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请教:时钟的驱动能力是指什么

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发表于 2008-9-1 21:48 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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时钟的驱动能力是指什么,驱动能力大小与走线长度等有没有什么联系?6 a' c0 i  P7 r/ l+ [. a0 G( B" g
     还请各位指教,Thank You.
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发表于 2008-9-1 22:05 | 只看该作者
对于时钟,可能驱动能力更多的是指fanout的能力,个人理解。
1 v' @: T5 s' o& l当然跟走线长度有关系,路走远了,人也会累的

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Allen + 10 非常正确!

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发表于 2008-9-2 11:30 | 只看该作者
驱动能力一般是指IC能够输出电流的大小吧。驱动能力越强,是指电流越大,带负载的能力自然也就越强。这样clock的上升时间和下降时间就越快。个人认为和走线长度没有关系。

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发表于 2008-9-3 00:01 | 只看该作者
killerljj关于驱动能力是指电流大小的说法确是正解。不过我以为上升时间和下降时间作为芯片的参数之一,是在某个固定的负载条件下测得的,与芯片的驱动能力应当没有关系。在实际的电路中,时钟驱动的负载越多,则负载引脚的寄生电容效应越大,从而导致上升时间和下降时间延长,这个效应不会因为芯片驱动能力强而减弱。个人理解,欢迎讨论。

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发表于 2008-9-3 19:33 | 只看该作者
这是不是芯片发热大的一个缘故之一
9 N# p& g0 I$ A0 E$ {* H/ O现在的芯片都是百万门
8 m% n: A, T& d& I( i每个触发器都挂上全局时钟,时钟够累的; i3 D; A% K, Q  x4 I
那这驱动能力的提高在那方面体现

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发表于 2008-9-4 13:26 | 只看该作者
简单说是驱动电流大小.实质上指的是驱动器的传输线的内阻,这将会影响到传输线的入射电压分配.
5 J9 `: n; x4 f( T比如,一个驱动的内阻是50欧,电源电压是3.3V,驱动一条50欧的传输线,显然驱动电流是3.3/(50+50)=33mA,入射电压是1.65V;如果要驱动两条传输线负载,驱动电流是3.3(50+25)=44mA,入射电压却只有1.1V了.
  F' @* f9 l0 B& j
  s3 H" G( c  d4 P. S8 B! u如果换成内阻是12.5欧的芯片,驱动四路50欧的传输线是没问题的,$ p  e7 O1 l* |  \
; p0 n) {8 @3 P: f% P0 J+ i7 d
但并不是驱动电流越大越好,当低内阻的源,驱动轻载的时候,入射电压会很高造成更大的反射和振荡
7 j- y: D) [5 Z2 }4 l( q8 |; }/ w
[ 本帖最后由 yangcanhui07 于 2008-9-4 13:28 编辑 ]

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 楼主| 发表于 2008-9-9 23:13 | 只看该作者
时钟的datasheet里有1X,2X的调节。
1 F0 h8 m" v: i7 w1X的走线长度有没有最大限制?

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发表于 2008-9-12 12:12 | 只看该作者
原帖由 gyj1038 于 2008-9-3 00:01 发表
: R9 A( _, T6 H5 ~* R( Bkillerljj关于驱动能力是指电流大小的说法确是正解。不过我以为上升时间和下降时间作为芯片的参数之一,是在某个固定的负载条件下测得的,与芯片的驱动能力应当没有关系。在实际的电路中,时钟驱动的负载越多,则负载 ...
8 t% `! h0 t3 I/ }2 Z
严重同意  呵呵

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发表于 2008-9-12 21:29 | 只看该作者
和工作频率应该也有关系  频率越高 对驱动能力的要求越高 不知道正确否

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发表于 2008-9-18 22:09 | 只看该作者
理解成扇出电流能力比较确切

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发表于 2008-9-19 14:55 | 只看该作者
原帖由 gyj1038 于 2008-9-3 00:01 发表 , {9 c9 t; x( J6 s- J* \1 M
killerljj关于驱动能力是指电流大小的说法确是正解。不过我以为上升时间和下降时间作为芯片的参数之一,是在某个固定的负载条件下测得的,与芯片的驱动能力应当没有关系。在实际的电路中,时钟驱动的负载越多,则负载 ...
. R1 \* Y1 \8 r. J4 Y* Q* V1 ?

* P* [( T$ L+ E  T
' ^: q0 T# X* ?+ H那么当负载已经固定的情况下,难道上升时间与驱动能力没有关系吗?
/ u' O$ c/ f& V当你的板子已经做出来,正在调试debug的时候不就是这种情况吗?! h1 g! ]0 K, j2 N$ c$ T& q
) p; Y* K: N; Y
[ 本帖最后由 killerljj 于 2008-9-19 14:57 编辑 ]

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发表于 2008-9-19 23:06 | 只看该作者
原帖由 killerljj 于 2008-9-19 14:55 发表 . v. |4 B/ X8 P2 U' S/ q" Y
2 l( h2 f, w" Z( o% X

: r; a* ^  G# D- I  b. o* Q- w$ F! ?8 ^- E
那么当负载已经固定的情况下,难道上升时间与驱动能力没有关系吗?% s: [+ Q- t3 o  s; I
当你的板子已经做出来,正在调试debug的时候不就是这种情况吗?

+ @! s/ v* y9 V; k, [4 P8 V/ m) n$ C  h6 ~% k) K' v0 |
不知killerljj说的debug时候的情况具体是指什么?可否举例说明一二。
5 R1 ]( Z$ `! F9 R9 F5 ?9 t$ t( H9 M$ ~4 H
上升时间和驱动能力都可以被认为是芯片的固有属性,当芯片被生产制造出来的时候,这两个属性便不可更改了。从使用的角度来说,它们之间没有关系。
/ p. L8 |3 m! t, ~% z- q+ f3 P我们可以说“芯片驱动的负载越多,寄生电容越大,实际的上升时间就越长”,但是这个芯片无论驱动了多少负载,它的“驱动能力”都是一个固定的值。就好比说某个人最大饭量是一顿饭吃十个包子,即便他今天只吃了五个包子,我们仍然说他的最大饭量是十个包子。

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发表于 2008-9-21 23:01 | 只看该作者
主要是指带负载的能力!

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发表于 2008-9-23 15:19 | 只看该作者
原帖由 gyj1038 于 2008-9-19 23:06 发表
( W) X+ t! u$ @. a2 t) b! \% ^' }) s% z6 V$ X8 F
" L# k- K- e. a* X
不知killerljj说的debug时候的情况具体是指什么?可否举例说明一二。; q& u+ f+ R( l* \- p. l

  U; z0 S. J" }9 B% N1 V上升时间和驱动能力都可以被认为是芯片的固有属性,当芯片被生产制造出来的时候,这两个属性便不可更改了。从使用的角度来说,它们之间没 ...

+ y. m( T$ R: e* X, e
5 X9 w; [/ ?. s0 S
' _6 {2 _0 t! r: ~我是做主板的,根据我的经验:. b. S; H0 b9 B( Y: I
首先,据我所知通常很多clock芯片的驱动能力是可以通过寄存器调节的,而不是固定不变的。- C* e3 g$ _  @, l
4 B/ r1 w( h( M! s  x
其次,板子做出来一般很难做到一版ok,多多少少会有些这样或那样的问题,例如rise time与spec不符,那么你要怎么办?当然是debug了,你总不能置之不理吧?当然,咱也不能否认有这样的强人存在,不过非常少……3 T  t9 x( v. C* d# \

- N5 A) q. \! `$ m- T第三,板子做出来要经过很多严格的测试,EMI、 compatibility 等等,如果你在两信号质量时发现一个clock的rise time或者fall time 或者edge rate与Spec不符,那么最便宜、最方便、最简单的方法是什么?——通过调节clock芯片的寄存器来控制输出驱动能力。显然这是最灵活,最便宜的设计!
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