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[Ansys仿真] SIWAVE 仿真遇到的疑惑

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发表于 2010-2-25 16:45 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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我在对一块8层PCB 上的一组微带线进行S参数的仿真,发现与实际网分的测试结果相差较大,线宽,叠层和材质都是按照PCB板厂提供的设置的,而且有两根射频线的插损和回损完全与测试结果相反,不知道什么原因。另外板上过孔在仿真过程中怎样设置。请哪位高人指点一下。
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发表于 2010-2-25 21:08 | 只看该作者
首先你说的仿真与测试结果有很大差异
, j4 ^, a4 S; z/ L0 [5 S% CSiwave进行微带线的S参数提取,得到SnP文件! t& W$ f: `7 J0 l1 r6 m: X
但是你的测试环境是怎么样的呢?
+ R# u1 ]! Q1 w; f8 j用VNA么,微带线端口有SMA接口么?6 P$ [- U9 m6 ?( q" l6 i) ~! o7 @* A
1 S4 {) L/ g- D4 O2 T6 q5 e2 K$ o
不介意的话
' D' ~/ D/ F; ~  q! O把插入损耗和回报损耗的测试波形发上来看看就明白了6 L* z; i% ]  p! I1 j3 {. I; F
完全相反倒不会
不問可不可行,而問如果一定要做,該怎麼做

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发表于 2010-2-26 10:14 | 只看该作者
应该是科学可以解决的问题!

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发表于 2010-2-26 23:12 | 只看该作者
我會比較相信网分的测试结果。
1 w9 w: T* `$ D; R, S" ]: P且有两根射频线的插损和回损完全与测试结果相反 ==> 會不會是 Port 看錯或設錯?
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