打火机试,这个是不行的.一般打静电,用的专门仪器,比如打4KV,那么这个4KV是相对于大地来说的,因为模拟的是人接触时的静电放电过程,而人是站在大地上的(长翅膀的鸟人不考虑). 如果用打火机打,一是这个电压是多少V不知道,二呢,这个电压应该不是对大地来说的,所以情况怎样不好说,建议还是用专门的静电测试仪器来试,按照标准布置,不然可能做的都是无用功.
# h. d0 T/ f  n. L

风凌天下 发表于 2016-4-8 10:38
两个地之间的间距至少40mil，离得太近了EMC就过不了。USB内层走线跨分割严重吗？这里截图看不到。还有进来 ...

2 J. F3 s# u* q9 r两个gnd直接确实没有到 40mil   现在 目前的情况是  25mil 左右  但是隔离地到BUS的 gnd 引脚 较近 这个是 11mil  不知道这里 影响大不大

8 h! j5 ~2 K5 g0 L另外内层USB走线没有夸分割 USB 下面为整层的 gnd   

最后的伴随gnd孔  我在多加几个
/ ]$ a7 l) T; L  w! b
非常感谢

zhuyt05 发表于 2016-4-11 19:55
对了,前面你说公司用打火机试,这个是不行的.一般打静电,用的专门仪器,比如打4KV,那么这个4KV是相对于大地 ...

" I  K8 l+ c) q/ E' |大神你这太专业了

学习了

zhuyt05 发表于 2016-4-10 23:30
0 _8 T* u9 w! u, Z+ p! A3 T- |4 @4 N你说的抗干扰差,是指ESD测试不好过吧.
  o* I+ F! H7 C- C个人建议:
1. 保护器件将静电引入保护地(也就是USB外壳连接的地), ...

谢谢，您的建议，看完后感觉一下明白了好多，非常感谢

看看

niliudehe 发表于 2016-4-8 16:04
您好，关于第二条我想问下，如改为保护gnd  那usb 这个器件上面的gnd是不是也需要改为 保护地呢？

我是这么理解的，保护器件接到保护地，共模电路直接流向保护地，尽量使共模干扰不流经工作地。
2 @/ K2 c  z8 h% I  n' c, w

个人愚解 ，USB走线多粗？加粗到12MIL试试。另共模电感要用90欧的品牌货。

chenzhouyu 发表于 2016-4-8 13:49
7 n# A% S: U9 e' Y个人愚见：
1、保护地和电源电的距离如6楼所说，加大；
' Y# I' w, N2 h% p+ p( x$ X2、USB的保护器件的接地问题，是否接保护地更为合 ...

您好，关于第二条我想问下，如改为保护gnd  那usb 这个器件上面的gnd是不是也需要改为 保护地呢？

个人愚见：
* x+ N! b3 P' c( Z4 d; _) F1、保护地和电源电的距离如6楼所说，加大；
2、USB的保护器件的接地问题，是否接保护地更为合适？

还可以这样啊？不是做SI吗？

我感觉是不是我们公司测试的方法不对，他们拿了个打火机里面那个按下可以放电的东西，去打机壳。来模拟，USB受到的干扰。各位大神，你们的产品是怎么测试这方面的，求指导下