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标题:
减小轨道塌陷措施？
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作者:
lcy
时间:
2013-10-11 09:44
标题:
减小轨道塌陷措施？
1、减小电源和地路径的回路电感；
- e* T) |! C$ E4 s! e7 n: i
2、使电源平面和地平面相邻并尽量靠近；
9 w, a; v, x" M: z6 O8 L
3、在平面间使用介电常数尽量高的介质材料使平面间的阻抗最低；
; F( R- \' f9 D! W* Y$ V w+ Q
4、尽量使用多个成对的电源平面和地平面；
7 l! N5 ?- F( D& C2 e' m
5、使同向电流相隔尽量远，而反向电流间隔尽量近；
% |4 _) m' |9 r
6、在实际中，使电源过孔与地平面过孔尽量靠近。要使它们的间隔至少与过孔的长度相当；
: X5 ~- h- p1 p5 q1 p* p
7、应将电源平面与地平面尽可能靠近去耦电容所在的表面处；
% E, W* O4 J) C
8、对相同的电源或地焊盘使用多个过孔，但要使过孔间距尽量远；
$ \% m1 b% \9 u
9、在电源平面或地平面上布线时，应是过孔的直径尽量大；
2 f( w# R) F/ s4 K% c1 Z/ W: f8 z
10、在电源焊盘和地焊盘上使用双键合线可以减小键合线的回路电感；
X b$ y- i$ ~" k2 F8 F
11、从芯片内引出尽可能多的电源和地引线；
* x# J0 y% ^" |' V
12、在芯片封装时引出尽可能多的电源和地引脚；
7 z' ?: j+ U# P& ~7 x8 q3 [
13、使用尽可能短的片间互连方法，例如倒装芯片而不是键合线；
$ D6 u$ x. m; l! a
14、封装的引线应尽量短，例如应使用CSP封装而不是QFP封装；
6 H) n7 N: h; a4 a) R1 n3 L/ m# p
16、使去耦电容焊盘间的布线和过孔尽可能短而宽；
/ w! V4 z8 k0 S4 D9 a- Y L
17、在低频时使用一定量的去耦电容来代替稳压器件；
0 u v9 M$ k$ q) ~
18、在高频时使用一定量的去耦电容来抵消等效电感；
* D0 C$ {, |- D, n# q& A# x3 K
19、使用尽可能小的去耦电容，并尽量减小电容焊盘上与电源和地平面相连的互连线的长度；
1 d1 ]. ~: j) t
20、在片内使用尽量大的去耦电容；
0 f. [2 x* J' M L& R" Z
21、在封装中应使用尽可能多的低电感去耦电容；
5 F; d; L& P) J. x+ Q6 N6 k3 n
22、在I/O接口设计中使用差分对；
作者:
amao
时间:
2013-10-18 16:23
就一句话：使DIE pad出来的wirebond线与POWER/GROUND RING的电感尽量小。
作者:
willyeing
时间:
2013-10-22 19:42
高手出现。
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