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标题: 关于DDR2和DDR3的地址走线问题 [打印本页]

作者: fengyu6117 时间: 2013-1-11 14:51
标题: 关于DDR2和DDR3的地址走线问题
目前看到的DDR2和DDR3的地址走线，2片和以上DDR时候有些PCB 是地址线串联走线，有些是地址线设T点，到两片的距离相等的走法，大家认为哪个好啊！

作者: andy2006i 时间: 2013-1-11 17:00
DDR3地址，控制，命令信号走线方式是菊花链式是最好的，我们做的板载DDR3。不知道楼主是否也是？

作者: fengyu6117 时间: 2013-1-15 09:10
你说的板载DDR3，是指DDR芯片直接焊在板上吧？是直接在板上的不是像电脑那样的。不过我有见过地址线的DEMO板有些是菊花链的，有些是设置T点到两片DDR的，不清楚为什么都可以，还是哪种更好些。

作者: willyeing 时间: 2013-1-16 10:04

fengyu6117 发表于 2013-1-15 09:10
+ M1 p+ b3 r/ S k2 Q1 S你说的板载DDR3，是指DDR芯片直接焊在板上吧？是直接在板上的不是像电脑那样的。不过我有见过地址线的DEMO板 ...

用仿真软件评估呀

作者: lgl2466 时间: 2013-3-11 13:01

作者: ggggusrh 时间: 2013-3-12 20:30

作者: emanule 时间: 2013-3-12 21:06

fengyu6117 发表于 2013-1-15 09:10
6 G8 k9 }# ~5 `3 }- J你说的板载DDR3，是指DDR芯片直接焊在板上吧？是直接在板上的不是像电脑那样的。不过我有见过地址线的DEMO板 ...

这个应该是涉及到工作频率吧

作者: Gionee 时间: 2013-3-13 11:05
DDR3 地址命令走线 Fly-by 拓扑就是串起来

作者: qingdalj 时间: 2013-4-28 12:44
都可以，都遇到过，走菊花链自然更好一些

作者: Christhenghao 时间: 2013-5-6 23:14
如果是DDR3的颗粒的话需要走fly_by而不仅仅是菊花链，DDR2采用T点应该没问题

作者: neon 时间: 2013-5-13 21:17
fly by就是stub很短的菊花链。

作者: cousins 时间: 2013-6-1 07:34
Daisy的方式比较适用于4颗以下no buffer的拓补
不过一般这种拓补就只能跑2T的地址方式了

作者: fuer 时间: 2013-6-4 11:27

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