$ E3 {- u0 h$ u( B, A$ s4 a
5 I, P' L. b2 E" u& ^( c

1.    Matching组件的决定  请看以下附件  看简体版的较方便

% \. F* M, U( X+ r& ]

Passive_Impedance_Matching_____.pdf (710.92 KB, 下载次数: 81)

2015-12-31 14:17 上传

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2.    DC Block部分  

' t$ `8 F7 q; q' V" F) Z7 `

如果你不想让该DC Block影响阻抗   那你放个150pF就好

   假设下图Point1是原始阻抗  Point2是串联150pF的阻抗

   可以发现  串个150pF 不会影响阻抗

# {( r6 H" P( L' R+ G
5 h! j% s/ z2 T$ C* m

而且串电容   基本上只会砍直流

对你433MHz的讯号  几乎无损耗

  I$ H4 P, |. E" V

. C9 K, ]# T  [% {9 c; Z
) ?, q! ^' V0 N/ i$ N! d4 p
9 ^, l+ e* J. Z" w" d

所以4463-TCE20C460_sch.pdf这份文件

DC Block放的是150 pF   

当然你也可以物尽其用   把DC Block当Matching组件来用

既然是Matching   那值的决定  就同步骤1

反正你只要串个电容  就可以当DC Block

433 MHz的讯号  不会被DC Block衰减

( F2 |6 `8 d0 A; E. X; x' d

) T9 v4 g0 l3 L0 d* }
/ ~+ M9 T5 l, b! F0 Z

至于C7跟L5  因为你Rx讯号是差分

再比对4463-TCE20C460_sch.pdf的话

这两颗应该是Matching组件

只不过差分的匹配比较难  

你就尽可能让Rx走线走短一点  阻抗控制好  不要走内层

如果Switch离Si4463就是很远   那你要在C6前面

多加一组L型Matching  

然后这个L型Matching跟C6

都要非常靠近Si4463  这样到时候

你Switch到C6的长走线   造成的阻抗偏掉

还可以靠这个L型Matching调回来

同时因为Switch到C6这段  是Single-end的50奥姆

那你就回到步骤1去调Matching就是了

这样的话  只要确保Switch到C6是50奥姆

因为C6离Si4463很近   所以C6到Si4463  阻抗不会偏太多

那L5跟C7  就随便盲调即可

真要放个初始值   那就分别放1pF跟1nH好了

不会影响阻抗   也不会衰减到433 MHz的讯号

. G; U$ H# q6 c6 U( A

至于L1  那是当RF Choke使用

目的是避免RF讯号  回灌到你的VDD

那你就放个270nH

# s' |* C; y! e

& g7 v4 v, h, u! v
7 ]' h5 M; V  W) E* _" K# d8 @" N

由上图可知  串一个270 nH的电感

对于433MHz  有23.5 dB的衰减

这样对于回灌到VDD的RF讯号   已经有一定衰减量了

同时  270nH电感的自我谐振频率   是586 MHz

换言之  你的433 MHz仍未超过270nH电感的自我谐振频率

所以不会有啥副作用

( Q9 _( R/ \6 Q: y

# c/ _4 r2 \0 L: x( i
" s) C8 \; a% e  `/ `9 b

如果你的电感值过大  其自我谐振频率就低

那么一旦你的433MHz  超过其电感的自我谐振频率

此时对于433MHz而言  

这颗电感会呈现电容性  你是在利用他的电容性来砍RF讯号

也就是说  你是把电感当电容使用

或许仍有RFChoke的作用   但这可能会有其他副作用

liny123 发表于 2015-12-31 08:57
传输线上的电感及电容是需用网仪实测看离50ohm的偏差多少再来微调确定的.

那也要有一个基本值啊，我第一次焊上去的值该如何确定，还有能举例一下该如何微调吗

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