不同的精度下公式会有修正  
5 [' w9 c, K4 i% y; N我们只需要很清楚各个参数如何影响特征阻抗  以及哪些参数影响更大 就好
: z! X4 P% G: K+ x
; R4 X( t% J1 W5 K$ j

newstars 发表于 2015-2-28 09:49
! C! m- Z: w# F$ o: z找到了

这个只是理想情况下的吧

IPC有
$ j1 H" \% a/ Q- M! |6 ]1 hEricBogtain的书籍也有提到

cousins 发表于 2015-2-11 13:01
microstrip
; _" W0 z) y9 n5 {! a4 F87*ln(5.98h/(0.8w+t)))/sqrt(1.41+relative dielectric constant)
$ r! M& ?' i9 R0 F& _9 o  p$ w3 vstrip

非常感谢，请问这个公式在哪里可以找到。你有相关的PDF文档吗？

公式不难记忆，但是并非最为精确，精确的公式要将其中的一些常数精确到小数点后几位。
. E8 y5 @& U- [& `% i$ `记住公式可以帮助你自己编写一些函数库，不依赖仿真软件的前提下做设计前分析。也可以称做前仿。

microstrip
# h" C) P9 ^3 v/ D2 G87*ln(5.98h/(0.8w+t)))/sqrt(1.41+relative dielectric constant)
: a% z( Y4 d; z/ l% P! }8 ustrip
. F5 B. Q7 N$ q% k; ]' |60*ln((2(h1+h2)+t)/(0.8w+t)))/sqrt(relative dielectric constant)
5 X& m9 D" Z/ @" w6 {
h为介质厚度
  ?' v0 s8 e$ P5 V+ Z) |w为线宽
$ e0 m1 q" W. O2 H: vt为线厚
# p3 z+ ^- Y/ k% r+ f) [5 oh1为到上参考层介质厚度
6 q7 ]1 @# x0 W& z: X; d- eh2为到下参考层介质厚度
/ D3 N# h7 Y  |7 |' O5 q; q: B

不要去追求这个是如何计算的，这个对于你也没有太多的作用，忽略吧