Q2+Q3 背對背接法是防止反向漏電
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& l$ \4 {) S; |9 |, A/ e3 O- |1 v當DC_IN有電的時候 Q2+Q3 導通，Q4 關閉。
* g0 }$ ~! d7 a3 B/ t當DC_IN消失的時候，Q4導通，Q2+Q3 關閉。

Q1呢

jacklee_47pn 发表于 2015-6-2 15:34
# r* B: {  \, Z6 O  V- c; K增強型的金氧半場效電晶體（EnhancementMOS）也有四隻腳，理論上D與S是可以互換的。但是在實際製作過程會 ...

* b* u; p" |3 D0 s, @4 T* Z# f+ C非常感谢！说得很详细。

tianpu0501 发表于 2015-6-2 13:59
Q2+Q3同时怎么个原理能同时导通，P MOS管 G

  I+ a, n. H8 u  C1 D

增強型的金氧半場效電晶體（EnhancementMOS）也有四隻腳，理論上D與S是可以互換的。但是在實際製作過程會產生寄生二極管，造成使用上有單方向漏電(或說是保護MOS管)。

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當交換D和S的時候，在設定MOS管偏為壓導通的狀況下，Rds(ON)壓降會遠小於寄生二極管VF。在MOS管偏壓為截止的狀況下，會有漏電的存在(VF壓差) 。

jacklee_47pn 发表于 2015-5-29 18:36
Q2+Q3 背對背接法是防止反向漏電

& P7 J3 b9 S! V/ n$ R" H當DC_IN有電的時候 Q2+Q3 導通，Q4 關閉。

Q2+Q3同时怎么个原理能同时导通，P MOS管 G<S才能导通两个S级连在一起，电流怎么流的？