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标题:
DDR与DDR2端接有什么区别?
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作者:
wdckill
时间:
2008-7-21 15:05
标题:
DDR与DDR2端接有什么区别?
DDR与DDR2端接有什么区别?布局布线有什么不同?
作者:
liqiangln
时间:
2008-7-22 08:59
标题:
！
你主要观察电平属性，如果是一样的，那么端接就是一样的，只是DDR2内部集成ODT，也就是VTT上拉端接，这样外部不需要做VTT匹配，但是有的时候，设计中不认为ODT好用，可以做外部的兼容设计。
作者:
forevercgh
时间:
2008-7-23 21:04
原帖由
wdckill
于 2008-7-21 15:05 发表
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DDR与DDR2端接有什么区别?布局布线有什么不同?
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两者主要是端接内外的区别，DDR2以ODT的形式在IC内部实现端接（VTT就是端接电压）------ODT on die termination。
& w/ O% X% f) V% W
另外，DDR2有OCD---off chip driver，加强上下拉驱动控制功能
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走线约束差不多了，主要是同组内信号长度要求严格，再者就是要考虑不同类型（数据，时钟，控制。。。）信号间的分组布线，严格控制串扰和等长。
作者:
yun12
时间:
2008-9-24 10:36
关键DDR2 速率为DDR 的2倍 布线比DDR 严格 ，DDR2 看电路设计OCD ODT 等功能是否使用 再看端节
作者:
jimmy
时间:
2011-9-1 11:53
布局基本一样.
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布线的话,因为DDR2的速率是DDR的一倍,所以对等长的误差要求更为严格.
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同时,DDR2比DDR多了DQS差分线.DDR只有一根DQS.
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作者:
caiyongsheng
时间:
2011-9-1 13:01
拓扑结构不一样，DDR用菊花链状的，DDR2用T形拓扑，之前不知道DDR用菊花链的结构，看了一个大厂写的文档，上面必须用菊花链的结构，不知其原因。
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