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上期话题6 o3 A) _% p/ u& e2 |& b5 Z. M
绕线的影响?SI来告诉你0 X9 |. V; M3 p3 ]; g& E* q0 c; ^. h
【文:黄刚】
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(戳标题,即可查看上期文章回顾)8 L; ?. g1 U1 D: \* y
问答说说你们目前对绕线的设计是怎么去处理的?或者对于绕线还有什么见解也可以谈谈哈。' s" @; ?) T5 r+ m: F
感谢大家精彩的回答,你们写的字数可能比高速先生的点评文章还要多呢(#^.^#)。好,言归正传吧。
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我们本期文章是自己做的一块测试板,所以肯定是朝着最恶劣的情况去做的啦。我们的绕线部分达到了10inch,一般像DDR系统都不会有那么长的绕线吧。从这个恶劣的情况看出,3H真的是我们的底线了,最近的话影响的确比较大。但是这个影响本身也是跟绕线区域的结构有很大的关系,例如绕线的相互长度,绕的来回的次数。如果情况没有我们的测试板所示的恶劣,一般来说3H还是非常安全的,延时基本也和不绕线是接近的,所以大家千万不要怀疑3H哈。( n$ u! N8 [" n x" {
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% S$ l8 W4 N0 y然后大家会觉得单端的情况很差,那如果走差分线的话,如果速率高上去了,绕线会不会也很单端线那么差呢?其实不会哈,同样是3-5-7H的差分绕线,差分的情况就变得差异没那么大了。
; o8 e1 n# \8 ^$ O8 n7 G 所以回到我们的设计上,还是高速先生那句老话,it depends。看板上的布线空间和等长的要求来定吧,空间大7H就更好,空间小了,3H也尽量保证,要是真的不能保证3H了,那么更小间距的绕线就只能尽量的短咯。要是还是没把握,那就……你们懂的,嘻嘻……& e* @* _1 c: U) m
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(以下内容选自部分网友答题)
[5 l3 T- a$ M5 \绕线尽量间距越大越好,我一般都绕到五倍或者七被线宽
0 {0 o& X* Z8 E; |8 [3 h@ 两处闲愁; p7 Z3 p. H! h* `6 X* `
评分:2分- Q, f+ [8 y) {' T# p9 ]6 ]. _3 M
【1】、首选要确定DDR的拓扑结构,【2】、注意按相关DDR LAUOUT规范,注意VTT端接电阻、去耦电容等的摆放,还要使DDR数据线尽量短;【3】、注意层叠结构科学合理;【4】、数据 (DQ,DQS,DQM):组内等长,误差控制在20MIL以内,组间不需要考虑等长;地址、控制、时钟信号:地址、控制信号以时钟作参考,误差控制在100MIL以内,Address、Control与CLK归为一组;【5】、绕线还要注意运用20H原则、严格遵守3W规则,走线尽量同组同层,在不等长处绕,尽量绕大波。尽量采用3倍线宽,45度角绕等长;【6】、地址线上的匹配电阻靠近CPU、数据线上的匹配电阻靠近DDR、DDR芯片的去耦电容放在靠近DDR芯片相应的引脚;【7】、设置合理的绕等长规则;绕等长完成后,最好把DDR相关网络锁定,以免误动。【8】、需要严格控制CLK与Address/Command、Control之间的时序关系,确保DDR颗粒能够获得足够的建立和保持时间,必要时使用仿真手段来优化设计。
4 t: T5 Q2 v; m" P: P+ f8 `7 Z" T" J@ 龍鳳呈祥- d8 N# m% D- @/ f" B3 }3 B5 }5 K( I
评分:3分, B4 I: y) E7 t
前几天一个同事讲了一件事:看电视转播某城市自行车公路赛,出发的命令发出后运动员争先恐后地慢慢向前挪动,一段时间后队伍前面的已经跑出二三里,后面的才刚通过起点,最后成绩计算是看谁先到达终点。听完后大家一脸茫然,因为和他一样,都是此运动的小后生。现假设讲述和武断成立,那后面出发的队员只得拼命的蹬呀蹬,“绕呀绕”才能取得好成绩,没有人给你算上偏移量。当然了安全、比赛规则不能违反。1.芯片区域寸土寸金,还有大量的信号需要走出,这个区域不绕线。2.有句话很有名“没有声音,再好的戏也出不来”。没有空间绕线只能想三想,既然需要绕线,在画图前就要规划空间。有空间利用空间,绕线时能宽就宽。没空间开个会,让硬件、结构创造空间,在等于规则的基础上能挤就挤。3.人体的安全电压是36V,但书上说“轻轻地挥一挥手,不带走一片云彩,突然产生1000V电压”。看完后,走路是轻轻地移,招手是静止的画。一想到1000V就浑身发抖,但一年过去我还是我,没有被烧伤。线路板能做出来,极限时上面的线路中心距已经大于等于2W了,若空间有限,短距离的2H可接受,短距离的空间重叠也可接受。 ' P* C+ W$ a& T% _
@ 山水江南
& w- b' L$ i/ J6 @, r# I评分:3分
" l- S5 G7 A/ p单线绕的话,经常是3倍的线宽去绕,如果换算成H的话,差不多;尽可能绕大波,信号在大波中传输场效应小些,大波也好看;差分更多时候还是在换层的地方绕线,不换层就在两端处绕线;至于起包,高度不超过3倍间距,还是要保证一定的紧耦合。 . t5 T3 e# e$ ~6 I9 i1 G% A
@ GFY
2 R6 B8 H0 l4 ~* K评分:3分
$ b' C/ }* k+ b; n k# @# W绕线尽量在不等长处。尽量同组同层,这样延时才尽量相等。能绕大波就不绕小波。
/ F6 l" j& ?+ \$ t) Z. c@ 涌
" b- @7 X/ B m8 o评分:2分2 \4 z# G8 J/ }; f8 Z( J
1,同组信号,绕线方式尽量保持一致2,等长的绕线不一定等时,注意芯片内部走线的补偿3,等长误差并非越小越好,参考规范要求
2 k3 T7 s7 _ ~' l% ? _% q; {@ Ben
( [' z9 y% p8 x$ o2 n" U. u! r6 U% l评分:2分
7 p( S* q# F% _; v绕矮一点谐振频率是不是就往高走了
0 i# C! ]- T/ r i@ 王世不恭
& ^' ? e/ B8 y- X/ j, T: L1 e评分:2分
. u- }1 w D$ L$ S; d差分线的绕线也会在SDD21上出现周期性的ripple,与长度,间距等相关性较大。从HFSS仿真以及实测中都可以发现。只是差分SerDes一般不需要绕线,只是在测试板上常见,在相关的评估中需要注意。
5 u: a ] _4 Y/ R2 k# A@ 榕树儿 R% j& x; q# |2 ^
评分:3分* e1 F. h9 T8 E2 T( z+ |1 D
我觉得应该补充下分布电容和分布电感就更完美了 ( c' G) K* M: E% E$ l1 K
@ EMC【1022】0 D4 l4 K- t6 o- ]
评分:2分
( |1 |$ `7 Z/ H' \! ~5 B4 y3 W* q记得以前高速先生讲过:针对微带线尽量少绕,绕的话尽量使用小波浪绕线;在3GHz(6Gbps)之内,绕线方式基本不会对信号质量有太大影响。
' n1 z, t1 E, t, T( R4 Q' j+ p再就是,哪里不等长就在哪里绕,比如微带线不等就在微带线绕,带状线处不等长就在带状线绕。在做相位补偿时, 绕线部分的要控制比较大的 Gap, 减小耦合的强度。 差分的对内等长可以按3W去绕。 . ~2 T) p% |/ [+ y9 E3 D
@ 杆" y: E& ?1 ?2 q& }* K" }5 Z9 q
评分:3分
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9 D( n+ n' p+ N: q+ V+ c9 ]2018年积分累计已截止,兑换截止时间为:2019年3月31日9 _, g- @: M$ k& V/ z1 B( B
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( \+ W5 x: Y( J4 N+ _. g/ K————你可能错过的往期干货————
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绕线的影响?SI来告诉你
5 N7 _8 |. F) b7 l 520,陪你一起去看天上最亮的那颗星 |
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