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标题: 过压保护电路问题 [打印本页]

作者: liaotingkang 时间: 2014-1-14 12:50
标题: 过压保护电路问题
附件是过压保护电路，红圈中 R349--100K，换成0.1UF好，还是100K，请大家帮忙看一下，谢谢

OVP.jpg (118.67 KB, 下载次数: 2)

OVP过压保护电路

作者: liaotingkang 时间: 2014-1-14 13:35
我知道 0.1UF的电容为加速电容，加快MOS管截止时间，

作者: yujingfa 时间: 2014-1-14 15:55
能解释一下他是怎么工作的吗？看不懂

作者: longj99 时间: 2014-1-14 16:14
小廖，换成0.1UF。

作者: wudi20060501 时间: 2014-1-14 17:28
也不太懂，问一下，能5.8V断掉吗？稳压管5.6V，还得有个管压降三极管才能导通，发生保护，最少也得6.2V吧？

作者: liaotingkang 时间: 2014-1-14 17:34
能否帮忙仿真一下，大家，

作者: jacklee_47pn 时间: 2014-1-16 17:41

liaotingkang 发表于 2014-1-14 17:34
8 t" `9 _/ s: I) e' B* ]能否帮忙仿真一下，大家，

仿真可以找 Super Go, 他仿真粉厲害的啦~~~~

作者: kobeismygod 时间: 2014-1-17 11:19
0.1uf看起来好像是缓开启作用的，同时还会影响前面过压保护电路的关断响应。至于是电阻还是电容看实际情况。

作者: part99 时间: 2014-1-17 11:25
本帖最后由 part99 于 2014-1-16 22:54 编辑

设计不够好，NPN三极管应该放在R354的位置，导通后拉低P-CH MOSFET的Gate；
如果过压，NPN应该截止，MOSFET的Gate电压和S一样，这样就不通了。

作者: liaotingkang 时间: 2014-1-17 12:17
请上图，

作者: weihuaping118 时间: 2014-1-18 09:32
我觉得没有什么明显区别的，你可以找狗版主仿真下，你的电路有待优化，呵呵

作者: liaotingkang 时间: 2014-1-20 17:18
终于明白了，谢谢版主-查尔斯，因为突波能通过电容，反映肯定更大了;还有100K：10K =10：1分压，5V 经过分压是 0.45V（10：1），要到4.5V左右MOS才能真正截止，即5*10V突波经分压后才为4.5V，

作者: liaotingkang 时间: 2014-1-20 17:24
终于明白了，谢谢版主-查尔斯，
1--因为突波能通过电容，反映肯定更快了;（暫態阻抗很小，突波會全落在 10K 電阻上。
所以只要接近 4.1V 就會動作了版主写的）
2-- 100K：10K =10：1分压，5V 经过分压是 0.45V（10：1），要到4.5V左右MOS才能真正截止，即 5*10V=50Vi突波经分压后才为4.5V，才能关闭，（前面还有个稳定二极管 ~~双重保护了）。

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