电巢直播8月计划

EDA365电子工程师网»技术社区 › 电子技术社区 › 电子硬件设计论坛 › PMOS管压降过大，参数选取的问题

PMOS管压降过大，参数选取的问题

查看数: 422 | 评论数: 14 | 收藏 0

关灯 | 提示：支持键盘翻页<-左右->

发布时间: 2015-12-2 00:36

正文摘要:

本帖最后由 linsmt 于 2015-12-2 18:56 编辑 5 }+ R8 Z! X2 y% p% h3 g& A " X; m/ l+ ?( O8 C5 T0 ~FALLEN版主，能否帮看下以下MOS管参数选取的可行性。现在测得MOS管导通时，输入与输出之间压降过大。谢谢！！ ...

回复

yhg-cad 发表于 2016-2-9 15:59: 此帖仅作者可见

nashouat 发表于 2015-12-8 23:10: 此帖仅作者可见

linsmt 发表于 2015-12-4 21:14: 此帖仅作者可见

ivwssc334933 发表于 2015-12-4 08:48: 此帖仅作者可见

wangshilei 发表于 2015-12-3 18:59: 此帖仅作者可见

liangjiatian 发表于 2015-12-3 16:42: 此帖仅作者可见

火山口 发表于 2015-12-3 11:47: 此帖仅作者可见

i265 发表于 2015-12-3 08:50: 此帖仅作者可见

zlpkcnm 发表于 2015-12-2 15:42: 此帖仅作者可见

北漂的木木 发表于 2015-12-2 13:03: 此帖仅作者可见

12345liyunyun 发表于 2015-12-2 10:28: 此帖仅作者可见

fallen 发表于 2015-12-2 10:27: 此帖仅作者可见

fjnhzhm 发表于 2015-12-2 10:18: 此帖仅作者可见

flyingwave 发表于 2015-12-2 01:08: 此帖仅作者可见

推荐内容 /1

技术风云榜

关于我们|手机版|EDA365 ( 粤ICP备18020198号 )

GMT+8, 2025-5-21 22:06 , Processed in 0.730488 second(s), 37 queries , Gzip On.

深圳市墨知创新科技有限公司

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

快速回复 返回顶部 返回列表