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标题: 请分析下mos管的作用 [打印本页]
作者: 嗯哈    时间: 2013-4-16 21:55
标题: 请分析下mos管的作用
请帮忙分析下Q2的作用！此电路是个inand的供电的！谢谢了！

截图01.jpg (91.61 KB, 下载次数: 13)

截图01.jpg
作者: HNTA_401    时间: 2013-4-17 23:50
先说一下，这个图真的很不清晰，我大致识别上面的P沟道MOS管代号为Q301，中间三极管为Q3，右边N沟道MOS管为Q2。$ s* T. t, P% w; b  R0 W0 |- o0 m! c
当输入为0时：Q3关闭，Q301关闭，Q2导通，VDD_INAND通过R331(1K)下拉至0V；
4 V6 s9 N( j, O当输入为1时：Q3导通，Q301开启，Q2关闭，由于Q301的Ron很小，那么VDD_INAND=VCC_1V2。8 M+ ]% Q7 F* {, v
   在对电源要求严格的情况下，VDD_INAND悬空是比较危险的。
$ ^" m6 f5 A, a9 [
. v$ W9 F( r; e, ^/ e6 h我也有个疑问，若将Q2取掉，在输入为0时，若VDD_INAND不接负载，VDD_INAND会不会等于VCC_1V2+0.7V，0.7V为P-MOS管反向二极管的压降。
作者: Vincent.M    时间: 2013-4-20 23:17
留爪，待高手解释，一般我都是用不到Q2这个位置的。
作者: eng    时间: 2013-4-21 12:10
本帖最后由 eng 于 2013-4-21 12:18 编辑 * @* z! N. b' w0 o. G2 Q
" y* X  p9 p+ L& A& [
Q301截止后，Q301 G极 高电平，Q2导通， Q2起到快速放电作用，可以快速放掉电源电容残余电量，有部分单片机当电容电量不能放完，接近单片机临界复位电压，再上电容易造成单片机死机，这个电路等同于在单片机电源并联一个放电电阻。
作者: 嗯哈    时间: 2013-4-21 16:33
eng 发表于 2013-4-21 12:10
* N1 S/ X0 h8 {& sQ301截止后，Q301 G极 高电平，Q2导通， Q2起到快速放电作用，可以快速放掉电源电容残余电量，有部分单片机 ...
; W7 _: k8 w5 S/ `+ U1 e
这个电路出现了一个问题！当输入为高（3.3V）的时候，输入信号出现了震荡。后来将R331改为100K，以后就好了！这点改如何解释了？
作者: qiangqssong    时间: 2013-4-22 17:40
同意4楼的观点!!!
作者: 伊蚊    时间: 2013-4-26 15:48
有道理啊，学习啦
作者: zhaollcheng    时间: 2013-4-26 20:45
"当输入为高（3.3V）的时候，输入信号出现了震荡。后来将R331改为100K，以后就好了",是,这点改如何解释了
作者: eng    时间: 2013-4-29 08:59
留意C103 ，C103 上电需要充电，这个有个时间，在此过程中如果R331阻值过大，会出现这种情况，如果对静态电流要求不敏感，那就将R331减小，建议用10K
作者: kevin.xia    时间: 2013-4-29 09:58
Q2 mos有没有画错？请再次确认电路是否正确...
作者: sunnysun    时间: 2013-5-3 16:39
eng 发表于 2013-4-29 08:59 4 E5 C0 Y, T+ |& Z2 Q* f  F
留意C103 ，C103 上电需要充电，这个有个时间，在此过程中如果R331阻值过大，会出现这种情况，如果对静态电 ...

2 q; j! a& e8 ]4 z  q4 x大侠，应该是将R311的阻值减小吧，
% a- z! n5 s8 N5 I# u6 _另外，为什么将R331的阻值改为100K后，输出就稳定了呢？
作者: iuven    时间: 2013-5-9 17:43
输出震荡应该是Q301没有完全导通，处于临界状态，此现象应该是C103放电回路造成。
作者: antoni2011    时间: 2013-5-12 20:05
减小R311 ，增加R331 考虑 Q2 寄生参数
作者: 超級狗    时间: 2013-5-13 00:57
本帖最后由 超級狗 于 2013-5-13 00:58 编辑
9 D3 {+ C# J: M
9 E% k* |, I$ e  u0 Q* }' ^NMOS FET Equivalent Circuit
  S# q7 J* I6 n2 o7 m: w, _* \& B, Q( r! L0 `* g6 ]
{:soso_e110:}

NMOS FET Equivalent Circuit.gif (6.88 KB, 下载次数: 7)

NMOS FET Equivalent Circuit.gif
作者: 嗯哈    时间: 2013-5-20 09:42
kevin.xia 发表于 2013-4-29 09:58 7 E3 a, |! S) }+ k* v2 c! O. Q0 Z! `
Q2 mos有没有画错？请再次确认电路是否正确...

) C) f4 [9 A& S4 LQ2的确是画错了！但D,S,G没有标错！
作者: 嗯哈    时间: 2013-5-20 09:53
antoni2011 发表于 2013-5-12 20:05
9 {: ~3 x& S2 H( r减小R311 ，增加R331 考虑 Q2 寄生参数
- H9 V# x/ y4 U
主要考虑哪些参数l？
作者: 超級狗    时间: 2013-5-20 12:04
嗯哈 发表于 2013-5-20 09:42 $ C& z! Z+ y+ V. O" k1 w$ I
Q2的确是画错了！但D,S,G没有标错！

- e3 T/ N- j% w; N1 g- r如果我沒記錯，MOS 管有箭頭那端是源極（Source）。
; U% i2 O0 W+ U; Y0 N/ p9 ^5 W4 z2 Y: L: C2 h  [9 n' d
不管 PMOS 或 NMOS 都一樣，你最好去看一下芯片資料上的符號是怎麼畫的。4 r. f3 C; H3 M

4 s. U3 A, I) @0 _5 P/ M給你 PMOS 和 NMOS 的芯片資料各一份！
' ]1 F0 d# z# G" Q2 d# b+ k8 k* Q, b- K8 U& @9 m
{:soso_e180:}

AO3402.pdf

449.04 KB, 下载次数: 18, 下载积分: 威望 -5

AO3403.pdf

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