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标题: DDR与DDR2端接有什么区别? [打印本页]

作者: wdckill 时间: 2008-7-21 15:05
标题: DDR与DDR2端接有什么区别?
DDR与DDR2端接有什么区别?布局布线有什么不同?

作者: liqiangln 时间: 2008-7-22 08:59
标题: ！
你主要观察电平属性，如果是一样的，那么端接就是一样的，只是DDR2内部集成ODT，也就是VTT上拉端接，这样外部不需要做VTT匹配，但是有的时候，设计中不认为ODT好用，可以做外部的兼容设计。

作者: forevercgh 时间: 2008-7-23 21:04

原帖由 wdckill 于 2008-7-21 15:05 发表 , W9 g H! R& z4 R9 G1 y, C/ x4 ^5 v9 ~
DDR与DDR2端接有什么区别?布局布线有什么不同?

两者主要是端接内外的区别，DDR2以ODT的形式在IC内部实现端接（VTT就是端接电压）------ODT on die termination。
另外，DDR2有OCD---off chip driver，加强上下拉驱动控制功能

走线约束差不多了，主要是同组内信号长度要求严格，再者就是要考虑不同类型（数据，时钟，控制。。。）信号间的分组布线，严格控制串扰和等长。

作者: yun12 时间: 2008-9-24 10:36
关键DDR2 速率为DDR 的2倍布线比DDR 严格，DDR2 看电路设计OCD ODT 等功能是否使用再看端节

作者: jimmy 时间: 2011-9-1 11:53
布局基本一样.

布线的话,因为DDR2的速率是DDR的一倍,所以对等长的误差要求更为严格.

同时,DDR2比DDR多了DQS差分线.DDR只有一根DQS.

作者: caiyongsheng 时间: 2011-9-1 13:01
拓扑结构不一样，DDR用菊花链状的，DDR2用T形拓扑，之前不知道DDR用菊花链的结构，看了一个大厂写的文档，上面必须用菊花链的结构，不知其原因。

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