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标题: 有关Flash被冲程序 [打印本页]
作者: ctq1235    时间: 2013-6-13 17:24
标题: 有关Flash被冲程序
用的EN25T80这颗Flash，总是出现程序被冲掉，重烧程序后板子OK。曾经在硬件把WP脚拉死（强制写保护了），还是会出现程序被冲掉情况，求救大神，还有什么方法改进。

Ｆｌａｓｈ.jpg (80.46 KB, 下载次数: 0)

Ｆｌａｓｈ.jpg
作者: 超級狗    时间: 2013-6-13 18:53
軟件保護有做嗎？
6 S- \/ S+ ~# _; A' I3 U- @  Y) i& R/ w3 D& n# D0 ]
{:soso_e132:}
  ]7 k9 U0 T3 _7 ]9 N2 B  p! E
4 |* G4 @* ]. C8 ]4 j4 x3 z

NE25T80 Block Protection.jpg (120.07 KB, 下载次数: 1)

NE25T80 Block Protection.jpg
作者: gwj221    时间: 2013-6-13 19:05
WP为啥不接上拉
作者: myiccdream    时间: 2013-6-13 20:35
是否双电源供电？
作者: 超級狗    时间: 2013-6-13 22:44
In addition to the low power consumption feature, the Deep Power-down mode offers extra software protection from inadvertent Write, Program and Erase instructions, as all instructions are ignored except one particular instruction (the Release from Deep Power-down instruction).0 U# J4 t# d; r; O2 O3 T

& g1 P4 Q& u2 u) |$ c  b進入 Deep Sleep Mode 也可以防寫（Write Protection）！
- H3 y  @$ V6 H) U9 L- d
$ U/ h8 y5 l. L8 N3 d- s; u6 IThe Deep Power-down mode is entered when the specific instruction (the Enter Deep Power-down Mode (DP) instruction) is executed. The device consumption drops further to ICC2. The device remains in this mode until another specific instruction (the Release from Deep Power-down Mode and Read Device ID (RDI) instruction) is executed.% D& d" F# U, p+ Y) W8 ^6 i( z
9 N) R* P' ?4 d: E2 |4 D: q' A2 |
{:soso_e100:}
作者: kully    时间: 2013-6-14 08:02
把详细情况说明，上电还是下电，还是在运行时，这样才可以分析。另外把电路贴齐
作者: qiangqssong    时间: 2013-6-14 17:26
WP脚需加上拉电阻,以保证上电过程和下电过程此管脚的正常,不过有可能在系统上、下电的时候出现误操作的情况；另外版主说的软件保护也很重要，特别是上、下电的过程中。
作者: ctq1235    时间: 2013-6-17 17:48
超級狗 发表于 2013-6-13 18:53
( V3 [, S& m) C& r+ @軟件保護有做嗎？
5 T5 H" H4 {+ ?% h8 Q
软件保护是做了的，但是还是时常的被冲掉。
作者: ctq1235    时间: 2013-6-17 17:49
gwj221 发表于 2013-6-13 19:05 9 s  Z( H$ @# `+ v6 p+ e
WP为啥不接上拉

8 `+ i' p8 h* e0 y以前WP做过上拉，但是升级不了程序了，所把上拉去掉了。
作者: ctq1235    时间: 2013-6-17 17:52
kully 发表于 2013-6-14 08:02 4 o- D% y. f' T  w* Y, p) Q
把详细情况说明，上电还是下电，还是在运行时，这样才可以分析。另外把电路贴齐

( D6 F: L& C! Q/ C, N& u0 W5 d是在上电时冲程序。
作者: ctq1235    时间: 2013-6-17 17:55
myiccdream 发表于 2013-6-13 20:35 9 H. S+ i& Z+ g( p' A
是否双电源供电？
) Y( Z0 n& Y7 m  R& t
不是双电源供电，+3V3_Flash只是一个标注net
作者: 超級狗    时间: 2013-6-17 18:07
發現管腳相容的還不少，換別廠牌的試試吧！8 ~4 L7 |; Z1 a' W# K
! L  F( r& N3 \# u1 J$ X
宜揚科技股份有限公司（Eon Silicon Solution Inc.），這家是小公司，沒什麼知名度！
# |+ Q/ l2 b, \$ _4 }2 k( E
0 ]9 E7 I4 p! Y; s7 U9 [, ?{:soso_e119:}

SST 25081A.pdf

281.07 KB, 下载次数: 10, 下载积分: 威望 -5

Micron M25PE80.pdf

650.57 KB, 下载次数: 9, 下载积分: 威望 -5

MicroChip 25AA1024.pdf

338.71 KB, 下载次数: 11, 下载积分: 威望 -5

作者: ctq1235    时间: 2013-6-17 18:17
超級狗 发表于 2013-6-17 18:07
4 r2 \* T9 z7 [( r. p發現管腳相容的還不少，換別廠牌的試試吧！
4 z; E! K3 O/ W7 X6 Y' ^/ Y1 z
8 }. ~) r- I/ r' [宜揚科技股份有限公司（Eon Silicon Solution Inc.），這家是 ...
/ x* r! y2 {* J% o
谢谢狗老大，再问一下，Flash会不会因为电源电压的尖峰脉冲导致Flash程序冲掉，或是其他地方的信号干扰。
作者: 超級狗    时间: 2013-6-17 20:36
本帖最后由 超級狗 于 2013-6-17 21:02 编辑 + l5 {2 E8 C! g  N0 H0 H3 {
ctq1235 发表于 2013-6-17 18:17
  \  V  {3 D' w- s' S; F谢谢狗老大，再问一下，Flash会不会因为电源电压的尖峰脉冲导致Flash程序冲掉，或是其他地方的信号干扰。

: h4 M) a+ o: t: |6 f; I0 b- O6 v/ P# q- M
會！不過如果設計良好，機率上應該是很低。當初遇過的狀況，是因為供應商質量不太好問題。7 C9 [" e; W0 ]* d# I9 C6 C
! r0 V( E0 l8 C! x! B
這顆串列式內存，從芯片資料看起來保護是挺完善的。除了有軟、硬件上的保護，低於 2.5V 也有防寫。
8 q, A1 o" J" n2 l6 C; q
' A+ E( X8 I% m1 d* i% ?只不過寫得好看，實際上未必就牢靠。
1 K2 ~. `- g( }0 D4 ?
1 A  u( q! w" P1 A4 x  X只能建議您試一下大品牌，用比對的方式看能不能查出是質量上的問題。
4 k' J, G! d# W+ a( i* _; @, P+ D( N: h) b- U( A
{:soso_e161:} + p8 T+ Y, u% o( A  Q
6 F$ b$ [7 t  U% X; h+ s
作者: ctq1235    时间: 2013-6-18 09:11
超級狗 发表于 2013-6-17 20:36
7 K/ m% O+ x$ M: Q1 T) f  A' F會！不過如果設計良好，機率上應該是很低。當初遇過的狀況，是因為供應商質量不太好問題。
+ o6 R' N$ I0 [6 O' X* T5 y, l
% F1 V. R" ?# V這顆串列 ...

: @2 S2 T+ e  E% I' ^老大，麻烦知道这个电路哪些地方还需要完善设计（硬件上的），这是Flash块的电路图了 ，net其它位置只是做直连，没有加任何东西了。
作者: 超級狗    时间: 2013-6-18 09:41
ctq1235 发表于 2013-6-18 09:11 6 k5 A% h5 {0 `* p( q% B% _
老大，麻烦知道这个电路哪些地方还需要完善设计（硬件上的），这是Flash块的电路图了 ，net其它位置只是做 ...

3 \& p- ]/ }+ a所謂設計良好是指芯片製造商的設計，系統方面只能把濾波電容儘量靠近芯片電源管腳。
9 ?* r' _2 N+ I
7 E& M, b* U" f  I{:soso_e100:}
作者: 风吹摇摆    时间: 2013-6-18 10:19
强大的百度！

FLASH掉程序.pdf

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