分立器件5——MOS管的损耗评估

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作为一个硬件工程师，烧过几只Mos管是再正常不过的事情了。笔者曾经在一个上下管应用的场景中（PWM控制驱动电机），没有控制好上下管的死区时间，导致上下管同时开通，Mos管就光荣地因为短路过流，导致损耗太大无法承受而烧了。今天谈谈如何才能评估Mos管的损耗？
1，开通损耗
MOS管在开通过程中，电流，电压和功耗的波形近似如下：

3 }$ Y! i  i8 R& v# E- c/ _Rds（on）为Mos管的导通电阻，会随着MOS管结温的变化而变化，一般MOS的Datasheet中都会给出一个温度变化曲线，可以参考改曲线取值。
( y+ S3 |# K6 c7 ]9 O  R& F# ZIdrms为导通过程中的电流有效值
Ton为一个周期内的导通时间
$ s  P0 }1 O4 q) v  wF为开关频率
! e. n  a1 G  y- w3，关断损耗
8 g$ I- E/ B3 v8 g) I
$ d& j" J# m  _% B; }' u7 e2 }( MIdss为Mos管截止时在实际结温情况下的漏电流，可以参考器件手册取一个合适的值。
Vds为截止时Mos管DS之间的电压
Toff为一个周期内的截止时间
! V0 w' ]  {% c; w9 L, S7 Bf 为开关频率
% D/ Y; {9 a# j* Q另外还有门级损耗和输出电容损耗，还有Mos内部寄生二极管的功耗。因对整体Mos管的功耗影响不大且涉及到具体的应用和各个管子的参数不同，这里不再详细叙述。