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【已结束】NAND FLASH 无法读写(金额:2000~5000 元)

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发布时间: 2016-3-11 17:59

正文摘要:

本帖最后由 EDA365_PCB 于 2017-11-17 16:17 编辑 6 v+ k! m% f: i : O0 P0 d% {2 L: r. z1.问题描述:设计的数据采集器主控STM32F407,使用spansion公司的nand flash S34ML01G200存储数据,使用Keil MDK自带RL-Fl ...

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Projectaker 发表于 2016-3-26 17:46
以下三点流程:9 o: ?1 B$ i' `. o! p
1.如果有同样的片子在其他板子上使用,那就更换对比操作,鉴定是不是片子本身问题(如果是片子问题,再怎么折腾浪费时间);
2 B+ @' x4 q( R( e8 O) H8 D% H2.在确定没有焊接问题的情况下来先确定和nand之间的各个信号是否确认互通ok,否则你浪费时间在对的软件里面看错误;0 m. I6 U" U' U4 L. T6 }$ f- Z
3.上述没什么问题,软件找原因。
( J4 o$ n& ~7 m: i个人意见~
myiccdream 发表于 2016-3-14 18:12
按照“每1分钟采集两次数据存储在flash中” 。5 J; n) M7 _3 M" r% @+ Y7 Z0 ^0 w
按照30秒写一次Flash ? 然后在假设楼主的程序在反复的擦写flash的同一页:
1 H' o0 S6 N( w3 @0 G! v/ E# W30天*24小时*60分钟*2=8.64万。 这个Flash就差不多报废了。
, G, W. x8 s6 _+ B1 }, D0 W, F$ `/ W其实要论证一下是不是程序问题很简单。 将这个擦写速度提高,比如200ms什么。看问题是否大规模出现就可以了
gaoyubindan 发表于 2016-4-3 15:50
NAND FLASH写入次数是有限的,楼上的朋友分析的很对,下不下来资料,没看到具体的檫写次数限制,按照介绍的频率,一个月差不多2000多次。为了进一步验证是不是檫写次数导致,你可以把读写时间改短,然后持续檫写,看看最终可以有好多次的寿命
digitzing 发表于 2018-2-7 15:22
问题找到了吧?5 L+ A1 f0 f6 s2 c
arminzn 发表于 2017-9-10 12:07
大家好。 我有個問題。 為什麼在你的設計中使用這個(BLM)?
Tony7919 发表于 2017-3-7 17:03
不一定就是FLASH寿命问题。
iuven 发表于 2016-7-29 14:01
寿命问题!NAND Flash不做算法这么用不坏才怪呢?
arrowlin 发表于 2016-6-24 16:15
学习了
dwtqqa 发表于 2016-6-23 10:05
SLC FLASH寿命是很长的(擦写大于10W次),不过MT的会比较差,可以正规代理找三星的试试,软件上要有磨损平均算法.
djadfas 发表于 2016-6-8 16:03
开始可以正常,说明软硬件暂时没有问题的: J8 q2 ^: i0 @9 s" G4 N! j- {0 C
% L$ w' F8 M) q' ]- m
那么为什么会坏呢,就只有一种可能:焊接
顺风 发表于 2016-5-18 14:35
nand flash的擦除是有次数的。但是也没有这么快就完蛋吧。即使有那么多坏块完蛋也不能片选拉低不了吧。是不是坏块过多换一片nand就是了。我们的产品用nand都快6年了。也没怎么样。也是经常性的打包日志往里面存。
liangkai520 发表于 2016-5-12 09:24
有没有PCB图看看是不是少了根线,之前我也遇到过这样的情况少了根线。
keke96 发表于 2016-4-17 20:36
很大可能跟硬件有关: K; b- t$ Z" e& W% Q. i
mcu20050226 发表于 2016-4-4 18:55
是不是FLASH寿命问题, 可以看懂下面的方法。在有问题的板子上FLASH换了一下吧。 8 h  O4 b' ?+ u$ v0 Y
出现一样的话, 有其他原因。
mcu20050226 发表于 2016-4-2 23:02
对, NAND FLASH写入次数是有限的。 肯定这个原因。
hupmtv 发表于 2016-4-2 22:13
这种设计出问题是必然的,NAND FLASH写入次数是有限的,你这个规格书上说1000次左右“– Block zero is a valid block and will be valid for at least 1000  program-erase cycles”,如果频繁写入是不能用NAND FLASH的。
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