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标题: 有关Flash被冲程序 [打印本页]

作者: ctq1235    时间: 2013-6-13 17:24
标题: 有关Flash被冲程序
用的EN25T80这颗Flash,总是出现程序被冲掉,重烧程序后板子OK。曾经在硬件把WP脚拉死(强制写保护了),还是会出现程序被冲掉情况,求救大神,还有什么方法改进。

Flash.jpg (80.46 KB, 下载次数: 0)

Flash.jpg

作者: 超級狗    时间: 2013-6-13 18:53
軟件保護有做嗎?7 e# v/ a0 q& ^

! {* H' y, N, u# ~: Q( C( p8 Q$ u{:soso_e132:}
& m; \$ L# f% R3 g4 n4 j; r. J1 P3 a( Z/ }8 E

NE25T80 Block Protection.jpg (120.07 KB, 下载次数: 1)

NE25T80 Block Protection.jpg

作者: gwj221    时间: 2013-6-13 19:05
WP为啥不接上拉
作者: myiccdream    时间: 2013-6-13 20:35
是否双电源供电?
作者: 超級狗    时间: 2013-6-13 22:44
In addition to the low power consumption feature, the Deep Power-down mode offers extra software protection from inadvertent Write, Program and Erase instructions, as all instructions are ignored except one particular instruction (the Release from Deep Power-down instruction).$ i8 y* R/ A! E" F

3 p, H8 f. S+ d- ?* i* Q) c進入 Deep Sleep Mode 也可以防寫(Write Protection)!1 C: U7 F  `: \

1 g( }. \8 M6 x6 Z6 K: [7 e) vThe Deep Power-down mode is entered when the specific instruction (the Enter Deep Power-down Mode (DP) instruction) is executed. The device consumption drops further to ICC2. The device remains in this mode until another specific instruction (the Release from Deep Power-down Mode and Read Device ID (RDI) instruction) is executed.3 E; E( B" Q/ Z! F7 Q/ f
! k5 U8 J1 f. l% {' c
{:soso_e100:}
作者: kully    时间: 2013-6-14 08:02
把详细情况说明,上电还是下电,还是在运行时,这样才可以分析。另外把电路贴齐
作者: qiangqssong    时间: 2013-6-14 17:26
WP脚需加上拉电阻,以保证上电过程和下电过程此管脚的正常,不过有可能在系统上、下电的时候出现误操作的情况;另外版主说的软件保护也很重要,特别是上、下电的过程中。
作者: ctq1235    时间: 2013-6-17 17:48
超級狗 发表于 2013-6-13 18:53
) V  p" ~7 U, P* j軟件保護有做嗎?

, \8 ^. ?0 D! ~( i( q7 f软件保护是做了的,但是还是时常的被冲掉。
作者: ctq1235    时间: 2013-6-17 17:49
gwj221 发表于 2013-6-13 19:05
8 Y0 @& z, P6 `! P) m, [: C0 YWP为啥不接上拉

1 H$ a. @; n7 V( O7 b以前WP做过上拉,但是升级不了程序了,所把上拉去掉了。
作者: ctq1235    时间: 2013-6-17 17:52
kully 发表于 2013-6-14 08:02 ! Y0 L) l# ~$ V3 O( c
把详细情况说明,上电还是下电,还是在运行时,这样才可以分析。另外把电路贴齐

0 ?( h: f& w; h0 y  @是在上电时冲程序。
作者: ctq1235    时间: 2013-6-17 17:55
myiccdream 发表于 2013-6-13 20:35
5 X6 _7 ~% T; o% a0 S$ T2 B是否双电源供电?

+ R6 ^$ c5 z* u$ c- g5 A不是双电源供电,+3V3_Flash只是一个标注net
作者: 超級狗    时间: 2013-6-17 18:07
發現管腳相容的還不少,換別廠牌的試試吧!+ ^, j2 o6 R2 x! M
1 p, d- F0 f0 G' V6 Q: e
宜揚科技股份有限公司(Eon Silicon Solution Inc.),這家是小公司,沒什麼知名度!- c. y3 s& t( a! u0 s
% S7 F+ e( _( ?) u0 c
{:soso_e119:}

SST 25081A.pdf

281.07 KB, 下载次数: 10, 下载积分: 威望 -5

Micron M25PE80.pdf

650.57 KB, 下载次数: 9, 下载积分: 威望 -5

MicroChip 25AA1024.pdf

338.71 KB, 下载次数: 11, 下载积分: 威望 -5


作者: ctq1235    时间: 2013-6-17 18:17
超級狗 发表于 2013-6-17 18:07
$ A. C4 w7 h  n& d: b發現管腳相容的還不少,換別廠牌的試試吧!
' X; d: Y( K6 C8 j% d
& L1 s8 }. m/ Q1 s2 u) z6 I宜揚科技股份有限公司(Eon Silicon Solution Inc.),這家是 ...

9 B7 T) g. x9 ]$ y9 D谢谢狗老大,再问一下,Flash会不会因为电源电压的尖峰脉冲导致Flash程序冲掉,或是其他地方的信号干扰。
作者: 超級狗    时间: 2013-6-17 20:36
本帖最后由 超級狗 于 2013-6-17 21:02 编辑 6 O+ h$ x+ |& o& j) I
ctq1235 发表于 2013-6-17 18:17
& a9 _  D  w0 g- D5 P谢谢狗老大,再问一下,Flash会不会因为电源电压的尖峰脉冲导致Flash程序冲掉,或是其他地方的信号干扰。

9 ?% W) `- @! V& c
9 H) r) G: L* d! y( Q會!不過如果設計良好,機率上應該是很低。當初遇過的狀況,是因為供應商質量不太好問題。3 c' j2 S- \# h* M$ D3 |3 N. P

, j# U# x! w4 E$ h* c這顆串列式內存,從芯片資料看起來保護是挺完善的。除了有軟、硬件上的保護,低於 2.5V 也有防寫。: ~% _6 s1 F6 J! `1 z
/ D1 [, }7 |- ]1 p
只不過寫得好看,實際上未必就牢靠。+ e6 j) R7 M; J% R

3 u5 o  H# b- R  E0 X0 W9 d2 D$ w% }只能建議您試一下大品牌,用比對的方式看能不能查出是質量上的問題。+ z, E+ D1 C8 E! Y( C

* p& K2 S: s: m1 }' C5 z& ?% |3 \{:soso_e161:}
* o$ u$ R5 C; }) |4 e; R* C& i
5 S. g; s& d( g
作者: ctq1235    时间: 2013-6-18 09:11
超級狗 发表于 2013-6-17 20:36
8 C# w5 L6 r9 Z; @會!不過如果設計良好,機率上應該是很低。當初遇過的狀況,是因為供應商質量不太好問題。: G6 C$ u" r1 v/ i6 G
8 M' `- X6 G8 W+ w2 k# {5 N
這顆串列 ...
2 u3 }, `/ i0 V/ N  P9 H
老大,麻烦知道这个电路哪些地方还需要完善设计(硬件上的),这是Flash块的电路图了 ,net其它位置只是做直连,没有加任何东西了。
作者: 超級狗    时间: 2013-6-18 09:41
ctq1235 发表于 2013-6-18 09:11 1 |( U# |: \( Y: K3 F5 T
老大,麻烦知道这个电路哪些地方还需要完善设计(硬件上的),这是Flash块的电路图了 ,net其它位置只是做 ...

, S" [& e- J5 ^$ K* u- n所謂設計良好是指芯片製造商的設計,系統方面只能把濾波電容儘量靠近芯片電源管腳。
. R2 e! b: t2 h+ Z6 H# Q/ t6 x4 d! Q5 s* `+ q
{:soso_e100:}
作者: 风吹摇摆    时间: 2013-6-18 10:19
强大的百度!

FLASH掉程序.pdf

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